低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用第 32 卷第 6 期
2002 年 12 月
微 电 子 学
M icroelectron ics
V o l132, № 6 D ec12002
文章编号: 100423365 ( 2002) 0620449204
低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用
曾 莹, 李瑞伟
( 清华大学 微电子学研究所, 北京 100084)
摘 要: 对 LV T SCR (L ow V o ltage T riggered Silicon Con t ro lled R ect ifier) 结构在深亚微米集成 电路中的抗静电特性进行了研究。实验结果表明, LV T SCR 结构的参数, 如 NM O S 管沟道长度、 P2 N 扩散区间距和栅极连接方式等, 都对 LV T SCR 结构的静电保护性能有影响。 利用优化的 LV T SCR 结构, 获得了 6000 V 以上的 ESD 失效电压。 关键词: 静电保护; 低压触发可控硅; 深亚微米 IC; CM O S 工艺 中图分类号: TN 432 文献标识码: A
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( T he Institu te of M icroelectron ics, T sing hua U n iversity , B eij ing 100084, P 1 R 1 C h ina )
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