标签: S波段

基于IBM公司的0.18μmRFSOICMOS工艺，设计了一款应用于S波段的高线性低功耗低噪声放大器。在传统共源共栅拓扑结构的基础上，本文提出使用有源偏置电路、级间匹配网络和并联反馈结构，使设计的放大器具有噪声低、线性度高和功耗小等特点。仿真结果表明，该放大器在2.3~2.7GHz频段，电源电压为1.8V，功耗为9.8mW的条件下，噪声系数小于0.8dB，增益大于14dB，输入回波损耗和输出回波损耗均大于10dB，隔离度大于27dB，输入三阶交调截取点大于15dBm，满足无线基础架构接收器对低噪声放大器的所有性能要求。

微波宽带低噪声放大器是雷达、电子对抗、微波通信及遥测遥控等接收系统的关键部件。为满足高性能微波接收机系统对微波低噪声放大器宽频带、低噪声系数、高增益和好平坦度等方面的要求。本文利用Infineon公司的BFP740FESD型双极晶体管，采用纯电抗宽带匹配技术，设计了一个2~4GHz宽带低噪声放大器（LNA）。经过实际测试，该放大器在2~4GHz频带内，功率增益大于30dB，噪声系数小于1.8dB，增益平坦度小于3dB，输入输出驻波比小于2，输出饱和功率大于5dBm，且工作绝对稳定。