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本文提出了一种新的可靠的圆片级1/f噪声测量方法和架构圆片级1/f噪声的一种新测量方法北京大学微电子学院，北京，100871，中国*PEmail:kangjf@pku.edu.cnPHTUUTH吉时利仪器公司，Aurora路28775，克里夫兰，俄亥俄州，44139，美国应用研发部，吉时利仪器公司，北京海淀区北太平庄路城建大厦A1301，100088，中国摘要本文提出了一种新的可靠的圆片级1/f噪声测量方法和架构。所提出的测试架构采用了吉时利的系列仪器，包括4200-SCS、428和一个低通滤波器。其中采用了吉时利的自动特征分析套件（ACS）软件来控制测量仪器的操作，采集/分析测得的数据。由于所用的低通滤波器能够消除所有高于0.5Hz的高频噪声，因此大大提高了1/f噪声的测量精度。利用这一测量架构能够在各种偏压条件下评测具有不同尺寸的NMOS和PMOS器件的1/f噪声特征。1.引言MOSFET在模拟和射频电路中得到了广泛的应用。但是，MOSFET中的低频噪声，尤其是较高频率的1/f噪声，是模拟和射频电路应用中人们关注的重要因素。此外，随着器件特征尺寸的缩小，1/f噪声会大大增加[参考文献1]。因此，在测量1/f噪声时设计一套可靠的、可重复的、精确的测量方法和系统是非常……