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  • 2020-3-10 15:04
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    四年前,由于内存价格的飙涨,买卖DRAM(动态随机存取存储器)被称为是“比炒房还要赚钱的生意”。 四年后,存储元器件的涨价潮似乎又开始卷土重来,并且蔓延至多个领域。 自今年年初开始,受供需不平衡影响,全球存储芯片的市场开始出现波动,CMOS影像感测器(CIS,互补金属氧化物半导体图像传感器)、被动元件等关键电子元器件也出现了不同程度的缺货。 此外,由于日本和韩国承载了大量电子上游核心元器件及材料的生产,疫情如果不能得到很好的控制,业内人士分析,将会给整个电子产业的供给造成很大紧缺,从而进一步扩大涨价趋势。 群智咨询首席分析师陈军在接受记者采访时表示,疫情给很多元器件涨价提供了理由,但长期来看价格的波动仍然取决于市场需求能不能得到满足。 “受5G等因素影响 ,从去年四季度我们就判断产能吃紧,疫情只是涨价其中的一个原因。 ” 日韩疫情加速元器件价格波动 作为仅次于中、美、日、德的制造业大国,韩国和日本的疫情发展走势直接影响着全球制造业供应链的稳定。 以存储为例,存储在手机中的成本通常达到25%~35%,已超过屏幕、CPU,成为手机最大的成本,而三星、SK海力士两家韩系厂商均在存储器领域占据重要地位。 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,从2019年第四季度全球NAND品牌厂商营收来看,三星排名第一,市场份额达到35.5%; SK海力士排名第六,市场份额为9.6%。 2019年第四季度全球DRAM厂自有品牌内存营收排名中,三星位居第一,市场份额43.5%,SK海力士为第二名,市场份额29.2%。 也就是说,在NAND领域两家韩系厂商的市场占有率已经达到45.1%,而在DRAM领域,占比更是高达72.7%。 申港证券在报告中指出,存储市场在经历了去年 7 月西部数据断电事故,以及今年年初三星华城厂断电事故,价格已有趋稳之势。 此次又受疫情影响,特别是韩国作为全球存储重地, 疫情形势不容乐观,可能影响三星、SK 海力士工厂正常运营,从而影响全球 存储供应导致价格上涨。 业内最新的报价显示,内存及SSD硬盘的现货价已开始出现波动。 以8Gb DDR4标准型DRAM现货价为例,1月以来涨幅超过10%,4Gb DDR4标准型DRAM现货价涨幅更是接近20%。 日本企业则在半导体材料领域占据重要地位。 在 2019 年前 5 个月,日本生产的半导体材料占全球产量的 52%。 同期,韩国从日本进口的光刻胶价值就达到 1.1 亿美元。 韩国贸易协会报告显示,韩国半导体和显示器行业在氟聚酰亚胺、光刻胶及高纯度氟化氢对日本依赖度分别为 91.9%、43.9%及 93.7%。 在硅片领域,日本的信越化学和SUMCO两家就占据全球 53%的市场份额。 在去年的日韩贸易战中,日本限制含氟聚酰亚胺、光刻胶,以及高纯度氟化氢这三种材料的对韩出口,引起了整个半导体领域的震动。 上游产能不足恐延续至年中 在多家分析机构看来,电子元器件涨价潮维持多久一方面取决于疫情能否在全球得到有效控制,另一方面则是上游产能的供给是否能够满足需求。 随着去年下半年市场对5G需求的增加,加上苹果iPhone11系列销售优于预期,半导体生产链订单触底回升。 里昂证券表示,亚洲8英寸晶圆代工供不应求,不仅是台积电,联电、中芯国际等厂商也面临相同情况,包括超薄型屏下指纹辨识、5G手机拉货等都在让整体晶圆需求大增。 此外,TWS耳机带来的蓝牙主控芯片需求增长,CMOS 影像感测器需求的上升也给上游晶圆厂商的产能带来挑战。 根据群智咨询(Sigmaintell)《全球智能手机摄像头供需报告》数据,2019年全球智能手机摄像头传感器出货量约47亿颗,同比增长约15%。 得益于华为、三星、小米、OPPO领先发力多摄的贡献,使得销量主力的中低端陆续地搭载四摄。 同时,伴随着定制化和大像素需求的上升,摄像头传感器销售额也是逐年递增。 从传感器出货量来看,全球智能手机摄像头传感器供应链集中化程度非常高。 按照地区分布来看,中国大陆约占30%,韩国约占40%。 “摄像头在上半年依旧会有一个较好的发展趋势。 ”陈军对记者表示,2019年随着多摄的渗透率加速,大像素需求快速增加,导致摄像头市场供需关系出现结构性紧张,部分像素传感器在第四季度出现紧缺现象。 “部分产品一季度的数据相比去年四季度已经有5%左右的价格涨幅。 ” 除了摄像头外,被动元件等产品的涨幅已开始扩大。 被动元件主要用于电路中,控制信号传递、增益信号大小等功能,对于芯片、通信、面板等高新技术行业不可或缺。 受需求激增以及疫情影响,从今年年初开始,MLCC(片式多层陶瓷电容器)、芯片电阻等被动元件已多次计划调涨价格,近期涨价主要由电阻龙头国巨带动,调价幅度在30%左右。 早在春节之前,部分MLCC厂商就因供需紧张而宣布涨价: 华新科2019年12月27日宣布涨价20%~25%,风华高科2020年1月2日宣布涨价20%~30%,三星电机1月2日宣布涨价10%~15% 。 来源:第一财经
  • 热度 23
    2019-1-3 14:16
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    将钽电容换成MLCC电容时,需要注意什么?
    将钽电解电容器换成片状多层陶瓷电容器,这样做的理由主要有两个。 第一是可靠性问题 。钽电解电容器存在发生短路故障时导致冒烟和起火的可能性。出现冒烟和起火现象时,对于配备钽电解电容器的电子产品而言是致命的。 另一个是原材料钽的问题 。钽属于稀有金属,其产地在全世界屈指可数。因此,如果产地出现政治动荡等,就会陷入价格暴涨、供给不稳定的局面。只要原材料是稀有金属,钽电解电容器用户就不可能完全避免此类风险。 而解决这些问题的对策就是用片状多层陶瓷电容器来取代钽电解电容器。片状多层陶瓷电容器发生冒烟和起火的可能性要远远低于钽电解电容器。另外由于不使用稀有金属,价格和供给都更加稳定。而且还有一些钽电解电容器所不具备的优点。 其优点主要有两个。一是能削减贴装面积。因为片状多层陶瓷电容器单位体积的静电容量较大。另一个是用于DC-DC转换器等输出平滑电路时,可降低输出纹波电压。 原因在于片状多层陶瓷电容器的等效串联电阻(ESR:Equivalent Series Resistance)较低。如图1所示,使用钽电解电容器时,输出纹波电压为56mV,而使用片状多层陶瓷电容器时则降到了7mV。 ▪用于输出平滑用途时需要注意 不过,并不是只要单纯地将钽电解电容器换成片状多层陶瓷电容器,工作就结束了的。根据用途的不同,有时还需要注意一些问题。 图1:替换成片状多层陶瓷电容器可以抑制纹波电压 将DC-DC转换器的输出电容器由钽电解电容器换成片状多层陶瓷电容器时的输出电压波形。DC-DC转换器的开关频率为300MHz。钽电解电容器的容量为100μF。使用3 个 22μF的片状多层陶瓷电容器产品。替换前的纹波电压为56mV,更换成片状多层陶瓷电容器后降到了7mV。 典型事例是用于上面提到的DC-DC转换器等输出平滑电路时。 虽然片状多层陶瓷电容器确实具备因ESR比较低而能降低输出纹波电压的优点,但ESR低的特性有时却是把“双刃剑”。原因是替换为片状多层陶瓷电容器后,DC-DC转换器反馈环路响应特性的相位会大幅偏移。最坏的情况会出现180度偏移,导致DC-DC转换器的输出异常振荡。这样的话,DC-DC转换器就无法发挥作用了。 为此,将片状多层陶瓷电容器用于输出平滑电路时,需要调整相位补偿电路的常数。如果相位补偿电路集成在DC-DC转换器IC的内部,需要测量被替换掉的钽电解电容器的ESR,然后串联插入ESR与钽电解电容器相同的电阻器。这样做就能抑制异常振荡。 详情请参见图2。图2(a)是单纯把构成DC-DC转换器输出平滑电路的电容器由钽电解电容器更换成片状多层陶瓷电容器后的输出电压波形。波形出现了异常振荡,DC-DC转换器的输出电压也随之大幅变化。图2(b)是对反馈环路相位补偿电路的常数进行调整后的波形。波形的异常振荡得到了抑制,输出电压降到了不会产生负面影响的水平。实际使用中如果达到了这种输出电压波形,就可放心使用。 图2:异常振荡时和正常工作时的输出电压波形 (a)为出现异常振荡时的输出电压波形。(b)为正常工作时的输出电压波形。通过调整反馈环路相位补偿电路的常数,能够防止异常振荡。 一般来说,DC-DC转换器反馈环路响应特性的相位裕度最好确保45度以上。若想满足这一要求,必须调整相位补偿电路的常数。 不过最近,通过在DC-DC转换器IC一侧进行改进,出现了不少即使直接利用ESR较低的片状多层陶瓷电容器也不会出现异常振荡等问题的产品。选择DC-DC转换器IC时,请确认其数据表(Data Sheet)等。如果注明有“使用片状多层陶瓷电容器也能稳定工作”字样,便可以放心使用。反之,如果没有注明,则需要采取上述的对策。 转自 村田官网由《日経電子》提供
  • 热度 3
    2018-8-28 13:41
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    MLCC电容的价格一直在飞,这个事情的本身不仅在部件的成本上产生了巨大的影响 最主要的还是影响了交期,使得汽车电子部件的交期形成了明显的一块短板。 而在这个部件在往前飞一阵以后,我们不仅也会评估其他如电感、电阻等会有变化吗? 备注:谈起这个问题,我们也需要评估下动力电池的前景,这根单边往下的价格曲线,前期主要是各个电池企业融资砸钱抢跑道,到现在已经进入补贴拐点,电池企业和上游电池材料进行博弈,前阵子钴的事情,大众这样的终端客户都去议价,长期的低价再低价到底能实现么?像电容这样的小东西都给你来个有钱买不到 本轮MLCC价格影响的缘由 本轮MLCC价格的涨幅与2006 - 2008年类似;主要生产企业如日本和韩国削减产能,产能逐步转向汽车电子、工业类小型化高容、高规产品以及RF组件。升级产品结构同时逐步放弃中低端市场,造成中低端被动元件供给端的缺口 这里基本有两大方向,一个是汽车里面,一个是手机里面 汽车的需求一直在增加 上次看Model3的Autopilot板子,上面密密麻麻的电容,主要是计算能力的扩张,使得芯片的运行频率和需要的滤波和EMC的需求大了 从目前的态势来看,未来全球 MLCC 供给紧张的格局有望可能会持续到 2019 年全年:日本公司主要新投产能主要集中在车载和高端小型化产品领域,受验证周期和核心工艺瓶颈,新投产能难以快速释放;扩产力度较低以及原有产能退出将难以满足行业新增需求;其他地区的MLCC电容由于品质的情况,也很难一下满足要求 小结:从这一两年来看,做汽车电子的企业囤一些电容保存在自己的仓库里面,还是一个很保值和必要的事情,这事说起来挺怪的,但是确实是当前比较正确满足部件需求的策略,颇为讽刺啊
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    2015-7-22 11:56
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    陶瓷电容器的绝缘电阻表示当在电容器端子之间施加直流电压 (无纹波) 时,在设定时间 (比如60秒) 之后施加电压和漏电流之间的比率。当一个电容器绝缘电阻的理论值无穷大时,因为实际电容器的绝缘电极之间的电流流量很小,实际电阻值是有限的。上述电阻值称为"绝缘电阻",并用兆欧 和欧法拉 等单位表示。 绝缘电阻值的性能 当直流电压直接施加在电容器后,突入电流 (也称充电电流) 的流量如下图1所示。随着电容器逐渐被充电,电流呈指数降低。   图1 电流I (t) 随时间的增加而分为三类 (如方程 (1) 所示),即充电电流Ic (t)、吸收电流Ia (t) 和漏电电流Ir。 I (t)=Ic (t)+Ia (t)+Ir 方程 (1) 充电电流表明电流通过一个理想的电容器。与充电电流相比,吸收电流有一个延迟过程,并且在低频范围内伴随有介电损耗、造成高介电常数电容器 (铁电性电容器) 极性相反并在陶瓷与金属电极界面上发生肖特基障垒。 漏电电流是在吸收电流的影响降低后,在一定阶段出现的常数电流。 因此,下述电流值随施加在电容器上的时间电压量而变化。这意味着,只有在指定电压用途下的定时测量才能确定电容器的绝缘电阻值。 绝缘电阻值 绝缘电阻值以兆欧 或欧姆法拉 等单位表示。 其规定值随电容值而改变。该值用标称电容值和绝缘电阻的乘积 (CR的乘积) 来表示。例如: 当绝缘电阻在10,000MΩ以上时,电容为0.047µF或更小,当绝缘电阻为500ΩF时,其值大于0.047µF。 绝缘电阻值的保证 性能 性能(1) 性能(2) 标准数值 静电容量C≦0.047μF・・・10000MΩ以上 C>0.047μF・・・500ΩF以上 50ΩF以上 测试条件 测量电压・・・额定电压 充电时间・・・2分钟 测量温度・・・常温 充放电电流・・・50mA以下 测定电压・・・额定电压 充电时间・・・1分钟 测定温度・・・常温 充放电电流・・・50mA以下   计算公式范例 为1µF时 性能(1)的绝缘电阻值 "=500ΩF/1*10 -6 F" "=500Ω/1*10 -6 " "=500Ω*10 6 " " =500MΩ 以上" 性能(2)的绝缘电阻值 "=50ΩF/1*10 -6 F" "=50Ω/1*10 -6 " "=50Ω*10 6 " " =50MΩ 以上"   代表容量值 性能(1) 绝缘电阻值 性能(2) 绝缘电阻值 1μF 500MΩ以上 50MΩ以上 2.2μF 227MΩ以上 22.7MΩ以上 4.7μF 106MΩ以上 10.6MΩ以上 10μF 50MΩ以上 5MΩ以上 22μF - 2.27MΩ以上 47μF - 1.06MΩ以上 100μF - 0.5MΩ以上 如上表所示,电容值越高,其绝缘电阻值越低。 其原因解释如下: 考虑到独石陶瓷电容器可以看作是一个导体,根据施加在其上的电压和电流,利用欧姆定律可以计算出绝缘电阻。   绝缘电阻值R可以用方程 (2) 表示,导体的长度为L,导体的横截面面积为S,电阻率为ρ。 R=ρ • L/S 方程 (2)   同样,电容量C可以用方程 (3) 表示,独石陶瓷电容器两个电极之间的距离 (电介质厚度) 用L表示,内部电极的面积用S表示,介电常数为ε。 C ∝ ε • S/L 方程 (3) 方程 (4) 由方程 (2) 和方程 (3) 得出,由方程 (4) 可知R与C成反比。 R ∝ ρ • ε/C 方程 (4) 绝缘电阻越大表明直流电压下的漏电电流越小。一般情况下,绝缘电阻值越大,电路的精确性越高。从无到有|国内MLCC电容构建产业新格局http://www.mlcc1.com/news/24.html
  • 热度 5
    2009-11-13 09:35
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        MLCC(片状多层陶瓷电容)现在已经成为了电子电路最常用的元件之一。MLCC表面看来,非常简单,可是,很多情况下,设计工程师或生产、工艺人员对MLCC的认识却有不足的地方。以下谈谈MLCC选择及应用上的一些问题和注意事项。     MLCC虽然是比较简单的,但是,也是失效率相对较高的一种器件。失效率高,一方面是MLCC结构固有的可靠性问题,另外还有选型问题以及应用问题。     由于电容算是“简单”的器件,所以有的设计工程师由于不够重视,从而对MLCC的独有特性不了解。在理想化的情况下,电容选型时,主要考虑容量及耐压两个参数就够了。但是对于MLCC,仅仅考虑这两个参数是远远不够的。     使用MLCC,不能不了解MLCC的不同材质和这些材质对应的性能。MLCC的材质有很多种,每种材质都有自身的独特性能特点。不了解这些,所选用的电容就很有可能满足不了电路要求。举例来说,MLCC常见的有C0G(也称NP0)材质,X7R材质,Y5V材质。C0G的工作温度范围和温度系数最好,在 -55°C至+125°C的工作温度范围内时温度系数为0 ±30ppm/°C。X7R次之,在-55°C至+125°C的工作温度范围内时容量变化为±15%。Y5V的工作温度仅为-30°C至+85°C,在这个工作温度范围内时其容量变化可达-22%至+82%。当然,C0G、X7R、Y5V的成本也是依次减低的。在选型时,如果对工作温度和温度系数要求很低,可以考虑用Y5V的,但是一般情况下要用X7R的,要求更高时必须选择COG的。一般情况下,MLCC厂家都设计成使X7R、Y5V材质的电容在常温附近的容量最大,但是随着温度上升或下降,其容量都会下降。     仅仅了解上面知识的还不够。由于C0G、X7R、Y5V的介质的介电常数是依次减少的,所以,同样的尺寸和耐压下,能够做出来的最大容量也是依次减少的。有的没经验的工程师,以为想要什么容量都有,选型时就会犯错误,选了不存在的规格。比如想用0603/C0G/25V/3300pF的电容,但是0603 /C0G/25V的MLCC一般只做到1000pF。其实只要仔细看了厂家的选型手册,就不会犯这样的错误。另外,对于入门不久的设计工程师,对元件规格的数序(E12、E24等)没概念,会给出0.5uF之类的不存在的规格出来。即使是有经验的工程师,对于规格的压缩也没概念。比如说,在滤波电路上,原来有人用到了3.3uF的电容,他的电路也能用3.3uF的电容,但他有可能偏偏选了一个没人用过的4.7uF或2.2uF的电容规格。不看厂家选型手册选型的人,还会犯下面这种错误,比如选了一个0603/X7R/470pF/16V的电容,而事实上一般厂家0603/X7R/470pF的电容只生产 50V及其以上的电压而不生产16V之类的电压了。     另外注意片状电容的封装有两种表示方法,一种是英制表示法,一种是公制表示法。美国的厂家用英制的,日本厂家基本上都用公制的,而国产的厂家有用英制的也有用公制的。一个公司所用到的电容封装,只能统一用一种制式来表示,不能这个工程师用英制那个工程师用公制。否则会搞混乱。极端的情况下,还会弄错。比如说,英制的有0603的封装,公制的也有0603的封装,但是两者实际上是完全不同的尺寸的。英制的0603封装对应公制的是1608,而公制的0603 封装对应英制的却是0201!其实英制封装的数字大约乘以2.5(前2位后2位分开乘)就成为了公制封装规格。现在流行的是用英制的封装表达法。比如我们常说的0402封装就是英制的表达法,其对应的公制封装为1005(1.0*0.5mm)。     另外,设计工程师除了要了解MLCC的温度性能外,还应该了解更多的性能。比如Y5V介质的电容,虽然容量很大,但是,这种铁电陶瓷有一个缺点,在就是其静态容量随其直流偏置工作电压的增大而减少,最大甚至会下降70%。比如一个Y5V/50V/10uF的电容,在50V的直流电压下,其容量可能只有 3uF!当然,不同的厂家的特性有差异,有的下降可能没这么严重。如果你一定要用Y5V的电容,除了要知道其容量随温度的变化曲线图外,还必须向厂家索取其容量随直流偏置电压变化的曲线图(甚至是要容量温度直流偏置综合图)。使用Y5V电容要有足够的电压降额。X7R的容量随其直流偏置工作电压的增大也减少,不过没有Y5V的那么明显。同时,MLCC尺寸越小,这种效应就越明显。       不同的材质的频率特性也不同。设计师必须了解不同材质的不同频率特性。比如C0G(又称高频热补偿型介质)的高频特性好,X7R的次之,Y5V的差。在做平滑(电源滤波)用途时,要求容量尽量大,所以可用Y5V电容,也就是说,Y5V电容可以取代电解电容。在做旁路用途时,比如IC的VCC引脚旁的旁路电容,至少要选用X7R电容。而振荡电路则必须用C0G电容。由于Y5V的性能较差,我一般都是不推荐使用的,要求设计工程师尽量考虑用X7R电容(或 X5R电容)。如果对容量体积比要求高的场合,则考虑用钽电容而尽量避免用Y5V电容。当然,如果你们公司要求不高,还是可以考虑Y5V电容,但是要特别小心。     一般说MLCC的ESL(等效串联电感)、ESR(等效串联电阻)小,是相对于电解电容(包括钽电解电容)而言的。事实上,高频时,MLCC的ESL、 ESR不可以忽略。一般C0G电容的谐振点能达上百MHz,一般X7R电容的谐振点能达几十MHz,而Y5V电容的谐振点仅仅是数MHz甚至不到 1MHz。谐振点意味着,超过了这个频率,电容已经不是电容特性了,而是电感特性了。如果想使MLCC用于更高频率,比如微波,那么,就必须用专门的微波材料和工艺制造的MLCC。微波电容要求ESL、ESR必须更小。     MLCC一直在小型化的方向进展。现在0402的封装已经是主流产品。但是小型化可能带来其它的一些危害。事实上,不是所有的电子产品都是那么在意和欢迎小型化MLCC的。在意小型化的电子产品,比如手机、数码产品等等,这些产品成为MLCC小型化的主要推动力。对于MLCC厂家来说,小型化MLCC占有主要的出货量。但是从整个电子业界来说,还有很多电子设备,对小型化不是那么在乎,性能和可靠性才是关键考虑因素,MLCC小型化带来了可靠性的隐患。比如通信设备、医疗设备、工控设备、电源等。这些电子设备空间够大,对MLCC小型化不是很感兴趣;而且,这些电子设备不像个人消费品那样追赶时髦且更新换代快,而是更在乎长久使用的可靠性,所以对于元件的余量要求更高(为了保证可靠性,余量要大,所以尺寸更大的MLCC才满足要求。另外,更大的尺寸使得 MLCC厂家在提高电容的可靠性上更有发挥的空间)。这点恰好与MLCC厂家追求小型化的方向不一致。这是个矛盾。这些高可靠性要求的电子设备的特点是量不是很大,但是价格昂贵(个别种类电源除外),可靠性要求也高。如果是知名的电子设备厂,日子会好过一点,因为MLCC厂会为他们保存一些大尺寸的规格的 MLCC生产。如果不是知名的电子设备厂,也不用那么悲观,毕竟,还有少数MLCC厂定位不同,依然会继续生产大尺寸的电容。所以,作为这种电子设备的厂家,要善于寻找定位于高性能高可靠的较大尺寸的MLCC厂家。但是有一个注意事项是,所选用的规格不可以是独家才有的规格,至少是有两家满足自己公司要求的MLCC厂家在生产这种规格。另外,对于小型化不影响性能和可靠性要求时,还是优先考虑小型化的MLCC。  
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    电容知识集锦电子元件技术www.cntronics.com电路设计左右手!【JSK--03版】多层片式瓷介电容器(MLCC)编写:大兵(山树湾)一九九九年一月(第一稿)二OO四年十二月(第三稿)1电子元件技术网是一个针对被动元件和分立元件应用、选型和实用设计方案的技术网络媒体。电子元件技术www.cntronics.com电路设计左右手!目录概述.........................................3第一章片式电容的基本结构....................4第二章瓷介的基本知识.......................5第三章电极材料的基本知识.........……
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    十说电容电子元件技术网十说电容ic网话说电容之一:电容的作用mcoon术作为无源元件之一的电容,其作用不外乎以下几种:s.tr技1、应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。下面分类详述之:cn件1)旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。就像小型可充电电池一样,旁路电容能够被充电,并向器件进w.元行放电。为尽量减少阻抗,旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。ww子2)去藕电去藕,又称解藕。从电路来说,总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作,这就是所谓的“耦合”。去藕电容就是起到一个“电池”的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指……
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