原创 脉冲Vds-id 的测试参数

漏极电压Vd，从0至4V进行扫描，在每个Vd扫描之后，门极电压Vg步进到下一个数值。传统的只有直流的Vds-id和通过4200-RBT偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试，使用2个 SMU[2]，其源和本体连接到地（SMA的同轴电缆屏蔽层），如前几篇文章中的图1a的原理图所示。


Vds–id-pulse测试如图7所示。由于脉冲测试是UTMS（用户测试模块），所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。对于脉冲Vds-id[3]，门极电压不是阶梯的，所以将下一个Vds-id曲线附加到图上之前，必须输入每一个门极电压。

图7.       脉冲Vds-id UTM definition选项页

请注意，直流和脉冲测试的参数都可以很容易的进行修改，允许对晶体管行为特性进行交互式观察。下面章节运行Pulse IV测试部分会涵盖运行Vds-id测试的程序。

了解更多信息

         要想了解有关4200-PIV脉冲IV包或者吉时利其他系列数字源表的更多信息，请点击http://www.keithley.com.cn/products/dcac/voltagesource/?mn=4200-PIV ，或者联系吉时利公司：全国免费电话800-810-1334手机用户请拨打440-650-1334。

免费索取吉时利2011年测试测量产品目录CD
 http://www.keithley.com.cn/promo/wb/286

吉时利2011年测试测量产品目录CD包含了完备的测试测量资源，近400页的参考资料、选型指南都包括在一张简单易用的CD中。

[/nobr]