基于IBM公司的0.18 μm RF SOI CMOS工艺，设计了一款应用于S波段的高线性低功耗低噪声放大器。在传统共源共栅拓扑结构的基础上，本文提出使用有源偏置电路、级间匹配网络和并联反馈结构，使设计的放大器具有噪声低、线性度高和功耗小等特点。仿真结果表明，该放大器在2.3 ~2.7 GHz频段，电源电压为1.8 V，功耗为9.8 mW的条件下，噪声系数小于0.8 dB，增益大于14 dB，输入回波损耗和输出回波损耗均大于10 dB，隔离度大于27 dB，输入三阶交调截取点大于15 dBm， 满足无线基础架构接收器对低噪声放大器的所有性能要求。