标签: 高线性

基于IBM公司的0.18μmRFSOICMOS工艺，设计了一款应用于S波段的高线性低功耗低噪声放大器。在传统共源共栅拓扑结构的基础上，本文提出使用有源偏置电路、级间匹配网络和并联反馈结构，使设计的放大器具有噪声低、线性度高和功耗小等特点。仿真结果表明，该放大器在2.3~2.7GHz频段，电源电压为1.8V，功耗为9.8mW的条件下，噪声系数小于0.8dB，增益大于14dB，输入回波损耗和输出回波损耗均大于10dB，隔离度大于27dB，输入三阶交调截取点大于15dBm，满足无线基础架构接收器对低噪声放大器的所有性能要求。