tag 标签: 模拟电路

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    2019-7-23 09:27
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    运放知识合集02.运算放大器的简单分类
    看了很多书籍,也看了很多帖子,对于运算放大器的分类都有很多不同的见解,后来听了一次讲座觉得老师的分类还是很有值得参考的价值的,这里整理了分享出来。 超低功耗运放(Nano Power OPA) 低功耗运放(Micro Power OPA) 高速运放(high Speed OPA) 高精度运放(High Precision OPA) 低噪声运放(Low Noise OPA) 差分放大器(Fully Differential OPA) 功率放大器(Power OPA) 音频放大器(Audio OPA) 仪表放大器(Instrumentation OPA) 其他专用型放大器 老铁们有不同的看法可以回复我,一起学习讨论一下 ——————————————完美分割线—————————————————— 攻城狮聚聚 们的聚集地,期待你们的加入↓↓↓ ( 此群仅用于技术交流与学习讨论, 群内不定时资料分享) 无法入群时,可添加管理员微信 zcoreplayer007 (请备注: 技术交流群 )
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    2019-7-22 11:07
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    运放知识合集01.运发概述及其理想参数
    运放又叫运算放大器,它的英文名Operational Amplifier,又称OP。可以用来进行加、减、除运算甚至是微积分运算。20世纪40年代开发出来给模拟计算机使用的。 运算放大器的电气符号,如图1, 理想运放参数和实际运放参数是有区别的,但是作为入门,以及经典电路分析都要用到理想运放来学习,这里介绍一下理想运放的特征参数,也就是说这些参数的特性只是针对理想运放的时候才是有意义的。 电压增益 理想运算放大器的电压增益为无限大。电压增益是输出电压与两输入端间的电压的比值。 输入阻抗 理想运算放大器的输入阻抗为无限大。这时,运算放大器两端输入端无电流流通。 输出阻抗 理想运算放大器的输出阻抗为零。不管负载大小如何,输出电压保持不变。 ——————————————————完美分割线———————————————————— 攻城狮聚聚 们的聚集地,期待你们的加入↓↓↓ ( 此群仅用于技术交流与学习讨论, 群内不定时资料分享) 无法入群时,可添加管理员微信 zcoreplayer007 (请备注: 技术交流群 )
  • 热度 8
    2015-6-4 15:14
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    本文就旁路电容、电源、地线设计、电压误差和由PCB布线引起的电磁干扰(EMI)等几个方面,讨论模拟和数字布线的基本相似之处及差别。 工程领域中的数字设计人员和数字电路板设计专家在不断增加,这反映了行业的发展趋势。尽管对数字设计的重视带来了电子产品的重大发展,但仍然存在,而且还会一直存在一部分与模拟或现实环境接口的电路设计。模拟和数字领域的布线策略有一些类似之处,但要获得更好的结果时,由于其布线策略不同,简单电路布线设计就不再是最优方案了。本文就旁路电容、电源、地线设计、电压误差和由PCB布线引起的电磁干扰(EMI)等几个方面,讨论模拟和数字布线的基本相似之处及差别。 模拟和数字布线策略的相似之处 旁路或去耦电容 在布线时,模拟器件和数字器件都需要这些类型的电容,都需要靠近其电源引脚连接一个电容,此电容值通常为0.1uF。系统供电电源侧需要另一类电容,通常此电容值大约为10uF。 这些电容的位置如图1所示。电容取值范围为推荐值的1/10至10倍之间。但引脚须较短,且要尽量靠近器件(对于0.1uF电容)或供电电源(对于10uF电容)。 在电路板上加旁路或去耦电容,以及这些电容在板上的位置,对于数字和模拟设计来说都属于常识。但有趣的是,其原因却有所不同。在模拟布线设计中,旁路电容通常用于旁路电源上的高频信号,如果不加旁路电容,这些高频信号可能通过电源引脚进入敏感的模拟芯片。一般来说,这些高频信号的频率超出模拟器件抑制高频信号的能力。如果在模拟电路中不使用旁路电容的话,就可能在信号路径上引入噪声,更严重的情况甚至会引起振动。 图1 在模拟和数字PCB设计中,旁路或去耦电容(0.1uF)应尽量靠近器件放置。供电电源去耦电容(10uF)应放置在电路板的电源线入口处。所有情况下,这些电容的引脚都应较短 图2 在此电路板上,使用不同的路线来布电源线和地线,由于这种不恰当的配合,电路板的电子元器件和线路受电磁干扰的可能性比较大 图3 在此单面板中,到电路板上器件的电源线和地线彼此靠近。此电路板中电源线和地线的配合比图2中恰当。电路板中电子元器件和线路受电磁干扰(EMI)的可能性降低了679/12.8倍或约54倍 对于控制器和处理器这样的数字器件,同样需要去耦电容,但原因不同。这些电容的一个功能是用作“微型”电荷库。在数字电路中,执行门状态的切换通常需要很大的电流。由于开关时芯片上产生开关瞬态电流并流经电路板,有额外的“备用”电荷是有利的。如果执行开关动作时没有足够的电荷,会造成电源电压发生很大变化。电压变化太大,会导致数字信号电平进入不确定状态,并很可能引起数字器件中的状态机错误运行。流经电路板走线的开关电流将引起电压发生变化,电路板走线存在寄生电感,可采用如下公式计算电压的变化:V = LdI/dt 其中,V = 电压的变化;L = 电路板走线感抗;dI = 流经走线的电流变化;dt =电流变化的时间。 因此,基于多种原因,在供电电源处或有源器件的电源引脚处施加旁路(或去耦)电容是较好的做法。 电源线和地线要布在一起 电源线和地线的位置良好配合,可以降低电磁干扰的可能性。如果电源线和地线配合不当,会设计出系统环路,并很可能会产生噪声。电源线和地线配合不当的PCB设计示例如图2所示。 此电路板上,设计出的环路面积为697cm2。采用图3所示的方法,电路板上或电路板外的辐射噪声在环路中感应电压的可能性可大为降低。 模拟和数字领域布线策略的不同之处 地平面是个难题 电路板布线的基本知识既适用于模拟电路,也适用于数字电路。一个基本的经验准则是使用不间断的地平面,这一常识降低了数字电路中的dI/dt(电流随时间的变化)效应,这一效应会改变地的电势并会使噪声进入模拟电路。数字和模拟电路的布线技巧基本相同,但有一点除外。对于模拟电路,还有另外一点需要注意,就是要将数字信号线和地平面中的回路尽量远离模拟电路。这一点可以通过如下做法来实现:将模拟地平面单独连接到系统地连接端,或者将模拟电路放置在电路板的最远端,也就是线路的末端。这样做是为了保持信号路径所受到的外部干扰最小。对于数字电路就不需要这样做,数字电路可容忍地平面上的大量噪声,而不会出现问题。 图4 (左)将数字开关动作和模拟电路隔离,将电路的数字和模拟部分分开。 (右) 要尽可能将高频和低频分开,高频元件要靠近电路板的接插件 图5 在PCB上布两条靠近的走线,很容易形成寄生电容。由于这种电容的存在,在一条走线上的快速电压变化,可在另一条走线上产生电流信号 图6 如果不注意走线的放置,PCB中的走线可能产生线路感抗和互感。这种寄生电感对于包含数字开关电路的电路运行是非常有害的 元件的位置 如上所述,在每个PCB设计中,电路的噪声部分和“安静”部分(非噪声部分)要分隔开。一般来说,数字电路“富含”噪声,而且对噪声不敏感(因为数字电路有较大的电压噪声容限);相反,模拟电路的电压噪声容限就小得多。两者之中,模拟电路对开关噪声最为敏感。在混合信号系统的布线中,这两种电路要分隔开,如图4所示。 PCB设计产生的寄生元件 PCB设计中很容易形成可能产生问题的两种基本寄生元件:寄生电容和寄生电感。设计电路板时,放置两条彼此靠近的走线就会产生寄生电容。可以这样做:在不同的两层,将一条走线放置在另一条走线的上方;或者在同一层,将一条走线放置在另一条走线的旁边,如图5所示。在这两种走线配置中,一条走线上电压随时间的变化(dV/dt)可能在另一条走线上产生电流。如果另一条走线是高阻抗的,电场产生的电流将转化为电压。 快速电压瞬变最常发生在模拟信号设计的数字侧。如果发生快速电压瞬变的走线靠近高阻抗模拟走线,这种误差将严重影响模拟电路的精度。在这种环境中,模拟电路有两个不利的方面:其噪声容限比数字电路低得多;高阻抗走线比较常见。 采用下述两种技术之一可以减少这种现象。最常用的技术是根据电容的方程,改变走线之间的尺寸。要改变的最有效尺寸是两条走线之间的距离。应该注意,变量d在电容方程的分母中,d增加,容抗会降低。可改变的另一个变量是两条走线的长度。在这种情况下,长度L降低,两条走线之间的容抗也会降低。 另一种技术是在这两条走线之间布地线。地线是低阻抗的,而且添加这样的另外一条走线将削弱产生干扰的电场,如图5所示。 电路板中寄生电感产生的原理与寄生电容形成的原理类似。也是布两条走线,在不同的两层,将一条走线放置在另一条走线的上方;或者在同一层,将一条走线放置在另一条的旁边,如图6所示。在这两种走线配置中,一条走线上电流随时间的变化(dI/dt),由于这条走线的感抗,会在同一条走线上产生电压;并由于互感的存在,会在另一条走线上产生成比例的电流。如果在第一条走线上的电压变化足够大,干扰可能会降低数字电路的电压容限而产生误差。并不只是在数字电路中才会发生这种现象,但这种现象在数字电路中比较常见,因为数字电路中存在较大的瞬时开关电流。 为消除电磁干扰源的潜在噪声,最好将“安静”的模拟线路和噪声I/O端口分开。要设法实现低阻抗的电源和地网络,应尽量减小数字电路导线的感抗,尽量降低模拟电路的电容耦合。 结语 数字和模拟范围确定后,谨慎地布线对获得成功的PCB至关重要。布线策略通常作为经验准则向大家介绍,因为很难在实验室环境中测试出产品的最终成功与否。因此,尽管数字和模拟电路的布线策略存在相似之处,还是要认识到并认真对待其布线策略的差别。
  • 热度 1
    2015-6-1 15:05
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    1、HC为COMS电平,HCT为TTL电平 2、LS输入开路为高电平,HC输入不允许开路,HC一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS却没有这个要求 3、LS输出下拉强上拉弱,HC上拉下拉相同 4、工作电压:LS只能用5V,而HC一般为2V到6V 5、CMOS可以驱动TTL,但反过来是不行的。TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻,将2.4V~3.6V之间的电压上拉起来,让CMOS检测到高电平输入 6、驱动能力不同,LS一般高电平的驱动能力为5mA,低电平为20mA;而CMOS的高低电平均为5mA 7、RS232电平为+12V为逻辑负,-12为逻辑正 8、74系列为商用,54为军用 9、TTL高电平2.4V,TTL低电平0.4V,噪声容限0.4V 10、OC门,即集电极开路门电路(为什么会有OC门?因为要实现“线与”逻辑),OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。并且只能吸收电流,必须外界上拉电阻和电源才才能对外输出电流 11、COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS 12、当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻 13、在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平 14、如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5VCMOS电路的情况,如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决,最简单的就是直接将74HC换成74HCT的芯片,因为3.3VCMOS可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏,然后加上拉电阻到5V,这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小,以保证信号的上升沿时间。 15、逻辑门输出为高电平时的负载电流(为拉电流),逻辑门输出为低电平时的负载电流(为灌电流) 16、由于漏级开路,所以后级电路必须接一上拉电阻,上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样漏极开路形式就可以连接不同电平的器件,用于电平转换。需要注意的一点:在上升沿的时候通过外部上拉无源电阻对负载进行充电,所以上升沿的时间可能不够迅速,尽量使用下降沿 17、几种电平转换方法: (1)晶体管+上拉电阻法 就是一个双极型三极管或MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。 (2)OC/OD器件+上拉电阻法 跟1)类似。适用于器件输出刚好为OC/OD的场合。 (3)74xHCT系列芯片升压(3.3V→5V) 凡是输入与5VTTL电平兼容的5VCMOS器件都可以用作3.3V→5V电平转换。 ——这是由于3.3VCMOS的电平刚好和5VTTL电平兼容(巧合),而CMOS的输出电平总是接近电源电平的。 廉价的选择如74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/...)系列(那个字母T就表示TTL兼容)。 (4)超限输入降压法(5V→3.3V,3.3V→1.8V,...) 凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件,都可以用作降低电平。 这里的"超限"是指超过电源,许多较古老的器件都不允许输入电压超过电源,但越来越多的新器件取消了这个限制(改变了输入级保护电路)。 例如,74AHC/VHC系列芯片,其datasheets明确注明"输入电压范围为0~5.5V",如果采用3.3V供电,就可以实现5V→3.3V电平转换。 (5)专用电平转换芯片 最著名的就是164245,不仅可以用作升压/降压,而且允许两边电源不同步。这是最通用的电平转换方案,但是也是很昂贵的(俺前不久买还是¥45/片,虽是零售,也贵的吓人),因此若非必要,最好用前两个方案。 (6)电阻分压法 最简单的降低电平的方法。5V电平,经1.6k+3.3k电阻分压,就是3.3V。 (7)限流电阻法 18、无极性电容和有极性电容:前者的封装基本为0805,0603。后者用的最多为铝电解电容,好一点的钽电容 19、PQFP(PlasticQuadFlatPackage,塑料四边引出扁平封装),BGA(BallGridArrayPackage,球栅阵列封装),PGA(PinGridArrayPackage,针栅阵列封装),PLCC(PlasticLeadedChipCarrier,塑料有引线芯片载体),SOP(SmallOutlinePackage,小尺寸封装),TOSP(ThinSmallOutlinePackage,薄小外形封装),SOIC(SmallOutlineIntegratedCircuitPackage,小外形集成电路封装) 集成电路常见的封装形式 QFP(quadflatpackage)四面有鸥翼型脚(封装) BGA(ballgridarray)球栅阵列(封装) PLCC(plasticleadedchipcarrier)四边有内勾型脚(封装) SOJ(smalloutlinejunction)两边有内勾型脚(封装) SOIC(smalloutlineintegratedcircuit)两面有鸥翼型脚(封装) 20、屏蔽线对静电有很强的抑制作用,双绞线对电磁感应也有一定的抑制效果 21、模拟信号采样抗干扰技术:可以采用具有差动输入的测量放大器,采用屏蔽双胶线传输测量信号,或将电压信号改变为电流信号,以及采用阻容滤波等技术 22、闲置不用的IC管脚不要悬空以避免干扰引入。不用的运算放大器正输入端接地,负输入端接输出。单片机不用的I/O口定义成输出。单片机上有一个以上电源、接地端,每个都要接上,不要悬空 23、电阻阻值色环表示法:普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示 24、电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等 25、电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等 26、一般电容的数字表示法单位为pF,电解电容一般为uF 27、电容器的主要性能指标:电容器的容量(即储存电荷的容量),耐压值(指在额定温度范围内电容能长时间可靠工作的最大直流电压或最大交流电压的有效值)耐温值(表示电容所能承受的最高工作温度。). 28、电感器的作用:滤波,陷波,振荡,储存磁能等 29、电感器的分类:空芯电感和磁芯电感.磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯电感等 30、半导体二极管的分类a按材质分:硅二极管和锗二极管;b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。 31、场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管 32、Socket是一种插座封装形式,是一种矩型的插座;Slot是一种插槽封装形式,是一种长方形的插槽 33、晶振的测量方法:用万用表RX10K档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.正常时应为无穷大.若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏 34、IO口输出高电平时,驱动能力最低,对外显示为推电流;IO口输出低电平时,驱动能力最大,对外显示为拉电流 35、外围集成数字驱动电路如果驱动的是感性负载,必须加限流电阻或钳住二极管 36、9013提供的驱动电流有300mA 37、输出数据应该锁存(外围速度跟不上,所以需要锁存),输入数据应该有三态缓冲(加入了高阻状态,不至于对内部的数据总线产生影响) 38、8位并行输出口(必须带有锁存功能):74LS377,74LS273.8位并行输入口(必须是三态门):74LS373,74LS244 39、串行口扩展并行口,并行输入口:74LS165。并行输出口:74LS164 40、键盘工作方式有三种:1、编程扫描方式2、定时扫描方式3、中断方式。还可以专门设计一个IO口用来进行双功能键的设计(上档键和下档键) 41、对于TTL负载,主要应考虑直流负载特性,因为TTL的电流大,分布电容小。对于MOS型负载,主要应考虑交流负载特性,因为MOS型负载的输入电流小,主要考虑分布电容 42、特别注意总线负载平衡的概念! 43、上拉电阻的好处:1、提高信号电平2、提高总线的抗电磁干扰能力(电磁信号通过DB进入CPU)3、抑制静电干扰(CMOS芯片)4、反射波干扰(长远距离传输) 44、稳压时,采用两级集成稳压芯片稳压效果更好 45、传输线的阻抗匹配:1、终端并联阻抗匹配(高电平下降)2、始端串联匹配(低电平抬高)3、终端并联隔直流匹配(RC串联接地)4、终端接钳位二极管 46、接地分两种:外壳接地(真正的接地)和工作接地(浮地) 47、在单片机中地的种类:数字地,模拟地,功率地(电流大,地线粗),信号地,交流地,屏蔽地 48、一点接地:低频电路(1MHZ以下)。多点接地:高频电路(10MHZ以上) 49、交流地与信号地不能公用,数字地和模拟地最好分开,然后在一点相连 50、揩振回路:可以选用云母、高频陶瓷电容,隔直流:可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容,滤波:可以选用电解电容,旁路:可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容 51、二极管应用电路 (1)限幅电路---利用二极管单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成,将信号限定在某一范围中变化,分为单限幅和双限幅电路。多用于信号处理电路中。 (2)箝位电路---将输出电压箝位在一定数值上。 (3)开关电路---利用二极管单向导电性以接通和断开电路,广泛用于数字电路中。 (4)整流电路---利用二极管单向导电性,将交流信号变为直流信号,广泛用于直流稳压电源中。 (5)低电压稳压电路---利用二极管导通后两端电压基本不变的特点,采用几只二极管串联,获得3V以下输出电压 52、高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10uF或者更大 53、上拉电阻总结: 1、当TTL电路驱动COMS电路时,如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平(一般为3.5V),这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。 2、OC门电路必须加上拉电阻,才能使用。 3、为加大输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。 4、在COMS芯片上,为了防止静电造成损坏,不用的管脚不能悬空,一般接上拉电阻产生降低输入阻抗,提供泄荷通路。 5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平,从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。 6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。 7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰,加上下拉电阻是电阻匹配,有效的抑制反射波干扰。 从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;电阻大,电流小。 从确保足够的驱动电流考虑应当足够小;电阻小,电流大。 54、上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平!电阻同时起限流作用!下拉同理! 55、旁路电容:产生一个交流分路,从而消去进入易感区的那些不需要的能量。去耦电容:提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地(他的取值大约为旁路电容的1/100到1/1000)
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    2015-6-1 14:39
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    1、同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等 2、反相放大电路的重要特征是“虚地”的概念 3、PN结具有一种很好的数学模型:开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结,三极管诞生了 4、高频电路中,必须考虑PN结电容的影响(正向偏置为扩散电容,反相偏置为势垒电容) 5、点接触型二极管适用于整流,面接触型二极管适用于高频电路 6、硅管正向导通压降0.7V,锗管为0.2V 7、齐纳二极管(稳压管)工作于反向击穿状态 8、肖特基二极管(Schottky,SBD)适用于高频开关电路,正向压降和反相压降都很低(0.2V)但是反向击穿电压较低,漏电流也较大 9、光电二极管(将光信号转为电信号) 10、二极管的主要参数:最大整流电流,最大反相电压,漏电流 11、三极管有发射极(浓度最高需要发射电子(空穴)嘛,当然浓度高了),集电极,基极(浓度最低)。箭头写在发射极上面发射的东西当然需要箭头了! 12、发射极正偏,集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接方式:共基极,共发射极(最多,因为电流,电压,功率均可以放大),共集电极。判别三种组态的方法:共发射极,由基极输入,集电极输出;共集电极,由基极输入,发射极输出;共基极,由发射极输入,集电极输出。 13、三极管主要参数:电流放大系数β,极间反向电流,(集电极最大允许电流,集电极最大允许耗散功率,反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域) 14、三极管数学模型:单管电流放大 15、射极偏置电路:用于消除温度对静态工作点的影响(双电源更好) 16、三种BJT放大电路比较:共射级放大电路,电流、电压均可以放大。共集电极放大电路:只放大电流,跟随电压,输入R大,输出R小,用作输入级,输出级。共基极放大电路:只放大电压,跟随电流,高频特性好 17、去耦电容:输出信号电容接地,滤掉信号的高频杂波。旁路电容:输入信号电容接地,滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路 18、BJT是一种电流控制电流型器件(双极型),FET是一中电压控制电流器件(单极型) 19、主流是从发射极到集电极的IC,偏流就是从发射极到基极的Ib。相对与主电路而言,为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。 20、场效应管三个铝电极:栅极g,源极s,漏极d。分别对应三极管的基极b,发射极e,集电极c。源极需要发射东西嘛,所以对应发射极e,栅极的英文名称是gate,门一样的存在,和基极的作用差不多其中P型衬底一般与栅极g相连 21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用(开启电压Vt),耗尽型FET则不需要栅源电压,在正的Vds作用下,就有较大的漏极电流流向源极(如果加负的Vgs,那么可能出现夹断,此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***:可以在正负的栅源电压下工作) 22、N沟道的MOS管需要正的Vds(相当于三极管加在集电极的Vcc)和正的Vt(相当于三极管基极和发射极的Vbe),而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt 23、MOSFET主要参数:开启电压Vt,夹断电压Vp。极限参数:最大漏极电流Idm,最大耗散功率Pdm 24、MOSFET三种放大电路:共源极放大电路(共射极),共漏极放大电路(共集电极),共栅极放大电路(共基极) 25、差分式放大电路:差模信号:两输入信号之差。共模信号:两输入信号之和除以2。由此:用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型:任意一个输入信号=共模信号±差模信号/2 26、差分式放大电路只放大差模信号,抑制共模信号。利用这个特性,可以很好的抑制温度等外界因素的变化对电路性能的影响。具体的性能指标:共模抑制比Kcmr 27、集成运放的温度漂移是漂移的主要来源 28、集成运放的参数:最大输出电流,最大输出电压 29、VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压 30、放大电路的干扰:1、将电源远离放大电路2、输入级屏蔽3、直流电源电压波动(采用稳压电源,输入和输出加上滤波电容) 31、负反馈放大电路的四种组态:电压串联负反馈(稳定输出电压),电压并联负反馈,电流串联负反馈(稳定输出电流),电流并联负反馈 32、电压、电流反馈判定方法:输出短路法,设RL=0,如果反馈信号不存在,为电压反馈,反之,则为电流反馈。 33、串联、并联反馈的判定方法:反馈信号与输入信号的求和方式,若为电压形式,则为串联反馈,若为电流形式,则为并联反馈 34、功率放大电路的类别:甲类(全部)、甲乙类(50%以上)、乙类(50%)(按照输入信号在整个周期流经器件大于0的百分比) 35、RC振荡电路适用于低频,LC振荡电路适用于高频电路 36、电压比较器,时滞比较器,集成电压比较器,方波产生电路,锯齿波产生电路 37、直流稳压电源:电源变压器à整流电路à滤波电路à稳压电路 38、滤波电路:利用电抗元件的储能作用,可以起到很好的滤波作用。电感(串联,大功率)和电容(并联,小功率)均可以起到平波的作用。 39、开关稳压电源与线性电源:线性电源,效率低、发热强、但是输出很稳定。开关电源,效率高、发热一般、但输出纹波大,需要平波 40、开关稳压电源有降压和升压两种,降压中有续流二极管,LC滤波电路。升压中有电感,稳压二极管,电容。 来源:csdn作者:yzhajlydy
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