标签: 可控

元器件371种，不含数字电路（数字电路74系列/54系列/4000系列）都有。擅长模电驱动 隔离多裸芯片厚膜集成电路。可提供方案支持，接项目，优化客户方案等等技术支持。只服务于军工下面五个院所，全国产化

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低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用第32卷第6期2002年12月微电子学MicroelectronicsVol132,№6Dec12002文章编号:100423365(2002)0620449204低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用曾莹,李瑞伟(清华大学微电子学研究所,北京100084)摘要:对LVTSCR(LowVoltageTriggeredSiliconControlledRectifier)结构在深亚微米集成电路中的抗静电特性进行了研究。实验结果表明,LVTSCR结构的参数,如NMOS管沟道长度、P2N扩散区间距和栅极连接方式等,都对LVTSCR结构的静电保护性能有影响。利用优化的LVTSCR结构,获得了6000V以上的ESD失效电压。关键词:静电保护;低压触发可控硅;深亚微米IC;CMOS工艺中图分类号:TN432文献标识码:AApplicationofLow-VoltageTriggeredSiliconControlledRectifierinESDProtectionCircuitsZENGYing,LIRui2wei(TheInstituteofMicroelectronics,TsinghuaUniversity,Beijing100084,P1R1China)micronICisaveryef2Abstract:Thelowvoltagetriggeredsiliconcontrolled……