MOS管的导通电阻和什么相关？
关于这个问题，相信大多数同好首先想到的就是Vgs驱动电压。
但是MOS管的导通电阻不仅仅和Vgs驱动电压有关，Rdson还与Id电流相关。
首先打开数据手册，以BSS138为例，可以看到在手册中有关于Rdson的参数描写，在Vgs驱动电压为10V的时候，导通电阻MAX为3.5Ω@10V（手册中的@的意思是at）然后驱动电压要是小一点（4.5V），导通电阻MAX为6Ω@4.5V。（测试Id电流均为0.22A）
然后再往后看，可以看到一个关于Rdson的曲线，红色框框内的参数是Vgs驱动电压，纵轴参数是导通电阻Rdson，横轴参数是Id电流，也可以看到在Vgs驱动电压不变的情况下，随着Id电流的增加，导通电阻Rdson也是在增大的，由其是在Vgs电压较低的时候，Rdson随着Id电流的变化更为陡峭。换而言之，如果Id电流不变的情况下，如果Vgs驱动电压增大，那么MOS管的Rdson也是更小的。
MOS管的Rdson越小，那么MOS的发热量也就越小，这个也是毋庸置疑的，所以说在MOS管控制大电流的场合，一定要想方设法的增大Vgs驱动电压。
那么下面的电路是不是就看懂了？就是为了让Vgs驱动电压更大，且推挽驱动可以让驱动电流更大，让MOS管导通和关断更快。
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