原创 SRAM读写实验--读书笔记

1.SRAM读写实验

实验目的：对SRAM的每一个地址进行遍历读写操作，然后比对读写前后的数据是否正确，最后通过一个LED灯的亮灭进行指示。

Ps：中英文对照

SRAM电路图：

由图可知：芯片使能信号CE和输出使能信号OE已经拉低，故只需控制写使能信号WE便可操作，简化了代码。

SRAM读时序：

Ps：>=70ns

SRAM写时序：

Ps：>=70ns

具体操作是这样的，要写数据时，比较高效率的操作是送数据和地址，同时把WEn拉低，然后延时时间再把WEn拉高，这时就把数据写入了相应地址了。读数据时，只要把需要读出的地址放到SRAM的地址总线上，然后延时时间后就可以读出数据了。

读时序和写时序时用到两段式状态机，有两个寄存器，把时序逻辑和组合逻辑分开写。

数据总线为inout，由sdlink控制数据的读出和写入，sdlink =1时，进入写状态；sdlink =0时，进入读状态。