标签: ram

概述 项目使用的FPGA目标器件为Cyclone 10 GX系列规模最大一颗料，由于功能升级增加了功能模块更多，发现器件片内RAM不够使用了。为了探索片内RAM使用的利用率问题，从代码RTL级与编译软件的优化选项方面进行了思考。表1是器件手册中给出的C10GX器件片内RAM颗粒，即M20K，可配置模式。 表1：Intel Cyclone 10 GX器件单端口片内存储器配置 对于MLAB来说，一个MLAB大小是640bit，是由双功能逻辑阵列模块（LAB）配置而成。MLAB是宽而浅型存储阵列的最佳选择，每个MLAB由10个自适应逻辑模块（ALM）组成，在Intel Cyclone 10 GX器件中，这些ALM可配置成10个32x2模块，这样的每个MLAB可实现32x20的简单双端口SRAM模块，Cyclone 10 GX系列器件中片内存储器性能及分布如表2所示。 表2：Intel Cyclone 10 GX器件中片内存储器性能及分布 项目遭遇片内RAM不够问题 升级的项目，在之前逻辑设计的基础上增加了两个模块，理论上存储器消耗要增加一倍。逻辑修改后，工程全编译时，在Fit阶段报错，提示目标器件无法提供足够的RAM来完成布局，如图1所示。 图1：因RAM不足，导致布局失败 Info ( 170034 ) : Selected device has 587 memory locations of type M20K block. The current design requires 626 memory locations of type M20K block to successfully fit. Info ( 170033 ) : Memory usage required for the design in the current device: 107 % M20K block memory block locations required Info ( 170043 ) : The Fitter setting for Equivalent RAM and MLAB Paused Read Capabilities is currently set to Care. More RAMs may be placed in MLAB locations if a different paused read behavior is allowed. 从编译消息列表中摘出上述3条有关出错的消息，第一条提示器件总共587个M20K颗粒，当前设计需要626个来完成布局。第二条给出当前设计完成布局需要消耗器件片内RAM颗粒数量是目标器件能提供的107%。第三条消息提示Fitter的关于“Equivalent RAM and MLAB Paused Read Capabilities”当前设置是“Care”，如果允许更改该设置，则可以将更多的RAM消耗替换为MLAB消耗。 在Quartus的Settings设置中，找到编译器设置页面，并在该页面中找到属于Fitter的Settings高级设置按钮，如图2所示，并点击此按钮进入高级Fitter设置页面。 图2：编译器设置页面 如图3所示，为Fitter的高级设置页面，找到“Equivalent RAM and MLAB Paused Read Capabilities”设置选项，可以将默认设置“Care”修改为“Don’t Care”，如此再重新编译后则可以解决上述报错问题，如图4。 如图4所示，虽然经过上述修改解决该报错问题，但是整个RAM消耗已经达到了100%。100%的RAM消耗率，如果设计功能已经达到目标要求，则是可以作为最终设计提交，但是这仅仅这是项目的预先编译评估，所以并不能就此停止。比如，在后期调试时需要添加SignalTap功能的时候，就可能面临无RAM可用的情况。同时，还需要了解上述设置修改对逻辑设计是否产生负面影响进行评估，即需要对该设置进行深入了解，否则不要轻易修改默认设置。 如果需要进一步减小RAM消耗，那么就需要针对当前设计进行深度优化，这是下一节的内容。 图3：高级Fitter设置页面 片内RAM耗尽后，优化思考 Cyclone 10 GX最大型号器件，总共有587颗片内M20K颗粒，如图4所示，按照图3所示对Fitter高级设置进行修改后，对工程再编译，全编译无报错通过，编译报告提示所有M20K颗粒已经100%耗尽。 图4：M20K颗粒耗尽统计报告信息 如果查看Fitter给出的各个M20K颗粒使用详尽信息，可以发现，各个颗粒容量的使用率不尽相同，有些颗粒甚至使用了不到1%，如图5所示，这些颗粒有12个。 图5：Cyclone 10 GX系列最大器件中M20K颗粒使用情况信息 上述不到1%利用率的M20K颗粒很大可能是为了与其它颗粒“凑整”过程中被消耗的，一旦被占据，该M20K颗粒空余空间就无法开放给其它逻辑使用了。如此大大降低了RAM颗粒的利用率，在进行逻辑设计的初始阶段就应该核算RAM、FIFO或ROM的大小与实际片内RAM颗粒的尺寸来进行规划，提高资源的利用效率。 举个简单的例子说明RAM被“奢侈”利用，AD9633分解为8个LVDS接收器通道，解串后得到了48-bit的并行数据，这时创建了一个FIFO来缓冲该数字转换数据，所以FIFO的位宽48-bit，深度选择为8。所以一个FIFO实际消耗384-bit的RAM，但是经过编译，该FIFO必须要使用2个M20K颗粒（共40960-bit）来实现，RAM利用率不到1%。是不是很奢侈，很浪费？！ 这个FIFO的读写时钟不一样，所以属于异步FIFO，修改图3所示的高级设置选项也无法将FIFO转换为MLAB来实现。在例化FIFO的时候倒是可以强制指定使用MLAB来实现它。 参考 Intel Cyclone 10 Devvices Overview.

随着数据中心、人工智能、自动驾驶、5G、计算存储和先进测试等应用的数据量和数据流量不断增大，不仅需要引入高性能、高密度FPGA来发挥其并行计算和可编程硬件加速功能，而且还对大量数据在FPGA芯片内外流动提出了更高的要求。于是，在FPGA芯片中集成包括片上二维网络（2D NoC）和各种最新高速接口的新品类FPGA芯片应运而生，成为FPGA产业和相关应用的新热点。 拉开这场FPGA芯片创新大幕的是全球最大的独立FPGA技术和产品提供商Achronix半导体公司，其采用7nm工艺打造的AchronixSpeedster7t FPGA不仅拥有诸多高性能外围Hard IP，而且是全球首次在FPGA的逻辑阵列上集成了2D NoC，一经推出就在市场得到了积极的响应，并引来竞争对手的模仿和跟随。 Speedster7t这款专门针对人工智能/机器学习（AI / ML）和高带宽应用进行优化的高性能、高密度FPGA，包括了革命性的二维片上网络（2D NoC）、新型机器学习处理器（MLP）、400G以太网和PCIe Gen5端口，以及高带宽GDDR6和DDR4/5存储控制器。Speedster7t FPGA架构如图1所示。 图1 Speedster7t FPGA结构图 AchronixSpeedster7tFPGA除了在外围HardIP上都采用目前业内领先的大带宽高速率IP，在内部的可编程逻辑的架构中也做了大量的优化去进一步提高内部可编程逻辑的性能，从而适配外围IP超高带宽需求。本文首先谈谈Speedster7tFPGA的片上SRAM，也就是BlockRAM针对传统的结构所做出的一些优化。 Speedster7tFPGA中可编程逻辑的架构 Speedster7tFPGA中内部的可编程资源是按列排布，包括LUT、FF、ALU、MUX、MLP、BlockRAM、LogicRAM。如图2所示。 图2 Speedster7t FPGA可编程逻辑结构 其中MLP、BlockRAM、LogicRAM是集成在一起，他们之间的连接用的是专有的走线，不占用可编程逻辑走线资源，这样做的目的主要是为了提高性能，同时也可以节省可编程逻辑走线资源，这个架构对于AI，还有需要用到MLP的一些复杂算法的性能优化是非常明显的，在我们的MLP系列文章中会详细讲到，这里我们只重点说一下BlockRAM。 Speedster7tFPGA的BlockRAM特点 Speedster7t FPGA内部的BlockRAM是一个容量为72kbit的简单双端口RAM，有一个读端口，一个写端口。两个端口的时钟完全独立，并且可以完全独立的配置读写位宽。它可以灵活的配置成简单双端口RAM或者ROM。 BlockRAM的主要特性如表1所示。 表1 Block RAM的关键特性 BlockRAM框图如图3所示。 图3 BlockRAM内部结构 Speedster7tFPGA的BlockRAM级联结构 Speedster7tFPGA的BlockRAM最大的特点是增加了BlockRAM间的级联走线，级联走线是BRAM间专有的连线，不占用可编程逻辑的走线资源，可以极大的提升多个BlockRAM级联的性能。图4显示了BlockRAM间级联走线的架构。 图4 BlockRAM级联结构 由图4可以看出，读写地址线和数据线都有专有的级联线连接。这样的架构在一些场景中都会有应用，比如：需要从外部端口接收数据或者从GDDR6读数据去初始化大量BlockRAM的场景，AI的神经网络就是一个典型的应用，在每一层的卷积算法中，系统都会从GDDR6读出图像数据和权重数据放入每个引擎的BlockRAM中，引擎计算完毕以后再存入到GDDR6中供下一次运算使用。 有了这样的级联架构，我们在写入数据去初始化大量BlockRAM的时候不需要外部数据有很大的扇出，直接通过同一列BlockRAM的级联线就可以轻松完成，具体实现可以参考Achronix MLP_Conv2D参考设计。另外一个例子就是在需要多个BlockRAM去构成更大容量的RAM的时候，如果利用级联线可以大大提升系统的性能。我们针对这个专门做了一个工程比较一下，生成一个位宽64bit，深度16384的一个简单双端口RAM，需要用到16个BlockRAM。我们分别用专有级联线和内部可编程逻辑去拼深度两种方法来对比。可以看到用专有的级联线资源更省，而且性能有了很大的提高。 使用专有的级联线资源占用和性能： 使用可编程逻辑资源占用和性能： 后面我们会继续深入了解Speedster7t FPGA可编程逻辑的各种特性，并且会用一些例子来说明如何更高效的利用这些特性，以将Speedster7t这款业界首创的高数据带宽FPGA芯片与更多的创新智能化应用结合起来。 此外，Achronix也提供Speedcore嵌入式FPGA硅知识产权（IP）产品，用来帮助用户在应用规模进一步扩大后，去开发带有eFPGA逻辑阵列的ASIC或者SoC产品，它们由Achronix的ACE FPGA开发工具提供支持，从而可以重用FPGA开发成果，这是Achronix在率先引入2D NoC和MLP之外，另一个层面上的创新。 参考文献： Achronix website www.achronix.com Achronix Speedster7t IP component UG090

单片机就是个小计算机，大计算机少不了的数据存储系统，单片机一样有，而且往往和CPU集成在一起，更加显得小巧灵活。 直到90年代初，国内容易得到的单片机就是8031：不带存储器的芯片，要想工作，还必须外加RAM和ROM，单片机成了3片机...... 现在不同了，大的小的又是51，又是AVR又是STC，还有什么430，PIC等等，都各说各的好，可是谁也不敢说“我不要存储器”。 单片机的数据存储手段 程序存储器ROM 程序存储器里面存放的是单片机的灵魂：工作程序。 小的可能只有1KB，最多只能装1024条8位数据，因为实际指令还有许多2字节，3字节指令，所以它还装不下1024条指令。大的也有128KB的。这些8位数据，要么在工厂里做模子光刻进去，要么一次性的烧写进去。 业余或开发，最多也就是用编程器这么一个特殊工具，把调试成功的机器码装载进去，或者像AVR单片机那样自己花几块钱做一条下载线，把电脑里这些东西灌进去（或许是AVR最吸引人之处）。 它一旦进驻电脑的程序存储器中，除了借助上述装置便不能自由改写，在单片机运行时，只是从其中读出指令或固定的数据，所以给程序存储器一个“只读存储器”的别名，简写为ROM，包括用编程器写紫外线擦除内容的EPROM、用电擦除的EEPROM和现在新兴的FLASH ROM。 一次性写入的ROM，仅用于电路和程序固定的批量产品中，实际工作起来，都是一样的。 为了定位ROM中的数据，每个8位存储单元都有一个固定的“地址”，通常用16进制数表示。例如，对于一个所谓4K的ROM，地址从0000H到0FFFH（即从0000，0001...4095），单片机运行时从哪个地址取数据，完全由程序本身决定，并不要我们干预。 记住，给单片机一通电，它经过一个短暂的复位过程，立即转向ROM的最低地址0000H，在这里面放置的往往是一条“跳转”指令，它从这里一步跳到另一个地址：程序的真正起始地址，例如51机的0080H。 ROM是程序存储器，除了指令外，还包括运行程序必须的某些固定数据，例如：数据表。假如，我们要求在单片机的接口上输出00H到FFH（255）按正弦半波变化的数值，每秒10000次。如果硬要它按照公式一个个计算，对于它来说未免力不从心。可是我们可以把预先计算好的数值存入ROM中，到时候直接取出不是好多了？ 又如一个重要的应用：大家一定见过不少单片机的东西上面都有数码显示，那些个数字其实就是用单片机的口线控制数码管的字段电极电位。这些字形也是存放在ROM中的字模表，各个字模和0-9的数字（机器内当然是0000-0101二进制数）对应起来。常见的共阳极7段数码管，必须在阳极加正电，7个阴极都是地电位，才能显示数字"8"，数字8对应的显示字码值是二进制数“10000000“（那个1对应的是小数点，高电位不让它显示）。 数据存储器RAM 这是个可以随时存取数据的一块存储器，也就是可以读（取）也可以写（存）的存储器，简称RAM。 现在的单片机里面使用的RAM，属于静态RAM或SRAM，这个和电脑用的内存条有所不同。只要你把数据写入SRAM后，不断电或者不清除掉，这个数据就一直保存在那里。电脑用的是动态RAM，要不断给它加刷新脉冲才能保存数据。 因为单片机处理的信息量比电脑小很多，所以它带的RAM也比较少：从完全不带、带128、256、...1K、2K，到4K，比ROM少多了。 因为实际上RAM只是作为数据临时存放的地方，除非进行图像处理需要存放大量的数据外。一般对于执行较简单任务的单片机，有这么多也够用，如果实在不够用也只能采取外加SRAM如6116、6264等等来扩展。 为了对RAM单元存取8位二进制数，当然也得和ROM一样用“地址”来标示它的具体位置。假如某单片机有1K（1024）RAM，它的地址也是从0000到1024，或16进制数的0000H到03FFH。可见，和ROM的地址是一样的。 会不会混淆不清？ 不会，因为读ROM是由单片机的程序指针或转移指令或查表指令进行，而这些指令是不会进入RAM区的；读写RAM是另外的数据传送指令，也不会进入ROM区。这点也是和电脑不同之处，后者程序和数据都在内存条里面，地址不同，如果窜位了就会造成不可预见后果。单片机的这种存储器结构也称为哈佛结构。 RAM在单片机里的用途 RAM在单片机里的用途，主要是存放临时数据。 例如用单片机测温，每秒测1次，显示1分钟的平均值（1分钟更新一次）： 我们先通过传感器、放大电路、A/D转换，把温度这个模拟量转变为成比例的二进制数，然后每秒钟1次把数字量通过输入口顺序存入到单片机的RAM中，然后对他们进行两两求和再平均的计算，最后的数值显示出来，然后把这60个存储单元统统写0清除旧数据，下次又是如此循环进行。 结语 另外在单片机里面还有若干寄存器，数量不多但是作用很大，除了暂存数据，还可以交换、加工、传递等等，以及随时记录单片机当前处于什么状态，输入输出口也是作为特殊功能的寄存器存在，具体各有不同，就不是随便说说可以搞清楚的，要看有关书籍了。 - END - 关于造物工场 造物工场立足金百泽超过20年柔性电子制造服务优势，聚焦产品方案和电子工程的设计服务，提供从创意到制造、PCB/PCBA/BOM/元器件等一站式硬件服务。

  我司是韩国EMLSI和美国Everspin半导体中国区指定代理.  公司主要产品有： 1,Low power SRAM (低功耗静态随机存储器)1Mbit~8Mbit.  2,SPI SRAM(串行静态随机存储器)64Kbit~512Kbit.  3,PSRAM (虚拟静态随机存储器)4Mbit~64Mbit.  4,Cellular RAM(伪静态随机存储器)4Mbit~64Mbit.  5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.  6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit~1Gbit  7.MCP 512Mbit+256Mbit,1Gbit+512Mbit，64Mbit+32Mbit,128Mbit+64Mbit,32Mbit+16Mbit  8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit~512Mbit     Pseudo SRAM,UtRAM,Cellular RAM 型号及参数如下: Density     Voltage      Part Name                       Package ----------------------------------------------------------------------- 64Mbit       1.8V         EMC645SP16AKY-70LF        54BGA  64Mbit       1.8V         EMC643SP16AJY-70LF         54BGA  64Mbit       1.8V         EMC643SP16AKY-70LF        54BGA  64Mbit       1.8V         EMC646SP16AJY-70LF         54BGA  64Mbit       1.8V         EMC646SP16AKY-70LF        54BGA  64Mbit       1.8V         EM7644SP16LP-70LFx         48BGA  64Mbit       1.8V         EM7644SP16MP-70LFx        48BGA  64Mbit       1.8V         EM7644SP16NP-70LFx        48BGA  64Mbit       1.8V         EM7644SP16PP-70LFx        48BGA  64Mbit       1.8V         EM7644SP16RP-70LFx        48BGA  64Mbit       1.8V         EM7644SP16SP-70LFx        48BGA  64Mbit       3.0V         EM7644SU16ALP-70LFx      48BGA  64Mbit       3.0V         EM7644SU16AMP-70LFx     48BGA  64Mbit       3.0V         EM7644SU16ANP-70LFx     48BGA  64Mbit       3.0V         EM7644SU16APP-70LFx     48BGA  64Mbit       3.0V         EM7644SU16ARP-70LFx     48BGA  64Mbit       3.0V         EM7644SU16ASP-70LFx     48BGA  -----------------------------------------------------------------------     32Mbit       1.8V         EMC325SP16AKY-70LF       54BGA  32Mbit       1.8V         EMC323SP16AJY-70LF        54BGA  32Mbit       1.8V         EMC323SP16AKY-70LF       54BGA  32Mbit       1.8V         EMC326SP16AJY-70LF        54BGA  32Mbit       1.8V         EMC326SP16AKY-70LF       54BGA  32Mbit       1.8V         EM7324SP16LP-70LFx        48BGA  32Mbit       1.8V         EM7324SP16MP-70LFx       48BGA  32Mbit       1.8V         EM7324SP16NP-70LFx       48BGA  32Mbit       1.8V         EM7324SP16PP-70LFx       48BGA  32Mbit       1.8V         EM7324SP16RP-70LFx       48BGA  32Mbit       1.8V         EM7324SP16SP-70LFx       48BGA  32Mbit       3.0V         EM7324SU16LP-70LFx       48BGA  32Mbit       3.0V         EM7324SU16MP-70LFx      48BGA  32Mbit       3.0V         EM7324SU16NP-70LFx      48BGA  32Mbit       3.0V         EM7324SU16PP-70LFx      48BGA  32Mbit       3.0V         EM7324SU16RP-70LFx      48BGA  32Mbit       3.0V         EM7324SU16SP-70LFx      48BGA  -----------------------------------------------------------------------     16Mbit      1.8V         EMC165SP16KY-70LF          54BGA  16Mbit      1.8V         EMC163SP16JY-70LF           54BGA  16Mbit      1.8V         EMC163SP16KY-70LF          54BGA  16Mbit      1.8V         EMC166SP16JY-70LF           54BGA      16Mbit      1.8V         EMC166SP16KY-70LF          54BGA  16Mbit      1.8V         EM7164SP16LP-70LFx        48BGA  16Mbit      1.8V         EM7164SP16MP-70LFx       48BGA  16Mbit      1.8V         EM7164SP16NP-70LFx       48BGA  16Mbit      1.8V         EM7164SP16PP-70LFx       48BGA  16Mbit      1.8V         EM7164SP16RP-70LFx        48BGA  16Mbit     1.8V          EM7164SP16SP-70LFx        48BGA  16Mbit     3.0V          EM7164SU16BLP-70LFx      48BGA  16Mbit     3.0V          EM7164SU16BMP-70LFx     48BGA  16Mbit     3.0V          EM7164SU16BNP-70LFx     48BGA  16Mbit     3.0V          EM7164SU16BPP-70LFx     48BGA  16Mbit     3.0V          EM7164SU16BRP-70LFx     48BGA  16Mbit     3.0V          EM7164SU16BSP-70LFx     48BGA     Low power SRAM,Serial SRAM型号及参数如下:   Desity         Part Name         Org.             Package            Voltage ---------------------------------------------------------------------------- 8Mbit          EM680FV8BU      1Mx8bit          44TSOP2        2.7~3.6V  8Mbit          EM681FV8BU      1Mx8bit          44TSOP2        2.7~3.6V  8Mbit          EM680FV8B        1Mx8bit          48BGA            2.7~3.6V  8Mbit          EM681FV8B        1Mx8bit          48BGA            2.7~3.6V  8Mbit          EM681FV16BU    512Kx16bit    44TSOP2         2.7~3.6V  8Mbit          EM680FV16B       512Kx16bit    48BGA            2.7~3.6V  8Mbit          EM681FV16B       512Kx16bit    48BGA            2.7~3.6V  --------------------------------------------------------------------------     4Mbit          EM641FT8S         512Kx8bit      32 STSOP1     5.0V  4Mbit          EM641FV8FS       512Kx8bit      32 STSOP1     2.7~3.6V  4Mbit          EM643FV16FU     256Kx16bit    44 TSOP2       2.7~3.6V  4Mbit          EM644FV16FU     256Kx16bit    44 TSOP2       2.7~3.6V  4Mbit          EM645FV16FU     256Kx16bit    44 TSOP2       2.7~3.6V  4Mbit          EM646FV16FU     256Kx16bit    44 TSOP2       2.7~3.6V  4Mbit          EM643FV16F       256Kx16bit    48BGA            2.7~3.6V  4Mbit          EM644FV16F       256Kx16bit    48BGA            2.7~3.6V  4Mbit          EM645FV16F       256Kx16bit    48BGA            2.7~3.6V  4Mbit          EM646FV16F       256Kx16bit    48BGA            2.7~3.6V  4Mbit          EM640FV16F       256Kx16bit    48BGA            2.7~3.6V  4Mbit          EM641FV16F       256Kx16bit    48BGA            2.7~3.6V  ---------------------------------------------------------------------------  2Mbit         EM620FV8BS      256Kx8bit       32 STSOP1      2.7~3.6V  2Mbit         EM621FV8BS      256Kx8bit       48BGA             2.7~3.6V  2Mbit         EM620FV16B      128Kx16bit     32 STSOP1      2.7~3.6V  2Mbit         EM621FV16B      128Kx16bit     48BGA             2.7~3.6V ---------------------------------------------------------------------------    1Mbit         EM610FV8S       128Kx8bit        32 STSOP1     2.7~3.6V  1Mbit         EM610FV16U     64Kx16bit        44 TSOP2       2.7~3.6V  1Mbit         EM611FV16U     64Kx16bit        44 TSOP2       2.7~3.6V  1Mbit         EM610FV8T       128Kx8bit        32 STSOP1     2.7~3.6V                     我司是美国Everspin半导体中国区指定代理. Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，  来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材  料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。     主要代理MRAM（非易失性存储器）,可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM，EEPROM,BBSRAM,FLASH容量有：   串口：256Kbit,1Mbit,4Mbit   型号                容量     数据结构    总线速度     工作电压     工作温度     封装 MR25H256     256Kb     32K*8       40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN  MR25H10       1Mb       128K*8      40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN  MR25H40       4Mb       512K*8      40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN,8-DIP     并口（*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit 型号                 容量     数据结构    总线速度     工作电压                工作温度     封装 MR256A08B       256Kb     32K*8       35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA  MR0A08B           1Mb       128K*8      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA  MR0D08B           1Mb       128K*8      45ns         2.7V~3.6V,I/O 1.8V      Blank       48-BGA  MR2A08A           4Mb       512K*8      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA  MR4A08B           16Mb      2Mb*8       35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA     并口（*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit 型号                容量     数据结构    总线速度     工作电压                工作温度     封装 MR0A16A         1Mb       64K*16      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA  MR2A16A         4Mb       256K*16      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA  MR4A16B         16Mb      1Mb*16       35ns         2.7V~3.6V               C,M         54TSOP,48-BGA     我司产品可完全替代FRAM(铁电存储器）,NV-SRAM,MRAM,如有需要请随时和我们联系. 如以下型号：   CY14B064I       CY14ME064       CY14B101KA      CY14B108N  CY14B064P       CY14B101Q       CY14B101LA      CY14B256KA  CY14B101Q       CY14C101J       CY14B101MA      CY14E256LA  CY14B101I       CY14B256P       CY14B101NA      CY14V101LA  CY14C101I       CY14B256Q       CY14B104K              CY14V101NA  CY14B101P       CY14B512I       CY14B104LA      CY14V104LA  CY14E256Q       CY14B512P       CY14B104M              CY14V104NA  CY14MB064       CY14B512Q       CY14B104NA      STK11C88  CY14MB256       CY14B101Q       CY14B108K              STK14C88  CY14B108M       STK16C88       CY14B108L              STK15C88     FM23MLD16        FM25H20           FM1808         FM18W08  FM22L16                 FM25V10           FM18L08         FM1808B  FM22LD16         FM25V05           FM24C512         FM28V010  FM21L16                 FM25V02           FM24L256         FM25L256B  FM21LD16         FM25W256   FM24C256         FM25256B  FM28V100         FM25V01           FM24V05         FM24V10  FM28V020         FM25L512   FM24W256         FM24V01  FM24V02       英尚国际有限公司（EVERSPINEMLSI中国区代理（主营：SRAM,PSRAM,UtRAM,MCP,Mobile SDRAM,MRAM,Nv-RAM,FRAM) -Http://www.sramsun.com.   如有需要请随时和我们联系. 我们原厂供货，价格交期较有优势. 谢谢！ ----------------------------- Sandy(苏女士) Ramsun International Limited. 英尚国际有限公司 M/P:86-137 9533 2690  e_mail:sandy@sramsun.com  QQ:1537376816 tel：021-6678 7052

说起存储器IC的分类，大家马上想起可以分为RAM和ROM两大类。   RAM是Random Access Memory的缩写，翻译过来就是随机存取存储器，随机存取可以理解为能够高速读写。常见的RAM又可以分成SRAM(Static RAM：静态RAM)和DRAM(dynamic RAM：动态RAM)。   ROM是Read Only Memory的缩写，翻译过来就是只读存储器。常见的ROM又可分为掩膜ROM(有时直接称为ROM)、PROM(Programmable ROM：可编程ROM，特指一次编程的ROM)、EPROM(Erasable Programmable ROM：可擦除可编程的ROM，擦除时用紫外线)、EEPOM(Electrically Erasable Programmable ROM：电可擦除可编程ROM)。   以上是大家在各种教材上看到的存储器的分类。   问题是，ROM明明叫只读存储器，也就是不可写的存储器，现实是除了掩膜ROM是不可写的外，PROM、EPROM、EEPOM事实上都是可写的。它们的名称中还带有“ROM”是名不副实的叫法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPOM这几种存储器的共同特点其实是掉电后，所存储的数据不会消失，所以可以归类为非易失性存储器(即Non-Volatile Memory)。   SRAM、DRAM的共同特点是掉电后数据会丢失，所以也可称为易失性存储器(Volatile memory)。   于是，存储器从大类来分，可以分 为易失性存储器和非易失性存储器。   后来出现的Flash Memory(快闪存储，简称闪存)，掉电后数据也不容易丢失，所以也属于非易失性存储器。Flash Memory的名称中已经不带ROM字样了，但是传统的分类方法中，还是把Flash Memory归类为ROM类，事实上此时是因为这些存储器都是非易失的。   把存储器分为易失性存储器和非易失性存储器就万事大吉了么？   令人纠结的是，有一种新的存储器，它既是非易失的，同时又是能够高速随时读写数据的，也就是说能够随机存取的。这种存储器就是FRAM(Ferroelectric Random Access Memory：铁电随机存取存储器，简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以，但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近，它也是一种RAM。   于是，存储器的分类令人纠结。传统的分为RAM与ROM的方式本来就不科学。如果按分成RAM与非易失性存储器这两大类，也不科学，因为这个分类本身就不是按同一个标准分，导致FRAM即属于RAM，又属于非易失性存储器。如果只分成易失性存储器和非易失性存储器，又导致FRAM与SRAM、DRAM分家，大家都有RAM嘛，凭什么分开是吧。   我的建议是，存储器分成随机存取存储器和非随机存取存储器两大类比较合适。   于是，存储器的分类如下(按存取速度分类)：   随机存取存储器：SRAM、DRAM、FRAM； 非随机存取存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPOM、Flash Memory。 差强人意的分类为(按易失性分类)：   易失性存储器：SRAM、DRAM； 非易失性存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPOM、Flash Memory、FRAM。