原创 二极管基础知识整理

2023-5-29 22:55 527 7 3 分类: 模拟

一、二极管基础

1、   基础知识

2、   各项参数:

(1)    结电容

      结电容有两种,分别是势垒电容和扩散电容。

       势垒电容:PN结两端电压变化,引起积累在中间区域的电荷数量的改变,从而呈现电容效应,这个电容就是势垒电容。

扩散电容:当有外加正向偏压时,在PN结两侧的少子扩散区内,都有一定的少数载流子的积累,而且它们的密度随电压而变化,形成一个附加的电容效应,称为扩散电容。

事实表明,二极管在反偏时,势垒电容起主要作用,而正偏时,扩散电容起主要作用。


(2) 反向恢复时间

  (3) 最高工作频率F

受反向恢复时间和结电容共同影响。

肖特基二极管由于反向回复时间极短,所以最高工作频率受结电容影响较大;而硅基二极管虽然结电容(一般PDF测试条件测得的是势垒电容)比肖特基二极管小得多,但由于反向恢复时间较长,所以结电容对最高工作频率的影响相对较小

二、 二极管类型

参数

普通硅二极管

快恢复二极管

开关二极管

肖特基二极管

参考型号

1N4007

US1M

1N4148

SS14

正向导通电压VF

1.1V@1A

1.7V@1A

1.25V@150mA

550mV@1A

平均整流电流IF

1A

1A

150mA

1A

直流反向耐压VR

1kV

1kV

100V

40V

反向恢复时间TRR

nS

较短75nS

4nS

极短

最高工作频率F

较高

极高

反向漏电流@25 IR

5uA

5uA

1uA

0.1mA

反向漏电流@125 IR

50uA

100uA

50uA

5mA

结电容

15pF

15pF

2pF

100pF

价格

最低

三、 选型

1、  直流反向耐压VR -------------硅二极管1kV以上大耐压

2、  平均整流电流IF  -------------10A一下较为好选

3、  正向导通电压VF--------------肖特基能做到0.2V以下

4、  反向漏电流IR ---------------------肖特基较大,mA级别是硅管的百倍以上。与温度       也有关系,温度越高反向漏电流越大

5、  反向恢复时间TRR--------------快恢复二极管、肖特基均较小

6、  最高工作频率F ---------------与反向恢复时间和结电容相关

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作者: HGno1, 来源:面包板社区

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