原创 图释4200脉冲IV测量CMOS晶体管中直流Vgs-id测试

传统的只有直流的Vgs-id和通过4200-RBT，偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试，使用2个 SMU，其源和本体连接到地（SMA的同轴电缆屏蔽层）。

在4200脉冲IV测量CMOS晶体管过程中，直流Vgs-id[1]的测试如图8和图9所示。

图8. 直流Vgs-id ITM definition选项页

图9. 直流Vds-id ITM Graph选项页

Vgs–id-pulse[2]测试如图10和图11所示。

图10.        Vds-id-pulse UTM definition选项页

图11.        Vgs-id-pulse UTM Graph选项页

由于脉冲测试是UTMS（用户测试模块），所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。

图7.       脉冲Vds-id UTM definition选项页

自加热的Vds-id和无自加热的Vds-id

该项目的测试类似于如上描述的Vds-id直流和脉冲测试，但是需要在门极和漏极电压做些修改来引起直流ITM测试结果的自加热。脉冲测试使用相同的参数值，但是脉冲的低占空比（0.1％或更低）不会引起DUT的自加热。图12是直流结果的图形，但是叠加上了一个基于脉冲的Vds-id曲线。

 图12.       Vds-id-noselfheating UTM Graph选项页。暗红的宽曲线是脉冲结果，对应于最上面的直流曲线（窄蓝线）。

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