标签: sram读写实验

1. SRAM 读写实验 实验目的：对 SRAM 的每一个地址进行遍历读写操作，然后比对读写前后的数据是否正确，最后通过一个 LED 灯的亮灭进行指示。 Ps ：中英文对照 SRAM 电路图： 由图可知：芯片使能信号 CE 和输出使能信号 OE 已经拉低，故只需控制写使能信号 WE 便可操作，简化了代码。   SRAM 读时序： Ps ： =70ns SRAM 写时序： Ps ： =70ns 具体操作是这样的，要 写数据 时，比较高效率的操作是送数据和地址，同时把 WEn 拉低，然后延时 时间再把 WEn 拉高，这时就把数据写入了相应地址了。 读数据 时，只要把需要读出的地址放到 SRAM 的地址总线上，然后延时 时间后就可以读出数据了。 读时序和写时序时用到 两段式状态机 ，有两个寄存器，把时序逻辑和组合逻辑分开写。 数据总线 为 inout ，由 sdlink 控制数据的读出和写入， sdlink =1 时，进入写状态； sdlink =0 时，进入读状态。