标签: igbt损耗

感应电磁炉制造商投入大量的精力，期望提高最大功率并缩短烹饪时间，同时实现高系统效率以满足苛刻的能源之星标准。 这些趋势对选择合适的 IGBT 提出了新要求， IGBT 是感应加热系统中的关键功率半导体器件。考虑到电磁炉具有较长的使用寿命（可能长达 10-15 年之久），采用合适的 IGBT 能够提供低功率损耗以实现高效率，同时具备高可靠性以便电磁炉在寿命期内正常工作。 根据系统要求， 650V 场截止 (FS) 沟道 IGBT （比如 FGH40T65SHDF ）非常适合感应电磁炉和采用变频技术的微波炉中的软开关应用。相比之前的 600V 场截止平面型 IGBT 技术， 650V FS 沟槽型 IGBT 技术具有较低的导通损耗，因为后者的 Vce(sat) 特性比前者低 24% （图 1 ）。其击穿电压高出 50V ，能够提供更多系统设计裕量和可靠性优势。 图 1. 600V FS平面IGBT与 650V场截止沟槽型IGBT Vce(sat)的比较 (Ic=40A, Tc=25C, Rg=6ohm, Vge=15V) (a) 新的650V场截止沟槽型IGBT (b) 600V场截止平面型IGBT 图 2. Eoff特性比较（输入功率： 3KW条件） 最后，相比上一代 600V 场截止平面型 IGBT ，新的 650V FS 沟槽型 IGBT 还具有更低的 Eoff 或尾部损失（图 2 ）。 图 3 显示 IH 电磁炉设置条件下的损耗汇总与比较； Fsw=25kHz ，（输出功率） Pout ： 2.5KW 。 新的 650V 场截止沟槽型 IGBT 可将整体损耗降低超过 17% 。 图 3. 新的650V场截止沟槽型IGBT和600V场截止平面型IGBT的损耗比较分析总结 在为软开关应用（比如感应电磁炉和采用变频技术的微波炉）寻求高能效、高度可靠的 IGBT 产品时，设计工程师应当考虑使用新的 650V 场截止沟槽型 IGBT 。新的场截止沟槽型 IGBT 技术可实现开关和导通损耗之间的最优平衡。 相关链接： 有关650 V、40 A场截止沟槽型IGBT的详细信息，请查看： http://www.fairchildsemi.com.cn/pf/FG/FGH40T65SHDF.html 查看感应加热产品登录页面： http://www.fairchildsemi.com.cn/applications/consumer/induction-heating/