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新世代主流内存：DDR5的主要应用范围 从高端服务器、消费者级PC乃至于物联网设备，DDR5内存的应用范围正持续不断地向外扩散，其成长显著的发展潜力和市场吸引力令人难以忽视。显而易见的是，随着技术的进步和研发成本的降低，DDR5势必将在未来几年内逐渐取代DDR4，成为新的主流内存标准。 DDR5的主要应用范围说明如下： ■ 高性能计算和服务器市场 高性能计算(HPC)和服务器领域对于更快的内存速度和更大的带宽需求非常敏感，因此DDR5的推出为这些应用带来了明显的性能提升。 ■ 数据中心和云计算 随着需要处理大量数据和多任务操作的数据中心和云计算服务的应用需求不断增加，具备高速、高效能与耐久性等优势的DDR5便成为提升整体系统性能的理想选择。 ■ 消费者级PC市场 当DDR5内存的市场价格逐渐趋向合理，便代表DDR5开始踏入消费者级PC市场。随着新一代CPU和主板已可开始支持DDR5，这也意味着DDR5将逐渐取代目前主流的DDR4内存。 ■ 物联网(IoT)和边缘计算 随着物联网设备和边缘计算的普及，DDR5内存的高效能和低功耗特性自然成为这些应用的第一首选。其主要原因是，这些场景中的设备皆需要快速的数据处理能力和较低的能耗，而DDR5能够有效地满足这些需求。 导入过程中面临的挑战 虽然DDR5拥有十足的技术潜力与性能优势，但在采用和应用过程中，仍然有一些潜在风险与挑战尚待厂商克服，而其中的技术验证和兼容性问题更是许多导入者的心腹大患。 以百佳泰近期合作的实际个案为例，该客户是一家消费性PC制造商。为满足市场对高性能的要求，他们在新产品中导入了DDR5内存。然而，他们在开发前期的验证中却遭遇到了诸多问题，以致于无法有效定位问题原因。 制造商在经过各种努力后，却始终无法找到根本原因。为有效改善此问题，需要专业技术咨询协助他们解决难题。 DDR5导入过程中，主要面临以下挑战： ■ 无法有效定位问题原因 在验证过程中遇到了多种问题，包括系统不稳定、崩溃、内存错误等。然而，他们无法有效定位问题的根本原因，这导致了大量的时间和资源浪费。 ■ 缺乏完整的验证设备与环境 验证设备环境并不完整，由于缺乏一些必要的测试设备。这使得他们无法针对DDR5系统进行全面性的测试，也进而增加发现问题的难度。 ■ 欠缺DDR5导入设计经验 缺乏DDR5导入方面的设计经验，这导致他们在设计过程中遇到了许多问题。 面对DDR5导入过程中遇到的难题借助专业系统的测试检验方案，如： 准确的问题分析与定位，全面的DDR5讯号检验 ，严谨的设计审查 等，便可突破产品升级的瓶颈。

2023年1月7日，在社区上发表了《半导体存储器的价格机制》，而后在国际电子商情发表了《半导体存储器之金融属性》。 3月23日，在CFM年度峰会上，作为神州数码的代表方，也跟铠侠的CTO Masaki Momodomi 和中国区总裁 冈本成之做了交流和沟通。 经历了大约一年时间，目前整个半导体存储产品依然处于低谷期，仍然没有快速回暖的迹象，虽然原厂，代理和分销商无数个公开场合 表示Q3Q4会有大概率的上升，但是针对当前的中国经济乃至全球经济，确实存在较大的变数。 从三星坚持不减产，到开始减产； 镁光减产延长到2024； 西数和铠侠的合并重组加快了速度； 而长江存储和长鑫科技遭遇了来自欧美和日本更加严苛的制裁； DELL 和其他美系厂商更是表示需要拒绝来自中国环节的原物料产品； 我依然相信，存储产品的金融属性在高峰和低谷发表着作用，刺激着利益链条的人发挥作用。 依据马克思的政治经济学原理，价格的基础是价值，而价值是凝结在人类身上无差别的人类劳动，价值的大小取决于社会必要劳动时间。价值的体现则取决于商品的可交换价值，也就是传统理论上的价格。商品的可交换属性，可流通属性和可变现属性则决定了商品的金融属性大小，也就是价值的可交换性大小范围决定了商品的金融价值大小。 商业的本质是交换（Trade），交换的属性的大小范围决定了商业价值实现的快慢和大小，也就是实现利益的变现的可能性。金融属性的本质上是流通能力、交换能力和变现能力的大小。 半导体器件为什么会存在金融属性？尤其是半导体存储器的金融属性展现得淋漓尽致，不断有买家买进，卖家卖出；有商家囤货炒货，有买家接盘接单；有人高峰巨额盈利，有人低谷关门大吉。我分析有以下几个缘由： 半导体存储器的下游流通性强大，半导体存储横跨了电气时代和数字时代，可以应用在大部分消费电子，大部分的企业ICT产品，电动汽车行业，工业和航空航天等大量领域。相对逻辑IC，半导体存储器是一个标准IC，通用性和流通性远远大于一般器件，因此存储芯片是半导体市场最大单一品类，长期占比1/4到1/3的半导体市场。流通决定着可变现，可变现可交换决定着金融属性大小。 强大的操盘龙头——韩国三星电子。韩国三星是典型东亚财阀，其骨子里的垄断基因影响了其商业手段的独特性，就是通过强大的资金实力为后盾，通过技术垄断和低价竞争打垮竞争对手，构筑核心竞争优势，获取高额利润。2008到2012年，三星电子通过低价和逆势扩产，成功重创中国台湾和日本的DRAM和面板行业，让尔必达、奇梦达、力晶、茂德昙花一现；面板五虎最终剩下两家。而存储器价格波峰波谷除去需求缘由，而三星的操盘和策略成功的支撑了这个巨大的市场的“过山车”属性，高风险高回报让更多的上下游从业人员愿意参与其中，促进了市场的高速流通性，也就是金融属性。 之所以HDD没有如此明显的金融属性，是因为希捷西数和东芝都无力全面控盘和半垄断，而且其企业文化和基因也未有如此的垄断基因。 还有一个巨大的原因，就是中国厂商在半导体存储器市场中相对不具优势。商品的可变现的能力，除去商品应用的通用性，还有商品的稀缺性和供需关系。改革开放初期，电信业的程控交换机，中国各级电信部门“送特产”“走后门”抢着购买阿朗、爱立信和西门子的设备；而中国厂商崛起以后，市场垄断格局一旦被打破，程控交换机不具备类似的快速流通和盈利的能力，电信设备价格一路下行。同理可证，面板产业价格一路下滑，当下再也没有向上波动的支撑，因为LCD面板在中国厂商的冲击下，韩国三星无法垄断市场和全面控盘，产品的供需关系和稀缺性基本散失，三星于是退出低利润的LCD面板，继续巨额资金投入先进的OLED、FLASH、DRAM和先进制程的半导体代工领域，同时瞄准车规IC龙头NXP，继续通过技术垄断和资金壁垒获取高额利润。 依此类推，如果大量的产能冲击存储市场，整个市场产能整体过剩，存储市场必然洗牌，存储产品也会失去炒作的利润和空间，逐渐失去金融属性，不过前提是中国企业得自主起来、赢得技术和市场。 存储IC的价值链条很长也很庞大，是半导体类别中链条和渠道最为庞大和复杂的，任何一环都有影响存储价格的可能。 原厂颗粒（FLASH、DRAM），原厂模组(SSD等)； 非原厂（市场主流）模组； 原厂代理； 非原厂代理； 现货商（资金备货）； 炒货商（交换信息转卖）； 庞大的客户终端群体 七个链条中任何一方“蓄水”都会加重行业的库存和需求，原厂的调控很难快速有效调整市场，容易出现心有余而力不足。 链条的复杂加速了信息不对称，为炒货和贸易提供了风险基础，也为存储的繁荣提供了无限可能和想象空间。市场上跟存储最接近的是服务器和PC 的CPU，但是Intel 在华尔街的掌控下，起伏波动基本是是Intel掌控，若CPU掉价太厉害，Intel高管估计被华尔街的金融家“安排下课”，典型的美系风格，而非三星的低价血洗市场，不断洗掉竞争对手的方案。GPU从流通性看也类似，但是英伟达的GPU市场远远小于存储市场，GPU流通范围和市场要小很多。而且GPU的单价太高，风险太高，玩家要小很多。 通过以上的角度，基本上可以分析半导体产业链中的各种分工合作，囤货炒货和控盘操盘和崩盘。 英伟达GPU是半导体市场的最大的硬通货，因为商品应用的范围和市场巨大，同样其流通的时间也非一般的IC可以企及的。但是流通性强导致的结果是食肉者会更多，觊觎者多，导致市场竞争激烈，常规利润会很低。 而其他品类的IC，都会有既定的市场逻辑，比如原厂授权有一定资金实力，代理商有技术实力和渠道能力，终端厂商提前下需求给代理进行备货；各级市场参与者按部就班，各取自己的合理利润，似乎这才是半导体产业链。 最合理最合规的价值链逻辑，不过是很多工程师和下游从业人员的共同愿望，是产业链大多数按部就班打工人的逻辑，而Boss和Trader绝对不希望整个市场是如此的风平浪静和波澜不惊，因为这样的市场缺乏刺激和风险变得毫无投资价值，人生都会失去挑战意义。 因为只有IC缺货，市场上出现的原厂和代理的关键人员控货，炒货才会产生巨大的利润空间；而现货商只有在信息量更大的时候囤货控货，才可以获得客户更大的利润。任何一个华强北的贸易商都不会只甘于半导体市场的波澜不惊的从代理拿货转手终端，这样太难熬了，也只有在缺货的时候低买高卖才可以产生更多的财富故事。我有理由相信“食物链”的上层均乐见缺货，因为他们都知道缺货有可能带来暴增的财富，而后期的价格跳水都是需求下滑、供过于求的结果。 如果您是Soucing，如何面对市场的波动和供应商的千变万化的供给策略？ 首先，始终要相信只有市场有波动才会体现采购的能力和价值，否则就按照供应商的价格买进就完事了，都无需思考和承担风险；当然，采购专家和供应链专家也不是市场的“算命先生”，难以完全精准地预测市场价格和供给需求，只是必须时提供有效的手段去对冲供应风险和成本风险。 而今，大家都看到了互联网、OEM大厂的财报上堆积了大量的库存，中国科技大厂的供应链水平高不高？难以评价，都是最好的人才和专家，只是大企业经验沉淀以后容易僵化，大部分执行者和高层是不愿意去破旧革新常规机制，小打小闹地去纠正，还有自以为是地认同历史经验，很难不断革新自己的供应链模式。当然没有最好的，只有最合适的供应策略和方案，而优秀的供应链专家不是试图去做“神算子”，不是让所有部门和领导都认可，而是应该“先知先觉”，供应和成本压力由你来背。 其次，需要判断供应商在合作中所需要承担的角色和获利益方式，并非所有的供应商都可以共同进退，也非所有供应商愿意承担供应风险，如果市场给予了参与者更多的利益和选择空间，也需要给企业本身更多的合作方式和风险控制，构建多元化和多层次的供应体系。 我从大厂到小厂，然后再到新进大厂，看到了不同类型厂商的供应管理方式优点和弊端都是很明显，过于保守封闭的供应体系容易导致企业供应体系僵化和库存成本高企，在这个体系的认知里面，没有太多灵活的供应弹性和要求，习惯了“阵地战”的军团作战是不太适应“游击战”的战术方式，所有认知体系都会沉溺在历史和规范。而过于开放的小厂容易导致产品质量和售后问题高企，而且供应商体系混乱，企业的专业性形象和商誉受到影响。一定要平衡好采购合规和原则和灵活性之间关系，走向任何极端都会伤害企业利益，也许保险起见最终是妥协的结果。 再次，需要明确客户和供应商的责任和利益所在，合同虽然大部分时候可以保障双方利益，但是特殊供给的情形下，一定要合理的考虑好双方的利益所在，否则吃亏的一定是自己，虽然我们倡导诚信经营，但巨额利益会冲垮任何人性和法律的条款约束。 最后，合理地运用手里的资源，买卖应该是采购的趋势，单一的采购经验很可能已经不适应当下的产业发展需要。Buyer需要向原厂学习产品和技术趋势，需要向代理学习渠道分货方式和合作机制，需要向贸易商和现货商了解价格走向，需要向所有人了解市场的供给特点和经验，不断去思考总结，而非单向度的自我满足，沉溺在大厂固有的陈旧的经验和光环，固步自封，停滞不前，虽然任何企业都有企业文化和基因沉淀，但任何经验文化需要转化为适合自己的认知和方法论，而非简单地照本宣科和刻舟求剑。

NAND FLASH,DRAM,FLASH,EEROM,SRAM等存储颗粒;内存条，SSD，CF卡，U盘等存储组件模块；HDD存储组件;外置存储设备，NAS存储设备等等都可以统称为存储。 各类存储介质的产品都是存在或强或弱的关系： NAND FLASH 下游产品是SSD为主； DRAM 的下游产品是内存条为主； SSD可以部分场景替代HDD,HDD也可以在部分场景替代SSD； NAS，外置存储设备里面大量使用到HDD或者SSD； 从供应链，价值链和产业链角度思考，各类介质之间都会存在价格关联，只是价格强弱关系而已。 以上从宏观上思考存储器的价格影响和关联关系，考虑篇幅和理解程度，下面主要是分析存储颗粒和存储组件的价格形成，不断完善对存储采购策略的思考。 一、 存储颗粒价格 存储颗粒的价格在国际上是非常透明的，各类半导体现货和研究媒体都会每天刷新半导体颗粒的期货价格，也会有平台发布颗粒的现货交易价格。 DRAM会区分颗粒的技术层级：DD3/DDR4/DDR5； Flash会区分颗粒的类别：TLC/MLC/SLC； 也会区分颗粒的容量 8G/16G/32G/64G； 同时也区分GDDR/LPDDR不同应用的价格； 从供应链的角度来看，存储颗粒原厂是美日韩大厂主宰。 DRAM三大原厂： 三星长期在40%以上，海力士在30%下徘徊，镁光在20%上徘徊，三大原厂占据了90%+市场，台系和大陆的产能长期在个位数，颗粒应用产品也低端和边缘。 FLASH 五大原厂： 三星占比在30-35%徘徊，海力士和Solidam合并20%以上；西数占比也在20%左右，镁光占比在10%-15%，国产等占比基本可以忽略。 价格类别主要是下面两种： 合约价： Contract Price，大客户，价格按照协议合约走，定期议价，不受期间价格波动影响，占比约90%； 现货价： Spot Price，反应当前市场供需情况，价格波动比合约价更剧烈，占比约10%； 影响存储颗粒价格因素： 1. 下游需求波动的比如SSD,内存条的需求，而SSD和内存条目前主要的需求来源于数据中心/计算机，通信，汽车，消费电子（手机，PC）。 当消费电子-手机，PC；数据中心产品-服务器，外部存储，交换机等疲软的时候，会严重影响到上游的颗粒价格系数。同样，当需求旺盛的时候，颗粒的价格会出现上扬。 2. 产能和资本支出：存储大厂每年都会有年度的资本支出计划和产能计划，而且存在一定的时间周期，当需求过剩的时候，原厂减产和减少支出都是需要一定的时间周期，在周期范围内，颗粒的价格都会收到过剩和不足的影响。 3. 价格操纵和垄断：三星和海力士等韩系厂商会依据在市场上主导地位，利用产能优势进行价格垄断和操纵，美国和欧盟曾对其进行过惩罚性处理，中国厂商目前处于产业链下游，基本上容易成为价格操纵的牺牲方。 二、存储模组的价格 模组产品：内存条/SSD的集中程度远不如颗粒，参与的厂家和玩家非常的多。 尤其是在消费类的存储模组上，中国台湾和中国大陆出现了非常多的参与者； 而在企业级的存储玩家上，还是集中在颗粒原厂关联厂商为主。国产的主要是紫光，长存，兆易创新为主要参与者，不过存在感比较低。 内存条原厂之外玩家：金士顿，记忆，创见等 SSD原厂之外玩家：记忆，忆恒，大普微，江波龙，国科微等等 影响模组产品供应的因素要复杂得多。 1. 宏观供需关系：当企业客户比如互联网和云计算客户阿里腾讯华为云谷歌亚马逊微软META等削减硬件采购开支，导致需求大幅下滑，会影响到内存条，SSD的价格；当手机和PC需求出现明显疲软的时候，SSD和LPDDR也会出现价格下滑。 2. 微观的供需关系：模组产品的供应商种类和数量要远远超过颗粒厂商。 模组供应玩家种类复杂。 1. 不仅仅有颗粒原厂，比如三星海力士西数铠侠等等； 2. 还有下游的中国大陆和中国台湾厂商，比如金士顿，创见，记忆；SSD厂家就更多比如江波龙，大普微，得瑞，国科微，忆恒创源等等等； 3. 同时制造厂商之外还有各个区域的代理商，中国市场上会出现中国大陆，东南亚神州北美代理供应货物； 4. 现货商：是资金相对雄厚贸易商会利用关系向全球代理商，OEM去采购货物进行交易。 5. 炒货商：是资金实力一般，但是信息相对畅通的厂家，利用代理资源，OEM资源和原厂的关系，接单后寻货的厂家。 6. OEM:华为，阿里，浪潮，超巨变，富士康等因为合约采购的数量出现剩余，会通过关联贸易商和关系厂商将货物进行兜售。 因为供给的多元化，导致供需关系的变化会跟宏观的供需关系在特定时间和特定场景出现跟宏观供需不一致的情况，而这样会导致现货市场价格的变化会难以形成固定的规律性。 从采购方的角度来看，当物料供应剩余的大趋势下，在多元化的供应方出现时候，通过询比价，可以取得不错的价格博弈收益，无论是紧急采购和常规采购，都会有较大的收益。 而当供不应求的时候，采购方更多的需要稳定的供应源来稳定整体的供应成本，在这个阶段，代理商和代理商关联紧密的现货商才可以确保稳定的供应源。 在现货市场摸牌滚打的sales人员都会对市场，价格形成固定的信息传递机制，都会有自有的信息和资源圈，但是每个人每个供应商都只会对熟悉的范围得到对应的信息机制和资源机制，而因为背景，出身和个性的差异，都会出现不同的判断结果。 采购方对于市场信息的判断应该是更加多元和全面的，而非单一来源和同一来源，如果采购需求过度集中于短期，供给信息和反馈机制更多的是来自现货市场，可调整的空间和余地太小，只能是经验性的从传统供应方去询比价获得价格红利。如果要破除紧急需求带来的价格失衡，最关键还是需要需求计划和市场计划上形成一定的主要的主流物料需求基线，通过代理和代理强关联厂商来形成供应的平衡。 而如果采购方是OEM大厂和ODM大厂，储备计划和安全库存计划跟市场预测的模型搭建是非常关键的因素，从欧美供应链的相关教程反馈出来的信息，中国国内企业在供应链的管理水平，尤其是需求预测管理和供应风险对冲上处于比较低的水平，虽然华为联想等在多年管理实践有一定突破，而大部分企业，在中国现有的产业生态下，容易出现契约精神缺失的环境下，导致供应链的管理难度人为被加大。市场需求和SOP最终还是有利于环节采购风险，但也很难做到一药解百病的效果。 市场上很多存储销售资深人士，也有很多现货炒货高手，我们有理由相信他们在熟悉的市场环境，客户，供应商和朋友圈可以形成固有的能力和强项，而这些对于采购方来说并非是绝对信任和依靠的，采购必须要对更多元更全面的供应来源来形成自己固有的判断和采购意识，才会更好的进行采购决策和行为。

8月26日消息，据华尔街日报，西部数据（Western Digital）在与日本存储芯片厂商铠侠（Kioxia）就可能的并购事宜进行深入谈判，交易规模可能超过200亿美元。 过去几周，两家公司之间的长期讨论升温，或最早可能在 9 月中旬达成协议。知情人士称，西部数据将用股票支付这笔交易的费用，合并后的公司可能由其首席执行官大卫·戈克勒 (David Goeckeler) 经营。 西部数据周三收盘后的盘中市值为200.7亿美元。该公司拥有33.7亿美元现金，但仍需支付约87.3亿美元的债务。 早在4月份，曾有报导称美光和西部数据均有意向并购铠侠，以期提高其3D NAND 产能及全球市占。但据消息透露，到目前为止，美光已经对收购铠侠失去了兴趣，这使得西部数据成为唯一对铠侠感兴趣的3D NAND制造商。 铠侠生产的内存用于数据中心、智能手机等存储数据的设备。通过并购，西部数据能获得包括知识产权和设备在内一系列闪存制造资产，这对西部数据来说很有价值。 铠侠和西部数据两家公司有着长达二十年的合作关系，目前共同运营位于日本两个地区的 3D NAND Fab工厂。据闪存市场ChinaFlashMarket数据，这两家公司在2021年第二季度NAND Flash合计市占达33.4%，仅落后三星0.1%。 事实上，合并后的公司将成为全球最大的存储设备供应商，将拥有大量客户、庞大的知识产权和专利组合、领先的 3D NAND 生产能力、硬盘制造、多个 SSD 设计团队，甚至还有一批为高级存储设备开发 RISC-V CPU 内核的工程师。 目前西部数据和铠侠通过一家合资公司合作，若完成并购，铠侠就将把公司的控制权交给西部数据，合资公司的资本费用将并入西部数据的报表。 Baird的分析师Tristan Gerra认为，并购将让西部数据更紧密地控制闪存的供应。如果能控制铠侠的生产，西部数据就可以更好地调节产出，有了更大的灵活性，减少因内存阶段性地生产过多或者过少而受到的损失。 不过需要指出的是，建立一家将控制超过全球三分之一的 NAND 闪存供应的公司，将不可避免地面临反垄断监管机构的严格审查，并购还需要政府监管机构开绿灯，除了铠侠所在地日本，中国和美国的监管方都可能影响交易前景。有媒体提到，西部数据的交易正逢中国加大反垄断力度时。 铠侠去年搁置了2020年日本规模最大的首次公开募股计划。据外媒6月时的报导，铠侠计划最早在今年九月进行IPO。如果铠侠未能与西部数据达成协议，仍然将启动IPO计划。 西部数据和铠侠都未置评以上消息。 新智能手机型号的发布和 5G 扩张推动了内存芯片制造商的强劲需求。如果西部数据和 Kioxia 结盟，由五家公司主导的 NAND存储器市场将进一步整合。 值得一提的是，铠侠的前身是东芝存储器，2018 年被东芝公司以 180 亿美元的价格出售给由美国私募股权公司贝恩资本牵头的财团。根据东芝 2020 年年报，东芝仍持有铠侠约 40.6% 的股份。

原创声明 作者：曾威华 Wing Tseng 在开始介绍 DDR 之前，首先要了解内存的功用为何。大多数的 3C 产品在运作时，会将正在使用的程式存放到一个短期数据储存区，该空间即为内存，所以有了内存的运用能使 3C 产品更快速的切换程序以方便使用。 内存的历史 图一为内存的种类及发展史： 图一：内存的种类及发展史 内存(Memory)又可分为 DRAM(Dynamic Random Access Memory)动态随机存取内存和 SRAM (Static Random Access Memory)静态随机存取内存两种。两种都是挥发性的内存，SRAM 的主要使用 flip-flop 正反器，通常用于快取 (Cache)，而 DRAM 则是使用电容器及晶体管组成。RDRAM (Rambus DRAM)因较为少见也非本篇文章主角，其他还有早期的 FP RAM、EDO RAM 也就不多作介绍。 DRAM 中又以 SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取内存在近几年来最广为使用，SDRAM 最重要的就是能够“同步”内存与处理器(CPU)的频率，让 SDRAM 频率可超过 100MHz 使传输数据更能实时到位。SDRAM 亦可称为 SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)。 DDR(Double Data Rate)其实指的是 DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)，SDRAM 及 DDR 主要差异有三点整理如下： 目前负责订定 DDR 规范的协会为 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)，但现在它的全名则是 JEDEC 固态技术协会(JEDEC Solid State Technology Association)。 DDR 历代规格介绍 有了内存的认识之后，这边将历代 DRAM 的规格整理如下： 历代演进除了传输速率越来越快还有工作电压越来越低，内存Topology在DDR2之前Command/Address和Clock用T-Branch分支方式传给每一个内存颗粒，但在DDR3之后 Command/Address和Clock则改用 Fly-by串列给每一个内存颗粒。 另外内存链接形式在 DDR3 之前采用处理器(CPU)同时与多个内存芯片控制器链接的“多重分支”，但在DDR4 之后每个内存芯片控制器有单独与 CPU 链接的通道，即为“点对点”的连结形式。 DDR 主要讯号介绍 DDR 的讯号类型主要分为以下五种如下： Note: 读取(Read)时，DQ 和 DQS 为同相位。写入(Write)时，DQ 和 DQS 会有 90 度的相位差。 DDR 种类 目前 DDR 种类大致分为以下三种： 最后将 DDR 与 LPDDR 历代工作电压值整理： 参考文献： Low Power Double Data Rate SDRAMStandard(LPDDR), JESD209B, February 2009 Low Power Double Data Rate 2(LPDDR2),JESD209-2F, April 2011 DDR3 SDRAM Standard, JESD79-3F, July2010 Low Power Double Data Rate 3(LPDDR3),JESD209-3C, August 2013 DDR4 SDRAM, JESD79-4, September 2012 Low Power Double Data Rate 4(LPDDR4),JESD209-4B, November 2015 Low Power Double Data Rate 5(LPDDR5),JESD209-5, February 2019 本文件中规格特性及其说明若有修改恕不另行通知。