tag 标签: 芯片工艺

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    2017-5-28 11:20
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    ** 本文你可以获得什么? MOS管构成的缓冲器Buffer和漏极开路们OD门是数字电路非常重要的概念,怎么构成的; 反相器,线与逻辑怎么玩,又怎么用呢? 根据原理图,真值表,应用典型电路全面了解基本的逻辑门,与门,或门,与非门。 半导体SS, TT, FF是怎么回事?** 1. MOS管逻辑电路(与门,或门,非门等) 作为硬件工程师,不能不懂芯片;而要想懂芯片,MOS管构成的各种基本逻辑电路必须熟记于心,才能够更熟练的看懂芯片的框图。场效应管(Field-Effect Transistor)通过不同的搭配可以构成各种各样的门电路,如开篇所说,这些最基本的单元电路或许是现代IC的基础。以下的电路形式在常用的74系列的芯片中大量存在着,之后介绍的OD门,缓冲器则常见于芯片的GPIO口等管脚的设计。 MOS管构成基本的与门、或门电路 与门可以由六个管子构成,通过示意图应该能更清楚看出与门的工作示意图,然后由真值表可以看出输入输出的对应关系。本文中给出与门的对应电路,如有兴趣,大家可以思考或门的电路结构,其实二者是存在对应关系的。 2. 反相器 下图则给出了反相器的电路图,输入和输出状态相反,谓之反相器。 电路分析: 输入Vi为低电平时,上管导通,下管截止,输出为高电平;输入Vi为高电平时,上管截止,下管导通,输出为低电平。 与非门 下图则给出了与非门的电路图,与非门也就是同为零,异为一。 当A,B输入均为低电平时,1,2管导通,3,4管截止,C端电压与Vdd一致,输出高电平。当A输入高电平,B输入低电平,1,3管导通,2,4管截止,C端电位与1管的漏极保持一致,输出高电平。当A输入低电平,B输入高电平,2,4导通,1,3管截止,C端电位与2管的漏极保持一致,输出高电平。当A,B输入均为高电平时,1,2管截止,3,4管导通,C端电压与地一致,输出低电平。 4. 缓冲器Buffer CMOS缓冲器(buffer),缓冲器跟反相器是对立的,缓冲器输入与输出相同,反相器输入与输出相反。 电路分析: 前面一级Q1,Q2组成了一个反相器;后面一级Q3,Q4又构成了一个反相器,相当于反了两次相,于是又还原了。 5. 漏极开路门 漏极开路门是一个十分经典常用的电路,常见于主芯片的GPIO口或者单片机的GPIO口的设计中。 要最重要的一点就是: 漏极开路是高阻态,一般应用需要接上拉电阻。 【漏极开路门的应用-线与逻辑】Z=z1 z2 z3 “线与”逻辑是因为多个逻辑单元的输出的三极管,共用一个上拉电阻,只要一个逻辑单元输出低电平,即集电极(漏极)开路输出的管子导通,那么输出低电平;而只有全部单元截止,输出端被上拉电阻置为高电平,这是一个很实用的电路,可以用于逻辑仲裁等电路系统中。 或许工作几年后,一般会觉得二极管三极管电路很简单,那只能说明研究得还不够深入。有时候越简单的东西底层的东西其实更复杂。比如从工艺角度来说,晶体管分为TT, SS, FF, IC设计是绕不过这些的,基础也并不容易,考虑到更深入一些,又觉得只学到皮毛。
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    时间: 2019-7-3 14:46
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    上传者: 肖骁
    《半导体制造技术》是最详尽最完整介绍半导体前端工艺和后端制程的书籍,作者是美国人MichaelQuirk。看完本书,相信你对整个芯片制造流程会非常清晰地了解。从硅片制造,到晶圆厂芯片工艺的四大基本类——薄膜制作(Layer)、图形光刻(Pattern)、刻蚀和掺杂,再到测试封装,一目了然。全书共分20章,根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节,包括与半导体制造相关的基础技术信息;总体流程图的工艺模型概况,用流程图将硅片制造的主要领域连接起来;具体讲解每一个主要工艺;集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外,各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题,这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。第1章半导体产业介绍第2章半导体材料特性第3章器件技术第4章硅和硅片制备第5章半导体制造中的化学品第6章硅片制造中的沾污控制第7章测量学和缺陷检查第8章工艺腔内的气体控制第9章集成电路制造工艺概况第10章氧化第11章淀积第12章金属化第13章光刻:气相成底膜到软烘第14章光刻:对准和曝光第15章光刻:光刻胶显影和先进的光刻技术第16章刻蚀第17章离子注入第18章化学机械平坦化第19章硅片测试第20章装配与封装本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料,学术界和工业界对《半导体制造技术》的评价都很高。
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-5-25 23:25
    大小: 43.46MB
    芯片制造半导体工艺制程实用教程第5版404页44.5M高清版作为经典的芯片制造工艺类教材,属实为必看经典读物之一。