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之前，与大家聊了那么多关于脉冲IV测试的内容；今天，为大家总结了进行脉冲IV测试的几点注意事项：（好好收藏，一生享用！） 1、确认连接：在连接到设备之后，执行任何脉冲测试前，使用 scope-shot 进行第一次测试以确认到 DUT 的连接是正确的。 2、改变任何设置（新的探针针尖、设备及电缆更换等）都需要进行校准。 3、可以通过测试没有任何自加热或电荷捕获效应的设备并比较直流和脉冲结果来验证 脉冲 IV 性能是否适当。 4、在大的 漏极电流 （500uA）下使用5个平均，在漏极电流500uA时使用25个平均（或更高）。 5、与典型直流结果相比，脉冲IV测量分辨率和灵敏度较低，因此获得粗略等效的结果需要改变一些测试参数（如采用平均或更小的步长）或后处理流程（如曲线拟合）等。   了解更多信息  了解有关4200-SCS半导体参数分析仪的更多信息，可点击http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs，或登录微博http://weibo.com/keithley与专家互动 DUT：http://www.keithley.com.cn/events/proddemos/27xxdemo/demoimages/PD1_DUT.jpg/view 脉冲IV：http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/iv 漏极电流：http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/4200piv

之前，与大家聊了那么多关于脉冲IV测试的内容；今天，为大家总结了进行脉冲IV测试的几点注意事项：（好好收藏，一生享用！） 1、确认连接：在连接到设备之后，执行任何脉冲测试前，使用 scope-shot 进行第一次测试以确认到 DUT 的连接是正确的。 2、改变任何设置（新的探针针尖、设备及电缆更换等）都需要进行校准。 3、可以通过测试没有任何自加热或电荷捕获效应的设备并比较直流和脉冲结果来验证 脉冲 IV 性能是否适当。 4、在大的 漏极电流 （500uA）下使用5个平均，在漏极电流500uA时使用25个平均（或更高）。 5、与典型直流结果相比，脉冲IV测量分辨率和灵敏度较低，因此获得粗略等效的结果需要改变一些测试参数（如采用平均或更小的步长）或后处理流程（如曲线拟合）等。 了解更多信息  了解有关4200-SCS半导体参数分析仪的更多信息，可点击http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs，或登录微博http://weibo.com/keithley与专家互动 DUT：http://www.keithley.com.cn/events/proddemos/27xxdemo/demoimages/PD1_DUT.jpg/view 脉冲IV：http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/iv 漏极电流：http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/4200piv

  本文以图示的方式与大家分享直流 Vgs-id 测试的步骤： 传统的只有直流的 Vgs-id 和通过 4200- RBT ，偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试，使用2个 SMU，其源和本体连接到地（SMA的同轴电缆屏蔽层）。 在 4200 脉冲 IV 测量 CMOS 晶体管过程中， 直流 Vgs-id 的测试如图 8 和图 9 所示。   图8. 直流Vgs-id ITM definition选项页   图9. 直流Vds-id ITM Graph选项页   Vgs–id-pulse 测试如图 10 和图 11 所示 。 图10.        Vds-id-pulse UTM definition选项页 图11.        Vgs-id-pulse UTM Graph选项页   由于脉冲测试是 UTMS （用户测试模块），所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。 图7.       脉冲 Vds-id UTM definition 选项页 自加热的 Vds-id 和无自加热的 Vds-id 该项目的测试类似于如上描述的 Vds-id 直流 和 脉冲测试 ，但是需要在门极和漏极电压做些修改来引起 直流 ITM 测试结果的自加热。脉冲测试使用相同的参数值，但是脉冲的低占空比（0.1％或更低）不会引起 DUT 的自加热。图12是直流结果的图形，但是叠加上了一个基于脉冲的 Vds-id 曲线。    图12.       Vds-id-noselfheating UTM Graph选项页。暗红的宽曲线是脉冲结果，对应于最上面的直流曲线（窄蓝线）。 了解更多信息  要想了解有关4200-PIV脉冲IV包或者吉时利其他系列数字源表的更多信息，请点击 http://www.keithley.com.cn/products/dcac/voltagesource/?mn=4200-PIV ，或登录 吉时利官方微博 （ http://weibo.com/keithley ）与专家进行互动。 # 吉时利互动有礼 # 可免费索取吉时利2011年测试测量产品目录CD     http://www.keithley.com.cn/promo/wb/286                                 吉时利2011年测试测量产品目录CD包含了完备的测试测量资源，近400页的参考资料、选型指南都包括在一张简单易用的CD中。   Vds-id http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/iv Vgs–id-pulse http://www.keithley.com.cn/data?asset=4660 4200-PIV  http://www.keithley.com.cn/products/dcac/voltagesource/?mn=4200-PIV

连接DUT时，除了使用屏蔽和保护电缆，将吉时利4200-SCS的相应端子与装置的合适端子相连接也非常重要。SMU的Force HI和Force LO端子连接不合适会导致电流偏移和测量不稳定。这些误差是由于共模电流产生的。 通常情况下，总是将SMU的高阻端子(Force HI)连接至被测电路的最大电阻点。同样，总是将4200-SCS的低阻端子(Force LO)连接至被测电路的最小电阻点。最小电阻点可以是公共端子或接地。如果Force HI端子被连接至最小电阻点，共模电流就会通过测量电路。 图 14 中标出了正确和不正确的测量连接。 图 14a 中的连接是正确的，因为吉时利4200-SMU的Force HI端子被连接至晶圆上器件的栅极，而Force LO端子被连接至带有保护的吸盘。晶圆上的栅极端子为最大阻抗点,保护吸盘为低阻抗点，所以该电路的连接正确。请注意，共模电流从SMUde Force LO端子流至保护吸盘；然而，电流并不通过安培计，因此不会影响测量。   图14. 将SMU连接至保护吸盘上的器件 图14b 中的连接是不正确的，它将SMU的Force LO端子连接至高阻栅极，将SMU的Force HI端子连接至保护吸盘。在这种情况下，共模电流将通过SMU以及DUT。这会造成测量不准确，甚至不稳定。  

连接DUT时，除了使用屏蔽和保护电缆，将吉时利4200-SCS的相应端子与装置的合适端子相连接也非常重要。SMU的Force HI和Force LO端子连接不合适会导致电流偏移和测量不稳定。这些误差是由于共模电流产生的。 通常情况下，总是将SMU的高阻端子(Force HI)连接至被测电路的最大电阻点。同样，总是将4200-SCS的低阻端子(Force LO)连接至被测电路的最小电阻点。最小电阻点可以是公共端子或接地。如果Force HI端子被连接至最小电阻点，共模电流就会通过测量电路。 图 14 中标出了正确和不正确的测量连接。 图 14a 中的连接是正确的，因为吉时利4200-SMU的Force HI端子被连接至晶圆上器件的栅极，而Force LO端子被连接至带有保护的吸盘。晶圆上的栅极端子为最大阻抗点,保护吸盘为低阻抗点，所以该电路的连接正确。请注意，共模电流从SMUde Force LO端子流至保护吸盘；然而，电流并不通过安培计，因此不会影响测量。   图14. 将SMU连接至保护吸盘上的器件 图14b 中的连接是不正确的，它将SMU的Force LO端子连接至高阻栅极，将SMU的Force HI端子连接至保护吸盘。在这种情况下，共模电流将通过SMU以及DUT。这会造成测量不准确，甚至不稳定。