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基于IBM公司的0.18μmRFSOICMOS工艺，设计了一款应用于S波段的高线性低功耗低噪声放大器。在传统共源共栅拓扑结构的基础上，本文提出使用有源偏置电路、级间匹配网络和并联反馈结构，使设计的放大器具有噪声低、线性度高和功耗小等特点。仿真结果表明，该放大器在2.3~2.7GHz频段，电源电压为1.8V，功耗为9.8mW的条件下，噪声系数小于0.8dB，增益大于14dB，输入回波损耗和输出回波损耗均大于10dB，隔离度大于27dB，输入三阶交调截取点大于15dBm，满足无线基础架构接收器对低噪声放大器的所有性能要求。

基于IBM0.18umSOICMOS工艺，设计了一款工作在433MHz的两级AB类功率放大器。驱动级和输出级均采用共源共栅结构以提高电源电压，从而提高输出功率。采用了自适应偏置电路解决了共源管和共栅管之间电压分布不均的问题，提高了电路可靠性。输入级采用了电压-电压反馈降低增益，提高电路稳定性。片内集成了输入匹配、级间匹配电路。后仿真结果表明，该放大器的增益为33.97dB，1dB压缩点为28.12dBm,PAE为23.86%。