标签: 肖特基二极管

一、二极管基础 1、 基础知识 2、 各项参数： (1) 结电容 结电容有两种，分别是势垒电容和扩散电容。 势垒电容： PN 结两端电压变化，引起积累在中间区域的电荷数量的改变，从而呈现电容效应，这个电容就是势垒电容。 扩散电容：当有外加正向偏压时，在 PN 结两侧的少子扩散区内，都有一定的少数载流子的积累，而且它们的密度随电压而变化，形成一个附加的电容效应，称为扩散电容。 事实表明，二极管在反偏时，势垒电容起主要作用，而正偏时，扩散电容起主要作用。 (2) 反向恢复时间 (3) 最高工作频率 F ： 受反向恢复时间和结电容共同影响。 肖特基二极管由于反向回复时间极短，所以最高工作频率受结电容影响较大；而硅基二极管虽然结电容（ 一般 PDF 测试条件测得的是 势垒电容 ）比肖特基二极管小得多，但由于反向恢复时间较长，所以结电容对最高工作频率的影响相对较小 二、 二极管类型 参数 普通硅二极管 快恢复二极管 开关二极管 肖特基二极管 参考型号 1N4007 US1M 1N4148 SS14 正向导通电压 VF 1.1V@1A 1.7V@1A 1.25V@150mA 550mV@1A 平均整流电流 IF 1A 1A 150mA 1A 直流反向耐压 VR 1kV 1kV 100V 40V 反向恢复时间 TRR 长 nS 较短 75nS 短 4nS 极短 最高工作频率 F 低 较高 高 极高 反向漏电流 @25 ℃ IR 5uA 5uA 1uA 0.1mA 反向漏电流 @125 ℃ IR 50uA 100uA 50uA 5mA 结电容 15pF 15pF 2pF 100pF 价格 最低 低 低 高 三、 选型 1、 直流反向耐压 VR ------------- 硅二极管 1kV 以上大耐压 2、 平均整流电流 IF -------------10A 一下较为好选 3、 正向导通电压 VF-------------- 肖特基能做到 0.2V 以下 4、 反向漏电流 IR --------------------- 肖特基较大， mA 级别是硅管的百倍以上。与温度 也有关系，温度越高反向漏电流越大 5、 反向恢复时间 TRR-------------- 快恢复二极管、肖特基均较小 6、 最高工作频率 F --------------- 与反向恢复时间和结电容相关 本人学习笔记公众号，将在上面分享学习记录与心得： 公众号名称：硬件之路学习笔记

最近数个工作日的兴趣是回顾电子基础器件的发明/发展历史, 期待夯实技术基础的底蕴. 在学习与搜索资料的过程中, 顺便对知乎的一个同学的基础问题, 进行了回复. 不小心回复一下就成了千字文, 觉得挺有趣的也在博文留下记录叭. 1900年前后电力(电动机)技术与无线电通讯(意大利马可尼与俄罗斯波波夫 1894年同时发明无线电报)的发展, 标志电力/电子时代到来. 无线电通讯使信号放大与检波成为必须. 而首先大规模应用(大约 1920 年代, 恰好是100年前), 却是基于当时电子管的科学研究基础上的, 真空电子管器件. 二战时点接触式的二极管则开始取代真空管, 其原因根据对资料的查阅, 大概是高频性能(或当时雷达技术等领域), 稳定性, 体积等限制, 促进肖特基二极管的应用. PN结/三极管的发明, 亦源于当时以肖特基二极管作为基础装置的, 创造性实验结果. 1947年, 美国贝尔实验室(Brattain与Bardeen)基于两个(头对头)并联模式的肖特基二极管, 构成了首个点接触式的三极管实验装置. 从装置上看并非真的两个独立二极管并联, 它们实际构建于一整块锗块(根据图示, 我目视推测约 1cm 厚度), 但三角形结构的(两个斜边各粘贴的)金箔的顶点被弹簧压在锗块上, 顶点处即被理解为极近距离的两个并联肖特基二极管的连接点. Bardeen 在上个世纪末的一次采访中曾说, 他们的发明可能是个意外, 当时电子业界科研发展的方向, 明显是模仿真空电子管的场效应管 FET 器件(今天集成电路广泛使用的就是 MOSFET). 这导致了三极管与MOS管, 即使在今天的设计中, 作为分立器件都被广泛使用(特别是模拟电路常使用三极管). 题外话, 想想看, 三极管工作模式很微妙 -- 极近距离(大约 10um 是关键), 使得基础电路能够将(比较而言)极少量的正电荷载流子注入到放大电路中, 并且以稳定比例模式进行信号放大. 怎么就通过这个看似脑洞大开的创造性的装置实现了? 根据电子历史趣闻回顾, 作为贝尔实验室相关部门的领导, Shockley 博士, 他被其组员 Brattain 与 Bardeen 极大刺激. 作为能力极强的技术型领导, 他在 1948~1950年, 发明了 PN 的结型结构的三极管, 并设计了 PN 结理论(三人小组因此同获诺贝尔奖). 讨论1: 如果我没有理解错, 今天我们每位同学, 都得学习的 "空穴导电"与"扩散"理论入门. 进一步需学习 Dr. Shockley 发明的 PN 结的两种载流子(多子少子)的流动理论, 且因此形成了"双极型(双极性)". 这里似又产生疑问, 我理解本意指"双极性", 但"双极性"很容易让人混淆整流的方向的极性, 所以称"双极型"可区分这个混淆. 但中文世界的网络资料, 看似双极性, 双极型都在混用着. 讨论2: 所以, BJT 按本意, 似应翻译为: 双极型(区分肖特基的仅多数载流子导电)结型(区分肖特基点接触模式)传导电阻器( transistor 似被中文世界译为"晶体管", 真奇怪啊...我们前辈们都是怎么脑洞大开来翻译的?), 才是正确的中文译名. 但 "双极型结型传导电阻器"可能名字太长, 中文世界又不能用首字母大写 BJT 来简单称呼. 所以, 最早哪位前辈管它叫"三极管"来着? 因为它的大规模市售的规格有三条腿腿? ^O^ P.S. 推测"三极管"译名由来(2023.2.27 添加): (1) 根据延伸阅读, "三极管"的称呼或源于(真空)三极管("triode valve"或"vacuum triode"或"triode vacuum tube") . 真空三极管的发明专利应源于美国人 de Forest 于 1906 的申请. 他因某种错误的认知(真空管内电离气体也是一个电极), 而将装置称为: "audion"(ion-离子). 彼时业界或最终形成约定称呼: "triode valve"(三极管). (2) 而 "triode valve"(三极管)中的 "valve", 又或从 Fleming 发明的真空二极管(发明专利 Fleming valve 或 vacuum diode) 的名称延续. (3) 即"三极管", 或具体指代, 兴盛于1920年代(真空管时代)的"(真空)三极管". (4) 或可推测彼时, 即 BJT 发明创造时代(1950年代), 中国大陆科技界未能同步该技术前沿. 对 BJT 沿用了真空管时代"三极管"之称呼. (5) 结论: 彼时中国大陆电子业界或对 BJT 与 triode valve 不加区分, 都称"三极管". 由于真空管时代已经远离, "三极管"最终被默认指代 BJT. 如需与 Fleming valve 或 triode valve 区别, 或可称其: "(真空)三极管". 讨论3: Dr. Shockley 必将在人类历史不朽. 不仅是 PN 结/三极管的发明, 而且或因他带动了今天的半导体电子的产业繁荣. 作为科研领袖, Shockley 带领数位科学家回到了他的老家(硅谷)干事业, 最终可能因科研发向的不同坚持而导致团队动摇(或者与他固执认为团队成员中有精神病人存在, 并要求每位团队成员去看医生作精神检查). 其团队分离组成了仙童和Intel. Shockley 黯然离开硅谷(他要是把团队带去别的风景区, "硅谷"就得换个地方). 晚年作为大学教授, Shockley 发表的论文可谓精彩纷呈, 黑人的智商低, 具体低到某个百分比就是他的大作... 这就不知道该怎么往下讨论了... 肖特基二极管并没有因为 PN结 的出现, 就导致消亡. 今天的设计中, 仍然被大量使用. 我就用过肖特基二极管的低压降特性试图在设计中降低功耗. 而且 DCDC(非同步模式)典型应用, 外围还必须用肖特基二极管(利用其快恢复特性). 也查阅了下现代肖特基的工艺, 大致上: (1) 由于锗的小电流特点, 或反向电流特性, 或温度特性等弱点, 另外可能就是锗金属价格比较贵. 现代一般使用硅替代锗. (2) 金属端也变化, 不再使用纯金属, 而或使用多晶硅. (3) 由于点接触的不稳定(或表面层 SiO2) 之影响, 现代工艺一般使用了溅射模式. 我理解实际上, 也不存在传统的点接触, 而实际上也成型为"结型". 以上, 肖特基二极管有趣的讨论就此结束. 更多创造性的新电子器件, (集成或电路)设计一定还在新的路途中, 期待着期待着!

汽车智能化加速落地，罗姆为安全筑起高墙 Zark Ray 全球新一轮科技和产业革命正悄悄来临，电动化、网联化、智能化、共享化成为汽车产业的发展潮流和 趋势 。在汽车新四化的推动之下，汽车电子电气架构从原来的分布式逐渐向跨域集中式和车辆集中式不断演进，汽车电子软件架构不断升级，软件与硬件分层解耦，软件定义汽车的时代即将到来。汽车智能化跑出加速度，中国的新能源车市场向好，ADAS功能搭载率不断攀升，L2正在成为标配，L3开始量产上车。 汽车智能化趋势下功能安全成为行业关注焦点 随着汽车智能化的推进以及自动驾驶技术创新的日新月异，安全成为行业不约而同的关注焦点。安全分为两种，一种是本质安全，另一种是功能安全。本质安全是通过消除危险原因来确保安全的方法；而功能安全是通过功能方面的努力将风险降低到可接受水平来确保安全的方法。本质安全可以确保绝对的安全性，但是成本往往很高；相比之下，功能安全的成本较低，但在设计时必须考虑到当附加的功能发生故障时应如何确保安全。 图 | 本质安全与功能安全的思路 举个例子，在铁路和道路交叉口，如果采用建立交桥的方法将铁路和道路分开，从物理上避免火车和汽车碰撞的方法，这是一种本质安全的思路。而如果通过在道路与铁路的交叉处设置警报器和栏杆，在铁路上安装 传感器 ，当传感器检测到火车接近时，警报器响起，并降下栏杆，当另外的传感器检测到火车已经通过时，警报器停止，并升起栏杆，虽然道路与铁路在物理上仍然交叉，但可通过设置铁路道口的方法将汽车和火车相撞的风险降低到可接受的水平，这就是功能安全的思路。当然，在这个案例中，如果传感器损坏，那么在火车接近时，警报器和栏杆就不会工作，这是一种“危险”状态，因此就需要加入传感器的自我诊断或者双传感器的冗余设计，来确保即使传感器损坏也不会引发危险状态的设计，这就是故障安全（Fail Safe）的思路。 由此可知，功能安全其实就是基于“人会犯错”、“东西会损坏”思路之下的一种设计，而功能安全通常要同时考虑到“系统性故障”和“随机性故障”这两方面，来确保没有系统性的Bug，以及当随机性故障发生时不会对人造成伤害。在中国，ISO 26262（功能安全）已纳入推荐性国家标准，ISO 26262的第一版中文译本GB/T 34590已于2018年5月起开始施行。 当然，不止汽车领域有这个要求，很多工业场景同样对安全性要求非常高。为了构建更安全的系统，必须在设备开发过程中就要考虑到在发生问题时如何确保安全，这意味着故障安全和功能安全是贯穿设备开发全流程的。 复位IC为汽车和工业用设备安全保驾护航 讲到汽车和 工业应用 场景对设备安全性的需求，就不得不提到对系统电源电压进行监控的重要性，而复位IC是电压监控电路中不可或缺的产品之一，目前已经广泛应用于EV/HEV逆变器、引擎控制单元、ADAS、汽车导航系统、汽车空调、FA设备、计量仪器、 伺服系统 、各种传感器系统等需要对电子电路进行电压监控的各种车载和工业设备应用中。 面向该市场需求， 罗姆 推出了1000多种复位IC，2021年度，在低电压范围的广泛应用领域，创造了2.5亿枚的年出货量记录。就在近期，罗姆还开发出了一款高精度、超低功耗且支持40V电压的窗口型复位IC “BD48HW0G-C”。 图 | 复位IC工作示例 那么什么是复位IC呢？复位IC是一种开关IC，可用于电子电路的电压监控，当检测到被监控的电压超过阈值时就会通过改变输出而达到复位操作的效果，因此具有通过与 微控制器 合作来确保系统安全的作用。就好比河里的水位报警器，当河水漫过最高警戒线或低于最低警戒线时都要拉响警报，并触发放水或蓄水动作，而这里的水位传感器就好比电路中的复位IC，起到的效果是一样的。 罗姆新推的复位IC “BD48HW0G-C”有何特别之处？ 同样是复位IC，为什么要有这么多类型？罗姆最新推出的复位IC “BD48HW0G-C”又有什么特色或优势呢？由于应用场景的不同，系统电路对复位IC精度、功耗、工作电压、功能安全、监控电压范围、欠压/过压检测等需求都不一样，因此需要开发出不同的复位IC来匹配相应的市场需求。 罗姆窗口型复位IC产品阵容： Nano标记产品为搭载Nano Energy™超低静态电流技术的产品。 * FS supportive: 表示这是面向车载领域开发的IC，支持与功能安全相关的安全性分析。 罗姆最新推出的复位IC “BD48HW0G-C”是一款支持40V电压的窗口型复位IC，由于采用了高耐压的BiC DM OS工艺，并融合了罗姆所擅长的模拟设计技术，BD48HW0G-C工作电压范围宽至1.8V～40V可调。关于窗口型的设计，由于BD48HW0G-C配有2个独立的基准电压电路，因此可以灵活地设置High侧和Low侧的检测电压，并独立复位检测输出。在检测精度方面，BD48HW0G-C在-40℃-+125℃温度范围内可实现业界先进的±0.75% 电压检测 精度，高于业界标准产品的精度±2.2%。在功耗方面，BD48HW0G-C的静态电流只有500nA，仅为普通的工作电压24V以上的窗口型复位IC的1/16，这使得工程师在设计电路时无需担心因复位电路而产生的功耗增加。 图 | 在全动作温度范围内的高精度复位IC更易于系统设计 为何在车载和工业领域需要强调在全动作温度范围内的、稳定的高精度特性呢？我们知道，如果只是在25℃下有值偏离的问题，那么可以通过固定补偿进行调整，比较容易实现。但是在汽车和工业应用中，环境温度以及机身自身发热和散热的情况差别较大，电源电压和复位检出电压受温度的影响会产生波动，这种受温度影响下的偏离是非常难修正的，因此对于车载和工业环境，选择全动作温度范围内的、稳定的高精度复位IC更易于系统设计，从而减轻客户的设计负担。此外，在车载和工业环境下，通常环境噪声较大，当外部噪声侵入时，如果检测出电压的精度差，那么容易发生误动作，因此为了避免或减少外部噪声的影响，提高系统运行的可靠性，高精度复位IC是更好的选择。 值得一提的是，罗姆从2015年就已经开始构建ISO 26262的流程，并在约2年半后的2018年3月，通过德国第三方认证机构T?V Rheinland获得了ISO 26262的流程认证。正因为对ISO 26262规格以及应用电路有着高度理解，罗姆针对需要功能性安全的车载和工控电源，开发了支持从低到高的广泛电压范围的、高精度地检测电压异常的复位IC。 实现模拟电源器件超低功耗的秘密Nano Energy™ 前面提到，BD48HW0G-C的静态电流只有500nA，仅为普通的工作电压24V以上的窗口型复位IC的1/16，如此超低功耗是如何实现的呢？ 事实上，罗姆采用的是IDM的模式，在这种垂直统合型生产体制下，罗姆在“电路设计”、“布局”和“工艺”这三方面都具有更深的经验累积和更强的模拟技术优势。基于此，罗姆研发出了超轻负载状态下彻底削减消耗电流的划时代技术“Nano Energy?”。使用该技术，无负载时的静态电流可低至纳安（nA）量级，不仅可以延长 电池 供电的物联网设备和移动设备的驱动时间，还有助于不希望增加功耗的车载和工业设备的高效率工作。 举个例子，我们知道，新能源汽车是实现全球“双碳计划”的重要组成部分，对于EV/HEV来讲，提高燃油经济性，增加行驶里程势在必行，于是低功耗化就会变得尤为重要。其次，当汽车怠速熄火时，发动机会停止运转，电池将提供功能所需的电力。再者，当在停车时，时钟在后台运转、报警系统开启、无钥匙系统开启等都将直接由电池供电，存在电池耗尽的风险。因此，进一步降低电源IC的电流消耗是刚需，找元器件现货上唯样商城而通过搭载Nano Energy?技术，可以为整个汽车系统的低功耗做贡献。此外，低静态电流带来的不只有延 长电 池供电设备寿命一个好处，同时对于汽车和工业应用来说，还能减少电路中的暗电流，有助于EMC的改善。 写在最后 沿着自动驾驶产业链，L2级别的自动驾驶渗透率不断提升，L3级别的自动驾驶开始落地，新能源汽车市场已经从政策驱动转向市场拉动。这意味着汽车电子系统越来越复杂，对汽车功能安全的需求度也越来越高。罗姆作为汽车电子领域的深耕者，将通过符合功能安全的理念、技术、产品、方案和客户服务，为提升全球汽车安全性做出贡献。

信息来源：本站　日期：2019-10-17　 分享到： 反向恢复时间概述 二极管反向恢复时间是如何体现的，下面先了解反向恢复时间，现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关, 或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。而作为开关应用的二极管主要是利用了它的通(电阻很小)、断(电阻很大) 特性, 即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。 二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降Vf,“关”态有微小的电流I0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(-I0) , 而是在一段时间ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。 经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf 时间, 二极管的电流才成为(-I0) , 如图1 示。ts 称为储存时间,tf 称为下降时间。tr=ts+tf 称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。 这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取管子和合理设计电路至关重要。 开关从导通状态向截止状态转变时，二极管或整流器在二极管阻断反向电流之前需要首先释放存储的电荷，这个放电时间被称为反向恢复时间,在此期间电流反向流过二极管。即从正向导通电流为0时到进入完全截止状态的时间。 T1时，二极管反方向时就不能阻断此PWM波，起不到开关作用。二极管的反向恢复时间由Datasheet提供。反向恢复时间快使二极管在导通和截止之间迅速转换，可获得较高的开关速度，提高了器件的使用频率并改善了波形。 快恢复二极管反向恢复时间及参数 快恢复二极管反向恢复时间特性决定着功率变换器的性能，在双极功率晶体管的电流下降时间大于1us（开通时间约100ns）时期，二极管的反向恢复在双极功率晶体管的开通过程中完成，而且双极功率晶体管达到额定集电极电流的1/2-2/3左右后随着Ic上升Hfe急剧下降，限制了二极管的反向恢复电流的峰值，在某种意义上，也限剬了di/dt，双极功率晶体管的开通过程掩盖了二极管的反向恢复特性，因而对二极管的反向恢复仅仅是反向恢复时间提出要求。 随着功率半导体器件的开关速度提高，特别是Power M0SFET、高速IGBT的出现，不仅开通速度快（可以在数十纳秒内将MOSFET彻底导通或关断），而且在额定驱动条件下，其漏极/集电极电流可以达到额定值的5-10倍，使MOS或IGBT在开通过程中产生高的反向恢复峰值电流IRRM，同时M0S或IGBT在开通过程结束后二极管的反向恢复过程仍然存在，使二极管的反向恢复特性完全暴露出来，高的IRRM、di/dt使开关管和快速二极管本身受到高峰值电流冲击并产生较高的EMT。 因而对二极管的反向恢复特性不仅仅限于反向恢复时间短，而且要求反向恢复电流峰值尽可能低，反向恢复电流的下降，上升的速率尽可能低，即超快、超软以降低开关过程中反向恢复电流对开关电流的冲击，减小开关过程的EMI。 1、反向恢复参数与应用条件 一般的超快速二极管的反向时间定义为小于100ns，高耐压超快恢复二极管的反向恢复时 同trr比低耐压的长， 如耐压200V以下的超快恢复二极管的典型反向恢复时间在35ns以下， 耐压600V的典型反向恢复时间约75ns，耐压1000V的超快恢复二极管的典型反向恢复时间约100-160 ns。各生产厂商的产品的反向恢复特性（主要是反向恢复时间trr和反向恢复峰值 电流IRRM）是不同的。 A、trr与If和di/dt的关系 trr与If和di/dt的关系如下图所示： rr与If和-di/dt的关系 从图中可见，随着二极管的正向电流lf的增加反向恢复时间trr随着增加：di/dt的增加，反向恢复时间trr减小。因此，以测试小信号开关二极管的测试条件IF=IR=10ma为测试条件的反向恢复时间不能如实表现实际应用情况：以固定正向电流（如1A）为测试条件也不能在实际应用中得到客观再现；不同电流档次以其额定正向电流或其1/2为测试条件则相对客观。 B、二极管反向恢复时间与反向电压的关系 二极管反向恢复时间随反向电压增加，如果600V超快恢复二极管在反向电压为30V时，反向恢复时间为35ns，向反向电压为350V时其反向恢复时间增加，因此，仅从产品选择指南中按所给的反向恢复时间选用快速二极管，如反向电压的测试条件不同，将导致实际的反向恢复时间的不同，应尽可能的参照数据手册中给的相对符合测试条件下的反向恢复时间为依据。 C、反向恢复峰值电流IRRM 反向恢复峰值电流IRRM随-di/dt增加，因在不同-di/dt的测试条件下，IRRM的幅值是不同的。 IRRM随反向工作电压上升，因此额定电压为1000V的快速二极管，在相同的-di/dt条件下，但反向工作电压不同时（如500V与1000V）则IRRMM是不能相比较的。 D、结温T的影响 反向恢复时间trr随工作结温上升，结温125 时的反向恢复时间是结温25时的近2倍。反向恢复峰值电流IRRM随工作结温上升，结温125时的反向恢复峰值电流是结温25时的近1.5倍。反向恢复电荷Orr随工作结温上升，结温125时的反向恢复电荷是结湿25时的近3倍以上。 E、反向恢复损耗 二极管的反向恢复损耗是在反向恢复过程的后半部分t1-t2期间，其损耗的大小与IRRM和t1-t2的大小有关，在人极管的反向恢复过程中，而开关管的开通损耗始终存在。很明显，快速反向恢复二极管的反向恢复损耗与开关管的开通损耗随IRRM和反向恢复时时间增加。 F、IRRM、反向恢复损耗及EMI的减小 在实际应用中快速反向恢复二极管的反向恢复过程将影响电路的性能，为追求低的反向恢复时间，可能会选择高的di/dt，但会引起高的IRRM、振铃、电压过冲和高的EMI并增加开关损耗。 若适当减小di/dt可降低IRRM、EMI，消除振零和电压过冲和由此产生的损耗，di/dt的降低是通过降低开关管的开通速度实现，开关管的开关损耗将增加，因此，改变di/dt不能从本质上解决快速反向恢复二极管的反向恢复存在的全部问题，必须改用性能更好的快速反向恢复二极管，即IRRM低、trr短、反向恢复特性软，通过各种快速反向恢复二极管的数据，可以找出性能好的快速反向恢复二极管。 快恢复二极管模块已广泛用于高频电力电子电路，已成为主要高频器件之一，它的使用技术比较成熟，快恢复二极管模块已在高频逆变焊机，大功率开关电源，高频逆变型电镀电源，高频快速充电器以及高频调速装置等场合批量使用。 二极管反向恢复时间注意事宜 二极管反向恢复时间限制了二极管的开关速度，这一点尤其需要注意。 （1）如果脉冲持续时间比二极管反向恢复时间长得多，这时负脉冲能使二极管彻底关断，起到良好的开关作用； （2） 如果脉冲持续时间和二极管的反向恢复时间差不多甚至更短的话，这时由于反向恢复过程的影响，负脉冲不能使二极管关断 。 所以要保持良好的开关作用，脉冲持续时间不能太短，也就意味着脉冲的重复频率不能太高，这就限制了开关的速度。

​韦尔股份|WILLSEMI -------------------------------------------------------------------- 企业简介 上海韦尔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司，公司成立于2007年5月，总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区，在深圳、台湾、香港等地设立办事处。 公司主营产品包括保护器件(TVS、TSS)、功率器件(MOSFET、Schottky Diode、Transistor)、电源管理器件(Charger、LDO、Buck、Boost、Backlight LED Driver、Flash LED Driver)、模拟开关等四条产品线，700多个产品型号，产品在手机、电脑、电视、通讯、安防、车载、穿戴、医疗等领域得到广泛应用，公司业绩连续多年保持稳定增长。 随着公司发展，公司逐步引进大量人才，重点加强研发、品质等方面人才储备，同时建立了先进的可靠性实验室、EMC实验室，在产品的研发、试产、量产过程中，对产品质量层层把关，并为合作伙伴提供大量的EMC测试，在得到合作伙伴认可的同时，韦尔半导体正逐步成为国际知名的半导体器件厂商。 发展历程 集团关联公司 香港华清电子（集团）有限公司 豪威集团 北京思比科微电子技术股份有限公司 主营产品 线性产品（放大器、音频驱动器）、保护器件（小功率静电保护器件、大功率浪涌保护器件、大功率固体放电管）、肖特基二极管、场效应晶体管、双极型晶体管、电源管理（线性稳压器、开关稳压器、LED驱动、负载开关、过压保护、充电管理）、模拟开关（数字开关、音频开关）、USB-C接口电路（逻辑识别）、射频器件（射频开关、低噪声放大器、天线调谐器）、音频器件