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本文档详细介绍怎样在Altera®MAX®IICPLD中实现NAND闪存接口。本设计可以采用Samsung或者AMDNAND闪存来实现。利用MAXIICPLD实现NAND闪存接口2007年12月，1.0版应用笔记500引言本文档详细介绍怎样在AlteraMAXIICPLD中实现NAND闪存接口。本设计可以采用Samsung或者AMDNAND闪存来实现。闪存闪存是非易失半导体存储器，可以编程并能够重新编程。它将信息存储在单元阵列中，每个单元存储一个比特的信息。单元采用了双逻辑门结构，控制逻辑门和MOSFET硅基底之间是浮动逻辑门。采用了二氧化硅绝缘体来隔离浮动逻辑门。这就是闪存的基本存储机制。NOR闪存和NAND闪存是两种类型的闪存。NOR闪存支持随机访问，而NAND闪存是顺序访问器件。这两类闪存的接口有很大不同。NOR闪存采用了专用地址线和数据线，而NAND闪存没有专用地址线。……