标签: mos管主要参数

  MOS管主要参数： http://www.elecfans.com/article/88/131/sz/2009/2009040645141.html 1.开启电压V T 　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； 　　·标准的N沟道MOS管，V T 约为3～6V； 　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的V T 值降到2～3V。 2. 直流输入电阻R GS 　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 　　·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 　　·MOS管的R GS 可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BV DS 　　·在V GS =0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使I D 开始剧增时的V DS 称为漏源击穿电压BV DS 　　·I D 剧增的原因有下列两个方面： 　　（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 　　（2）漏源极间的穿通击穿 　　·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加V DS 会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后 ，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的I D 4. 栅源击穿电压BV GS 　　·在增加栅源电压过程中，使栅极电流I G 由零开始剧增时的V GS ，称为栅源击穿电压BV GS 。 5. 低频跨导g m 　　·在V DS 为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 　　·g m 反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 　　·是表征MOS管放大能力的一个重要参数 　　·一般在十分之几至几mA/V的范围内 6. 导通电阻R ON 　　·导通电阻R ON 说明了V DS 对I D 的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 　　·在饱和区，I D 几乎不随V DS 改变，R ON 的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间 　　·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在V DS =0的状态下，所以这时的导通电阻R ON 可用原点的R ON 来近似 　　·对一般的MOS管而言，R ON 的数值在几百欧以内 7. 极间电容 　　·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容C GS  、栅漏电容C GD 和漏源电容CDS 　　·C GS 和C GD 约为1～3pF 　　·C DS 约在0.1～1pF之间 8. 低频噪声系数NF 　　·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的 　　·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输　　　出端也出现不规则的电压或电流变化 　　·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB） 　　·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小 　　·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数 　　·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小