tag 标签: 感应加热

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  • 2014-8-19 15:02
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    感应电磁炉制造商投入大量的精力,期望提高最大功率并缩短烹饪时间,同时实现高系统效率以满足苛刻的能源之星标准。 这些趋势对选择合适的 IGBT 提出了新要求, IGBT 是感应加热系统中的关键功率半导体器件。考虑到电磁炉具有较长的使用寿命(可能长达 10-15 年之久),采用合适的 IGBT 能够提供低功率损耗以实现高效率,同时具备高可靠性以便电磁炉在寿命期内正常工作。 根据系统要求, 650V 场截止 (FS) 沟道 IGBT (比如 FGH40T65SHDF )非常适合感应电磁炉和采用变频技术的微波炉中的软开关应用。相比之前的 600V 场截止平面型 IGBT 技术, 650V FS 沟槽型 IGBT 技术具有较低的导通损耗,因为后者的 Vce(sat) 特性比前者低 24% (图 1 )。其击穿电压高出 50V ,能够提供更多系统设计裕量和可靠性优势。 图 1. 600V FS平面IGBT与 650V场截止沟槽型IGBT Vce(sat)的比较 (Ic=40A, Tc=25C, Rg=6ohm, Vge=15V) (a) 新的650V场截止沟槽型IGBT (b) 600V场截止平面型IGBT 图 2. Eoff特性比较(输入功率: 3KW条件) 最后,相比上一代 600V 场截止平面型 IGBT ,新的 650V FS 沟槽型 IGBT 还具有更低的 Eoff 或尾部损失(图 2 )。 图 3 显示 IH 电磁炉设置条件下的损耗汇总与比较; Fsw=25kHz ,(输出功率) Pout : 2.5KW 。 新的 650V 场截止沟槽型 IGBT 可将整体损耗降低超过 17% 。 图 3. 新的650V场截止沟槽型IGBT和600V场截止平面型IGBT的损耗比较分析总结 在为软开关应用(比如感应电磁炉和采用变频技术的微波炉)寻求高能效、高度可靠的 IGBT 产品时,设计工程师应当考虑使用新的 650V 场截止沟槽型 IGBT 。新的场截止沟槽型 IGBT 技术可实现开关和导通损耗之间的最优平衡。 相关链接: 有关650 V、40 A场截止沟槽型IGBT的详细信息,请查看: http://www.fairchildsemi.com.cn/pf/FG/FGH40T65SHDF.html 查看感应加热产品登录页面: http://www.fairchildsemi.com.cn/applications/consumer/induction-heating/
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    时间: 2019-5-26 08:34
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    上传者: royalark_912907664
    本文在对500kWIGBT并联谐振感应加热电源所采用的并联型逆变器过流、过压保护电路,过流、过压检测原理进行分析的基础上,给出了逆变器过流、过压保护控制流程,在过压保护电路中设计加入了箝位电路。通过对保护系统模块比较完整的仿真建模和分析,研制了500kWIGBT并联型感应加热电源,验证了所设计保护电路、控制方法的正确性和有效性。
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