标签: 脉冲测试

本文以图示的方式与大家分享直流 Vgs-id 测试的步骤： 传统的只有直流的 Vgs-id 和通过 4200- RBT ，偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试，使用2个 SMU，其源和本体连接到地（SMA的同轴电缆屏蔽层）。 在 4200 脉冲 IV 测量 CMOS 晶体管过程中， 直流 Vgs-id 的测试如图 8 和图 9 所示。 图8. 直流Vgs-id ITM definition选项页 图9. 直流Vds-id ITM Graph选项页 Vgs–id-pulse 测试如图 10 和图 11 所示 。 图10.        Vds-id-pulse UTM definition选项页 图11.        Vgs-id-pulse UTM Graph选项页 由于脉冲测试是 UTMS （用户测试模块），所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。 图7.       脉冲 Vds-id UTM definition 选项页 自加热的 Vds-id 和无自加热的 Vds-id 该项目的测试类似于如上描述的 Vds-id 直流 和 脉冲测试 ，但是需要在门极和漏极电压做些修改来引起 直流 ITM 测试结果的自加热。脉冲测试使用相同的参数值，但是脉冲的低占空比（0.1％或更低）不会引起 DUT 的自加热。图12是直流结果的图形，但是叠加上了一个基于脉冲的 Vds-id 曲线。 图12.       Vds-id-noselfheating UTM Graph选项页。暗红的宽曲线是脉冲结果，对应于最上面的直流曲线（窄蓝线）。 了解更多信息  要想了解有关4200-PIV脉冲IV包或者吉时利其他系列数字源表的更多信息，请点击 http://www.keithley.com.cn/products/dcac/voltagesource/?mn=4200-PIV ，或登录 吉时利官方微博 （ http://weibo.com/keithley ）与专家进行互动。 # 吉时利互动有礼 # 可免费索取吉时利2011年测试测量产品目录CD     http://www.keithley.com.cn/promo/wb/286                                 吉时利2011年测试测量产品目录CD包含了完备的测试测量资源，近400页的参考资料、选型指南都包括在一张简单易用的CD中。     Vds-id http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/iv Vgs–id-pulse http://www.keithley.com.cn/data?asset=4660 4200-PIV  http://www.keithley.com.cn/products/dcac/voltagesource/?mn=4200-PIV

  本文以图示的方式与大家分享直流 Vgs-id 测试的步骤： 传统的只有直流的 Vgs-id 和通过 4200- RBT ，偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试，使用2个 SMU，其源和本体连接到地（SMA的同轴电缆屏蔽层）。 在 4200 脉冲 IV 测量 CMOS 晶体管过程中， 直流 Vgs-id 的测试如图 8 和图 9 所示。   图8. 直流Vgs-id ITM definition选项页   图9. 直流Vds-id ITM Graph选项页   Vgs–id-pulse 测试如图 10 和图 11 所示 。 图10.        Vds-id-pulse UTM definition选项页 图11.        Vgs-id-pulse UTM Graph选项页   由于脉冲测试是 UTMS （用户测试模块），所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。 图7.       脉冲 Vds-id UTM definition 选项页 自加热的 Vds-id 和无自加热的 Vds-id 该项目的测试类似于如上描述的 Vds-id 直流 和 脉冲测试 ，但是需要在门极和漏极电压做些修改来引起 直流 ITM 测试结果的自加热。脉冲测试使用相同的参数值，但是脉冲的低占空比（0.1％或更低）不会引起 DUT 的自加热。图12是直流结果的图形，但是叠加上了一个基于脉冲的 Vds-id 曲线。    图12.       Vds-id-noselfheating UTM Graph选项页。暗红的宽曲线是脉冲结果，对应于最上面的直流曲线（窄蓝线）。 了解更多信息  要想了解有关4200-PIV脉冲IV包或者吉时利其他系列数字源表的更多信息，请点击 http://www.keithley.com.cn/products/dcac/voltagesource/?mn=4200-PIV ，或登录 吉时利官方微博 （ http://weibo.com/keithley ）与专家进行互动。 # 吉时利互动有礼 # 可免费索取吉时利2011年测试测量产品目录CD     http://www.keithley.com.cn/promo/wb/286                                 吉时利2011年测试测量产品目录CD包含了完备的测试测量资源，近400页的参考资料、选型指南都包括在一张简单易用的CD中。   Vds-id http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/iv Vgs–id-pulse http://www.keithley.com.cn/data?asset=4660 4200-PIV  http://www.keithley.com.cn/products/dcac/voltagesource/?mn=4200-PIV

漏极电压Vd，从0至4V进行扫描，在每个Vd扫描之后，门极电压Vg步进到下一个数值。传统的只有直流的Vds-id和通过4200-RBT偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试，使用2个 SMU ，其源和本体连接到地（SMA的同轴电缆屏蔽层），如前几篇文章中的图1a的原理图所示。 Vds–id-pulse测试如图7所示。由于脉冲测试是 UTMS （用户测试模块），所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。对于脉冲 Vds-id ，门极电压不是阶梯的，所以将下一个Vds-id曲线附加到图上之前，必须输入每一个门极电压。 图7.       脉冲 Vds-id UTM definition 选项页 请注意，直流和脉冲测试的参数都可以很容易的进行修改，允许对晶体管行为特性进行交互式观察。下面章节运行Pulse IV测试部分会涵盖运行Vds-id测试的程序。 了解更多信息          要想了解有关4200-PIV脉冲IV包或者吉时利其他系列数字源表的更多信息，请点击 http://www.keithley.com.cn/products/dcac/voltagesource/?mn=4200-PIV ，或者联系吉时利公司：全国免费电话800-810-1334手机用户请拨打440-650-1334。 免费索取吉时利 2011 年测试测量产品目录 CD   http://www.keithley.com.cn/promo/wb/286     吉时利2011年测试测量产品目录CD包含了完备的测试测量资源，近400页的参考资料、选型指南都包括在一张简单易用的CD中。 登录 吉时利官方微博 （ http://weibo.com/keithley ）与专家进行互动。   Vds–id http://www.keithley.com.cn/products/localizedproducts/semiconductor/4200piva SMU  http://www.keithley.com.cn/products/semiconductor/reliabilitytestsolutions/4200scs/?mn=4200-SMU Vds-id http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/4200piv

  脉冲式电测试是一种能够减少器件总能耗的测量技术。它通过减少焦耳热效应（例如I2R和V2/R），避免对小型纳米器件可能造成的损坏。脉冲测试采用足够高的电源对待测器件（DUT）施加间隔很短的脉冲，产生高品质的可测信号，然后去掉信号源。     通过脉冲测试，工程技术人员可以获得更多的器件信息，更准确地分析和掌握器件的行为特征。例如，利用脉冲测试技术可以对纳米器件进行瞬态测试，确定其转移函数，从而分析待测材料的特征。脉冲测试测量对于具有恒温限制的器件也是必需的，例如SOI器件、FinFET和纳米器件，可以避免自热效应，防止自热效应掩盖研究人员所关心的响应特征。器件工程师还可以利用脉冲测试技术分析电荷俘获效应。在晶体管开启后电荷俘获效应会降低漏极电流。随着电荷逐渐被俘获到栅介质中，晶体管的阈值电压由于栅电容内建电压的升高而增大；从而漏极电流就降低了。     脉冲测试有两种不同的类型：加电压脉冲和加电流脉冲。     电压脉冲测试产生的脉冲宽度比电流脉冲测试窄得多。这一特性使得电压脉冲测试更适合于热传输实验，其中我们所关心的时间窗口只有几百纳秒。通过高精度的幅值和可编程的上升与下降时间能够控制纳米器件上的能耗大小。电压脉冲测试可用于可靠性测试中的瞬态分析、电荷俘获和交流应力测试，也可用于产生时钟信号，模拟重复控制线，例如存储器读写周期。     电流脉冲测试与电压脉冲测试非常相似。其中，将指定的电流脉冲加载到DUT上，然后测量器件两端产生的电压。电流脉冲测试常用于测量较低的电阻，或者获取器件的I-V特征曲线，而不会使DUT产生大量的能耗，避免对纳米器件的损害或破坏。     电压和电流脉冲测试都有很多优点，但是它们的缺点却不尽相同。例如，超短电压脉冲的速度特征分析属于射频（RF）的范畴，因此如果测试系统没有针对高带宽进行优化，那么测量过程中很容易产生误差。其中主要有三种误差来源：由于线缆和连接器造成的信号损耗、由于器件寄生效应造成的损耗以及接触电阻。     电流脉冲测试的主要问题是上升时间较慢，可能长达几百纳秒。这主要受限于实验配置中的电感和电容     在运用脉冲测试过程中，我们需要掌握哪些小技巧和注意事项呢？快快加入讨论吧！下次博客中我们将总结 吉时利 工程师们多年实践的小窍门！敬请期待！

脉冲式电测试是一种能够减少器件总能耗的测量技术。它通过减少焦耳热效应（例如I2R和V2/R），避免对小型纳米器件可能造成的损坏。脉冲测试采用足够高的电源对待测器件（DUT）施加间隔很短的脉冲，产生高品质的可测信号，然后去掉信号源。 通过脉冲测试，工程技术人员可以获得更多的器件信息，更准确地分析和掌握器件的行为特征。例如，利用脉冲测试技术可以对纳米器件进行瞬态测试，确定其转移函数，从而分析待测材料的特征。脉冲测试测量对于具有恒温限制的器件也是必需的，例如SOI器件、FinFET和纳米器件，可以避免自热效应，防止自热效应掩盖研究人员所关心的响应特征。器件工程师还可以利用脉冲测试技术分析电荷俘获效应。在晶体管开启后电荷俘获效应会降低漏极电流。随着电荷逐渐被俘获到栅介质中，晶体管的阈值电压由于栅电容内建电压的升高而增大；从而漏极电流就降低了。 脉冲测试有两种不同的类型：加电压脉冲和加电流脉冲。 电压脉冲测试产生的脉冲宽度比电流脉冲测试窄得多。这一特性使得电压脉冲测试更适合于热传输实验，其中我们所关心的时间窗口只有几百纳秒。通过高精度的幅值和可编程的上升与下降时间能够控制纳米器件上的能耗大小。电压脉冲测试可用于可靠性测试中的瞬态分析、电荷俘获和交流应力测试，也可用于产生时钟信号，模拟重复控制线，例如存储器读写周期。 电流脉冲测试与电压脉冲测试非常相似。其中，将指定的电流脉冲加载到DUT上，然后测量器件两端产生的电压。电流脉冲测试常用于测量较低的电阻，或者获取器件的I-V特征曲线，而不会使DUT产生大量的能耗，避免对纳米器件的损害或破坏。 电压和电流脉冲测试都有很多优点，但是它们的缺点却不尽相同。例如，超短电压脉冲的速度特征分析属于射频（RF）的范畴，因此如果测试系统没有针对高带宽进行优化，那么测量过程中很容易产生误差。其中主要有三种误差来源：由于线缆和连接器造成的信号损耗、由于器件寄生效应造成的损耗以及接触电阻。 电流脉冲测试的主要问题是上升时间较慢，可能长达几百纳秒。这主要受限于实验配置中的电感和电容 在运用脉冲测试过程中，我们需要掌握哪些小技巧和注意事项呢？快快加入讨论吧！下次博客中我们将总结 吉时利 工程师们多年实践的小窍门！敬请期待！