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2022-7-27 15:07
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有源前端整流器 介绍针对电动汽车充电器的最佳SiC功率拓扑和调制决策的设计技巧,利用指导拓扑和调制决策,有助于消除不可行选项,转而关注那些可能表现良好的选项。 【导读】介绍针对电动汽车充电器的最佳SiC功率拓扑和调制决策的设计技巧,利用指导拓扑和调制决策,有助于消除不可行选项,转而关注那些可能表现良好的选项。 ▎引言 ▎ 电动汽车的蓄 电池充电器 需要在电网连接和蓄电池之间进行电流隔离。因此,电动汽车充电器几乎总是有两个级:一个高电能质量整流器,将AC转换为DC;然后是 DC-DC转换器 ,利用高频 变压器 进行电流隔离。 SiC FET和二极管的高开关频率可以满足使用“旧的”和简单的电路拓扑的充电器要求,而这种拓扑在硅基开关器件中是不切实际的。例如,用于单相整流的图腾柱功率因数校正器(TPPFC)和用于三相整流器的无处不在的两电平电压源逆变器(2L-VSI)。 本文概述了许多三相整流器选项中的一些,简要介绍了调制选项,以及功率半导体损耗的比较。 ▎拓扑选择 ▎ 假设我们需要为400或480 VAC线路RMS设计一个22 kW的三相整流器,也称为有源前端整流器(AFE)。这意味着需要功率因数校正,但功率流可以是单向的。成本、谐波失真、效率、尺寸和重量是重要的设计标准。为了实现低谐波失真,需要进行有源功率因数校正。 对于任何有单相PFC经验的人来说,三个独立的助推器可能是一个有吸引力的选择。图1显示了许多可能的实现方法中的两种。 图:1(a)三PFC,(b)三TPPFC 在电动汽车充电器中,每个升压器(booster)必须向单独的隔离DC-DC 转换器 供电,这些转换器输出是并联在一起的。这是一种可行的方法。通过消除输入二极管电桥并使用图腾柱拓扑,可以略微提高传统PFC升压器的效率,其示例如图1(b)所示。 12个功率半导体(一些可能是二极管而不是FET)使得这种方法不那么吸引人,因为在三电平拓扑中,相同数量的器件可以产生成本更低、更小的线路滤波器的好处。 图2:两种简单但不可行的拓扑:(a)二极管桥后的升压电路,(b)带升压电路的线路电感 由于高失真、尺寸、重量和成本,三线电感器之前的三相二极管电桥已经过时。如图2(a)所示,在三相二极管电桥之后添加一个升压开关和二极管,将由于开关频率比线频率高得多而缩小电感器。然而,由于失真,这只在某些情况下有效,因此不可行。 在图2(b)中,与传统单相PFC一样,二极管电桥后的单个升压电路会产生不可接受的谐波失真,约为30%。因此有必要积极塑形每相电流。实现这一点的许多方法之一是在每个线路电感器和分离DC链路之间添加背对背的FET,如图3(a)所示。这是三电平Vienna整流器的一种流行变体,它对所有SiC功率半导体都是高效的 。 Vienna整流器中的SiC二极管具有480 VAC线路输入,额定电压为1200 V,但开关损耗可以忽略不计。每个二极管在FET开关频率下与其对应的FET对进行换向。每个FET必须只阻断一半的DC链路电压,因此开关损耗低,650 V或更高的FET额定电压是可以接受的。 电流在Vienna整流器中完全成形,从而产生极低的谐波失真。作为三电平滤波器,线路滤波器的成本、尺寸和重量更低。功率流是单向的。为了支持双向功率并略微降低传导损耗,在三相电桥中用1200 V FET代替二极管,如图3(b)所示。 图3:(a)改进的Vienna整流器,(b)三电平TNPC 这是三电平晶体管中性点钳位拓扑(3L-TNPC)。它可以在任何功率因数下工作,但作为整流器工作时,桥式FET的开关损耗可以忽略不计。3L-TNPC的PWM策略是将电桥和钳位FET对反相。与Vienna整流器一样,每个钳位FET仅阻断一半的DC链路电压,因此开关损耗较低。 在某些情况下,额外的FET和栅极 驱动器 超过了三电平线路滤波器所降低的成本。通过简单地消除钳位FET,就可以解决这一问题,从而产生无处不在的两电平电压源逆变器(2L-VSI)。2L-VSI只有6个FET,但它可以在任何功率因数下完全塑形线电流,因此它支持双向功率流,谐波失真低。 可以使用三电平NPC和ANPC拓扑,但在这种应用中,它们没有TNPC的优势,尤其是SiC FET的高性能。使用更高的DC链路电压时,需要更多这类拓扑,例如在具有1500 VDC输入的太阳能系统中。 找元器件现货上 唯样商城 ▎调制方法 ▎ 以下推导主要针对2L-VSI,但这些调制方法也适用于3L-TNPC和其他逆变器拓扑。 图4:(a)半桥,(b)正弦三角形参考和载波波形 在半桥中,使用正弦三角调制的DC链路中点z(可能是虚的)的最大输出电压为V_DC/2,如图4(a)所示。无论相脚(phase leg)的数量如何,这都是正确的,因为每个脚都通过正弦三角调制独立于其他脚。换句话说,相脚之间没有切换协调。这意味着三相四线连接很容易使用,如图5(a)所示。 图5:2L-VSI(a)带4线连接,和(b)带3线连接 在三线连接中,如图5(b)所示,DC链路中点z通常是假想的,因为薄膜电容器可以在不串联的情况下支持DC链路电压。车载EV充电器中4线连接的一个优点是能够在单相输入或三相输入下工作。对于单相输入,两相脚的工作原理与TPPFC相同。 图6:三相分压 我们需要知道AC到DC链路电压的范围。推导最大线间电压的一种方法是分压。当A相顶部开关打开,B相和C相底部开关打开时,A相的线到中性点电压,即图6中A点到s点的电压是DC链路电压(电容器两端电压,从p到n)乘以A相阻抗除以B相和C相并联阻抗(A相的一半)加A相阻抗。 因此,A相线到中性点的电压为 。这是负载或电源上可以产生或支持的最大电压。在电感器和s点之间插入平衡的三相电压源会产生相同的结果,因为电压总和为零。利用开关在每个相脚中始终处于相反状态(忽略死区时间)的简单PWM策略,我们通过将开关组合与每个相脚的AC端子处的电压向量相关联来创建空间矢量图。 图7:(a)2L-VSI的空间矢量图,(b)红色为正弦三角采样波形,蓝色为空间矢量,绿色为60°C不连续调制的采样波形 图7(a)中的开关状态由三个字母(或数字)指定,每个相位一个,字母p或n(或数字1或0)对应于图6中的DC链路轨。例如,A相顶部开关接通,B相和C相底部开关接通由pnn指定。2L-VSI共有8个矢量:6个最大电压矢量和2个冗余零矢量。线电压通过平均 参考电压 附近的矢量所花的时间来近似旋转(rotating)参考电压vref。 驻留时间可以使用如图7(a)所示的空间矢量图或如图7(b)所示比较参考和载波波形来计算。关于这方面的文献有很多 ,但本文只涉及正弦三角、常规空间矢量(以下简称SVM)和60°不连续调制(电压峰值钳位,也称为DPWM1)。 为了避免削波(脉冲跳跃)和谐波失真的跳跃,参考向量长度被限制在图7(a)中的内圆(对于正弦三角形),以及SVM和DPWM1中的较大圆。SVM和DPWM1电压增加幅度的物理原因是什么?是因为这些调制方法(以及包括三次谐波注入在内的其他调制方法)导致节点s的平均电压相对于DC流链路以3倍基频(线)频率“摆动”。 这是通过在相位之间共享零状态时间实现的。节点s的移动电位“展平”了SVM和DPWM1参考波形,允许对于给定DC链路电压系数为 的较高线路电压与正弦三角相比。另一方面,每个相位通过正弦-三角调制独立于其他相位,允许节点s的电压相对于DC链路固定,而无需改变调制,从而实现可选的4线连接。 SVM和DPWM1具有降低EMI和更宽输入/输出电压范围的优点。SVM和正弦三角在功率半导体中具有几乎相同的传导和开关损耗。DPWM1的优点是,在每个基本线路周期内,在60°间隔内两次钳位DC链路轨,从而降低开关损耗。这种优势往往超过传导损耗的增加,即使是在快速开关的情况下。 正弦三角和SVM可以很容易地用于Vienna整流器。可以想象,由于二极管电桥,Vienna整流器固有地具有不连续PWM,SiC二极管中几乎为零的开关损耗进一步增强了PWM。可以对钳位FET使用更有限的不连续PWM,但其中的开关损耗已经相当低,因此这里不予考虑。 关于实现,与使用空间矢量图计算PWM驻留时间相比,在 微控制器 中实现SVM和DPWM1参考波形(如图7(a)所示)与三角形载波波形(PWM 计数器 )的比较可能更容易。如果同时发生跳变,DPWM1波形中的跳变不会导致线路电流失真,因为相电压总和始终为零。这可以通过写入“影子”PWM寄存器来实现,这些寄存器随后会更新到同一时钟沿上的有源PWM寄存器。 ▎效率比较 ▎ 使用在线FET-Jet计算器工具估计功率损耗。对于每个拓扑,相脚或相位的数量为3。以下条件适用。 表1:功率损耗计算参数 表2:功率半导体选择 表2功率半导体选择中的器件选择考虑了成本。在某些情况下,使用不同的器件选择,可以稍微降低功耗。因此,提供了许多器件号,因此可以根据各种应用要求优化权衡。 对于PFC,在线计算器忽略了硅基线路整流器的损耗,因为这些损耗不是由UnitedSiC提供的。因此,进行了自定义计算,包括Diotec Semiconductor典型的1200 V单相整流桥KBPC5012FP的损耗。结果如图8所示。 图8:功率损耗比较 毫不奇怪,三PFC的损耗最高,其次是TPPFC。这主要是因为电流路径中的半导体数量。接下来是采用空间矢量调制的2L-VSI。这也是意料之中的,因为总共只有6个功率半导体,更高的效率通常需要更多的硬件。 一个有趣的例外是,与2L-VSI中的正弦三角或SVM相比,不连续PWM显著降低了功率损耗。Vienna整流器优于配备DPWM1的2L-VSI,但在全功率下,它们的功率损耗大致相等。带有SVM的3L-TNPC的功率损耗仅略低于Vienna整流器,而DPWM1的效率明显更高。 这些结果只需几分钟就能收集到。可以进行进一步的优化,预计计算结果与实际结果之间会有一些差异是合理的。撇开免责声明不谈,这些趋势是明确的,有助于指导拓扑和调制决策,至少有助于消除不可行的选项,转而关注那些可能表现良好的选项。 www.unitedSiC.com 参考文献 J.W. Kolar, T. Friedli, “The Essence of Three-Phase PFC Rectifier Systems”, Proceedings of the 33rd IEEE International Telecommunications Energy Conference (INTELEC 2011), Amsterdam, Netherlands, October 9-13, 2011 C. Grahame Holmes, Thomas A. Lipo, “ Pulse Width Modulation for Power Converters, Principles and Practice”, IEEE Press and Wiley-Interscience, ISBN 0-471-20814-0, Copyright 2003 注:Jonathan Dodge是UnitedSiC P.E. * 本文由PSD翻译,并转自PSD