原创 新650V场截止IGBT为感应加热应用带来更高的效率和可靠性

感应电磁炉制造商投入大量的精力，期望提高最大功率并缩短烹饪时间，同时实现高系统效率以满足苛刻的能源之星标准。

这些趋势对选择合适的IGBT提出了新要求，IGBT是感应加热系统中的关键功率半导体器件。考虑到电磁炉具有较长的使用寿命（可能长达10-15年之久），采用合适的IGBT能够提供低功率损耗以实现高效率，同时具备高可靠性以便电磁炉在寿命期内正常工作。

根据系统要求，650V场截止(FS)沟道IGBT（比如FGH40T65SHDF）非常适合感应电磁炉和采用变频技术的微波炉中的软开关应用。相比之前的600V场截止平面型IGBT技术，650V FS沟槽型IGBT技术具有较低的导通损耗，因为后者的Vce(sat)特性比前者低24%（图1）。其击穿电压高出50V，能够提供更多系统设计裕量和可靠性优势。

图1. 600V FS平面IGBT与 650V场截止沟槽型IGBT Vce(sat)的比较

(Ic=40A, Tc=25C, Rg=6ohm, Vge=15V)

(a) 新的650V场截止沟槽型IGBT (b) 600V场截止平面型IGBT

图2. Eoff特性比较（输入功率： 3KW条件）

最后，相比上一代600V场截止平面型IGBT，新的650V FS沟槽型IGBT还具有更低的Eoff或尾部损失（图2）。

图3显示IH电磁炉设置条件下的损耗汇总与比较；Fsw=25kHz，（输出功率）Pout： 2.5KW。

新的650V场截止沟槽型IGBT可将整体损耗降低超过17%。

图 3. 新的650V场截止沟槽型IGBT和600V场截止平面型IGBT的损耗比较分析总结

在为软开关应用（比如感应电磁炉和采用变频技术的微波炉）寻求高能效、高度可靠的IGBT产品时，设计工程师应当考虑使用新的650V场截止沟槽型IGBT。新的场截止沟槽型IGBT技术可实现开关和导通损耗之间的最优平衡。

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有关650 V、40 A场截止沟槽型IGBT的详细信息，请查看：
http://www.fairchildsemi.com.cn/pf/FG/FGH40T65SHDF.html

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