标签: 选择功率器件

有如此多的分立式功率器件可供选择，您如何确定所用的功率器件就是合适的？ 以下建议可以帮助您实现真正高效节能器件的优势，而又无需承受比较不同性能表现的烦恼。 了解您的市场 不同的区域对功耗有不同的要求，因此请务必弄清楚预期的要求。  分立式功率器件性能不足最终可能导致产品滞销。 超越参数表 总体效率受许多因素影响。  依靠导通电阻或饱和电压等单个参数可能无法看清全部本质。  详细地考察整个数据手册，并谨记相对峰值效率。 缩小关注范围 知道何时应选择MOSFET，以及何时应改选IGBT。  如果您的应用涉及到高电压(≥ 300 V)和高电流，并且开关频率介于3 kHz到100 kHz之间，那么IGBT可能是最佳选择。 亲自测试 不同的供应商会使用不同的测试条件并发布不同的电气数据，因此请务必在目标应用中测试分立式功率器件。  对于MOSFET，应注意的其中两个最重要波形分别为漏极至源极电阻 和总栅极电荷(Q g )。  透过它们，可以最为全面地了解导通和开关损耗。  对于IGBT，则应注意集电极至发射极的饱和电压 、t导通开关损耗(E ON )和关断开关损耗(E OFF )。 了解封装的作用 有些封装的效率高于其他封装，因此有必要进行详细比较。  较新的封装可以减少对有损电路或管理器件过压和电磁干扰(EMI)的需要。  它们还可以使布局更紧凑，或者帮助PCB散热。 欲了解这些建议的详情，请下载完整的六页技术笔记。   相关链接： 设计工具 http://www.fairchildsemi.com.cn/support/design-tools/ MOSFET 高压 http://www.fairchildsemi.com.cn/products/discretes/fets/  特色技术 http://www.fairchildsemi.com.cn/product-technology/power-stage/ http://www.fairchildsemi.com.cn/product-technology/dual-cool/ http://www.fairchildsemi.com.cn/product-technology/smart-power-stage/ IGBT 高压：   http://www.fairchildsemi.com.cn/products/discretes/igbts/