一、二极管基础
1、 基础知识
2、 各项参数:
(1) 结电容
结电容有两种,分别是势垒电容和扩散电容。
势垒电容:PN结两端电压变化,引起积累在中间区域的电荷数量的改变,从而呈现电容效应,这个电容就是势垒电容。
扩散电容:当有外加正向偏压时,在PN结两侧的少子扩散区内,都有一定的少数载流子的积累,而且它们的密度随电压而变化,形成一个附加的电容效应,称为扩散电容。
事实表明,二极管在反偏时,势垒电容起主要作用,而正偏时,扩散电容起主要作用。
(2) 反向恢复时间
(3) 最高工作频率F:
受反向恢复时间和结电容共同影响。
肖特基二极管由于反向回复时间极短,所以最高工作频率受结电容影响较大;而硅基二极管虽然结电容(一般PDF测试条件测得的是势垒电容)比肖特基二极管小得多,但由于反向恢复时间较长,所以结电容对最高工作频率的影响相对较小
二、 二极管类型
参数 |
普通硅二极管 |
快恢复二极管 |
开关二极管 |
肖特基二极管 |
参考型号 |
1N4007 |
US1M |
1N4148 |
SS14 |
正向导通电压VF |
1.1V@1A |
1.7V@1A |
1.25V@150mA |
550mV@1A |
平均整流电流IF |
1A |
1A |
150mA |
1A |
直流反向耐压VR |
1kV |
1kV |
100V |
40V |
反向恢复时间TRR |
长nS |
较短75nS |
短4nS |
极短 |
最高工作频率F |
低 |
较高 |
高 |
极高 |
反向漏电流@25℃ IR |
5uA |
5uA |
1uA |
0.1mA |
反向漏电流@125℃ IR |
50uA |
100uA |
50uA |
5mA |
结电容 |
15pF |
15pF |
2pF |
100pF |
价格 |
最低 |
低 |
低 |
高 |
三、 选型
1、 直流反向耐压VR -------------硅二极管1kV以上大耐压
2、 平均整流电流IF -------------10A一下较为好选
3、 正向导通电压VF--------------肖特基能做到0.2V以下
4、 反向漏电流IR ---------------------肖特基较大,mA级别是硅管的百倍以上。与温度 也有关系,温度越高反向漏电流越大
5、 反向恢复时间TRR--------------快恢复二极管、肖特基均较小
6、 最高工作频率F ---------------与反向恢复时间和结电容相关
本人学习笔记公众号,将在上面分享学习记录与心得:
公众号名称:硬件之路学习笔记
作者: 硬件之路学习笔记, 来源:面包板社区
链接: https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-3966341.html
版权声明:本文为博主原创,未经本人允许,禁止转载!
文章评论(0条评论)
登录后参与讨论