原创 轻轻松松: 如何选择分立式功率器件

有如此多的分立式功率器件可供选择，您如何确定所用的功率器件就是合适的？ 以下建议可以帮助您实现真正高效节能器件的优势，而又无需承受比较不同性能表现的烦恼。

了解您的市场

不同的区域对功耗有不同的要求，因此请务必弄清楚预期的要求。  分立式功率器件性能不足最终可能导致产品滞销。

超越参数表

总体效率受许多因素影响。  依靠导通电阻或饱和电压等单个参数可能无法看清全部本质。  详细地考察整个数据手册，并谨记相对峰值效率。

缩小关注范围

知道何时应选择MOSFET，以及何时应改选IGBT。  如果您的应用涉及到高电压(≥ 300 V)和高电流，并且开关频率介于3 kHz到100 kHz之间，那么IGBT可能是最佳选择。

亲自测试

不同的供应商会使用不同的测试条件并发布不同的电气数据，因此请务必在目标应用中测试分立式功率器件。  对于MOSFET，应注意的其中两个最重要波形分别为漏极至源极电阻[R_DS(ON)]和总栅极电荷(Q_g)。  透过它们，可以最为全面地了解导通和开关损耗。  对于IGBT，则应注意集电极至发射极的饱和电压[V_CE(sat)]、t导通开关损耗(E_ON)和关断开关损耗(E_OFF)。

了解封装的作用

有些封装的效率高于其他封装，因此有必要进行详细比较。  较新的封装可以减少对有损电路或管理器件过压和电磁干扰(EMI)的需要。  它们还可以使布局更紧凑，或者帮助PCB散热。

欲了解这些建议的详情，请下载完整的六页技术笔记。

相关链接：

设计工具

http://www.fairchildsemi.com.cn/support/design-tools/

MOSFET

高压

http://www.fairchildsemi.com.cn/products/discretes/fets/ 

特色技术

http://www.fairchildsemi.com.cn/product-technology/power-stage/

http://www.fairchildsemi.com.cn/product-technology/dual-cool/

http://www.fairchildsemi.com.cn/product-technology/smart-power-stage/

IGBT

高压： http://www.fairchildsemi.com.cn/products/discretes/igbts/