tag 标签: cmos

相关帖子
相关博文
  • 热度 8
    2015-5-2 23:15
    6019 次阅读|
    8 个评论
    不小心看到了索尼摄像芯片供货状况,索尼Exmor RS IMX214芯片缺货到无与伦比,从4月份来看,最高级别的客户也只能满足50%的需求,前十的手机公司都有可能拿不到一丁 点货。5月份已处于全面断货状况,配额还没划出来。大家现在都在忙着转三星sensor ,但至少需要两三个月时间转板调试,听说三星也缺货了。 当然,这一切的源头看似都是苹果下半年抢单导致的,其实,仔细分析也不尽然。     Ominivision这一年多忙着收购彻底落伍了,多可惜呀,这么大好的机会,可以趁着苹果抢货,中国手机公司缺货,顺利进入sensor 高端主流市场。资本市场害死人啊!这两天我中国还在为顺利收购OV欢呼雀跃。收购回来了,技术落后了,人也走了不少,这个是必须经过的阵痛吗?     当然最痛苦的不是ov,是中国的手机公司。五月份几乎所有的主流手机公司都要发布旗舰产品,憋了半年的需求,准备井喷,现在却遭遇摄像头芯片缺货。更痛苦 的还不是缺货而是库存。有人肯定会问,都缺货了,为什么还会有库存呢?因为,大家都准备好了井喷,其他原材料都已经进库了,就差索尼摄像头芯片,这样其他 的原材料就成了呆料,这个库存是巨额的,因为都是为高端旗舰手机准备的高端元器件。这一次,甚至有些公司会被这一场战役打死。     几乎所有的手机公司都会很难过,中小公司完全拿不到配额,四月份,像小米华为这样的顶级公司,也只能满足50%左右的预测,oppo,中兴,酷派、金立等只能满足10-30%的预测, 其他公司基本拿不到配额,五月份更糟糕,这已经是供应链里非常严重的态势了。能否好转要看苹果是否砍单或者是中国手机公司转向三星传感器的速度 。这里要提一下小米的供应链危机:去年mi4起量的时候遇见胜华倒闭,今年小米note起量时候又遇见索尼摄像头缺货。并且这两次都是独家供应商。很佩服雷军的执行力和魄力,度过了去年那一劫难,今年这一劫,相信他也能度过。只不过又要交很多学费。   昌旭在五年以前就提过,在新的时代下供应链已成为一个企业最核心的竞争力。这句话现在越来越被证实了,关键是,新入企业要交很多学费才能明白这句话的深刻含义。   相关阅读: 小米“需求与供应链管理”分析及质疑 供应链管理牛鞭效应及其成因
  • 热度 1
    2015-3-20 18:46
    720 次阅读|
    0 个评论
    Swaziland is an absolute monarchy in a rather dry area of Southern Africa. As part of a United Nations project to irrigate sugar cane fields, a dam was built on a river that flowed from Swaziland to Mozambique. Because the water flowed across an international border, there was a bilateral agreement as to how much water was to be released from the dam. The amount to be released was also a function of the inflow to the dam.   In order to measure the water flow, a weir was built consisting of a concrete base with a stepped steel profile set into it. The water level, coupled with the cross sectional area of the weir, together with some hydrological tables determined the water flow. Of course, there were several rivers and streams to be measured. I was contracted to build the microcomputer that measured the water level and transmitted the data, via a repeater station on a nearby hilltop, to the central computer behind the dam wall in the control centre. The outstation was based around the 80C35 (an 8748 minus the EPROM) because -- in those days -- there were no complete single chip CMOS micros. The repeater was 8748 controlled.   Note the IC superstructure in the middle. National Semiconductor apparently never had access to EPROM technology, so they created the 87P50, which was an 8748 with a piggyback EPROM allowing from 1Kbytes to 4Kbytes to be plugged in.   The central computer (which I also programmed) was based on an Intel Multibus system running an 8085, which displayed the hydrological data on a Lear Siegler "dumb" terminal (all of this took place in the early 1980s).   In order to calculate the water flow, I created a lookup table, which was obviously finite. I asked the question as to what happened when the water rose above the maximum specified and what message should I display. I was told that this could never happen. In fact, I was told that this was so unlikely I could display the message: "THE KING IS A ****" (expletive deleted). Well, I was rather more genteel back in those days, so I opted to display "FLOOD!" instead.   At the time we completed the project, there had been a drought, and this continued until the area was hit by tropical cyclone Domoina in 1984. This incredible weather system dropped 50cm (20") of rain in a 36-hour period. The 135 MCM (million cubic metres) Mnjoli dam went from 0 to 100% in less than 20 hours. The dam had an earth wall, and if water flows over the top of this structure, that that is the end of the dam. In the event, they evacuated the control centre when all eight stations were reading "FLOOD!" Fortunately, the design of the overflow channels managed to cope, and a greater disaster was averted.   The screen output during development.   In the aftermath, it turned out that all of the water level stations had been completely washed away and the whole system had to be replaced. If I had followed the original advice I was given, I wouldn't have been able to return.   Have you ever made the mistake of believing what you were told? And has any of your work been destroyed by major natural event?   Aubrey Kagan Engineering Manager Emphatec
  • 热度 18
    2013-4-15 16:40
    3857 次阅读|
    17 个评论
    从学校微电子专业毕业,工作已经五年了。最近终于完完整整地看完一遍拉扎维的《Design of Analog CMOS integrated circuits》。在此记一下学习本书的感受和心得。   1、《Analog CMOS集成电路设计》是一本很好的集成电路设计入门的书籍。其中涉及到许多的背景知识,随着读者的水平不一,看到的层次不一。有些第一次看没感受,多看几次会有感受;有些在经历相关工作前看没觉得,但有工作经验之后看有新的体会;还有一些,你看了之后会去查找相关的专业知识来进行补充。   第一章《绪论》讲述了模拟设计的应用场合,设计挑战及要求(如鲁棒性、PVT)。 第二章《MOS器件物理基础》是全书的基础,推导出器件的电流公式Id及跨导公式gm,后面的设计都紧紧围绕着两个公式展开。后面的习题对了解MOS管的行为,提升设计的直觉有很大的帮助。 第三章《单级放大器》基于MOS的三个端子讲述了三种单级放大器:共源级、共栅极、共漏级(源跟随);和一种组合:共源共栅。其中例3.10涉及到50ohm高速传输线知识和实际的相关设计比较。 第四章《差动放大器》,描述了差动对信号具有抗噪声的优点(还有EMI降低),及差动对的分析、共模抑制比、吉尔伯特单元等。 第五章《电流镜》,分析了电流镜的特点和在差动电路中的应用。 第六章《放大器的频率特性》,介绍了密勒效应,每一级的极点的计算和评估。这章开始涉及频率响应。 第七章《噪声》,介绍了IC中的各种噪声:热噪声4kTR(4kTrgm)、闪烁噪声(1/f噪声)K/(CoxWLf).给出了多种电路的主要噪声的谱和RMS计算,相应的低噪声的要求和特征。 第八章《反馈》,系统地描叙了反馈的结构,种类(V-V,V-I,I-I,I-I),环路增益计算,负反馈对电路性能带来的改变(增益灵敏度降低、阻抗有益改变、带宽增加,非线性减少)。 第九章《运算放大器》介绍运放中的一系列技术,最主要的事套筒式和折叠式;单级和多级运放,共模反馈,Rail-Rail介绍,大信号的转换速率slewing rate响应,电源抑制,注意Vdd至Vout约为1。 第十章《稳定性与频率补偿》,这章对于应用非常重要,也与振荡器一章相关。要透彻理解这一章需要系统控制理论的基础。比喻清楚多级点系统的响应特性与根轨迹的方法和实际意义。相位裕度的尖峰响应(例10.3)指出了峰值响应于相位的量化关系(45度为1.3;5度为11.5);频率补偿技术(密勒补偿:补偿电容串联电阻)。 第11章《带隙基准》,介绍了基准源技术,包含启动和主基准产生电路。基于三极管特性(Vbe负温度系数-1.5mV/K;V T 的正温度系数0.087mV/K) 来进行0温度系数基准1.25V。基准源技术产生的衍生技术,PTAT电流的产生,恒定Gm偏置,最后给出了一个2.0Vref的设计实例。 第12章《开关电路导论》,因为工艺中电容的精度好,利用电容+开关来取代电阻来匹配运放的外围或进行反馈,此外电荷泵也用到开关和电容。 第13章《非线性和不匹配》讲述实际电路中的非理想性。如果做好的鲁棒性设计的考虑这些,在电路上和版图上实现容查设计。 第14章《振荡器》,与第10章相关,侧重不同。给出了振荡的条件,振荡器的类型(环形振荡器,LC振荡器:交叉耦合,科尔皮兹,单端口振荡器)。其中图14.17中Vp特性可以用于倍频器,而图14.22中相位的图的理解很重要,实际说明了LC振荡的优点,偏离振荡频率时相位裕度达到90度,并且与放大器的频率特性结合具有更好的频率单一性。最后介绍VCO. 第15章《锁相环》,介绍了锁相环的技术,由于处于系统级,详细的电路分析反而较少,介绍了实用的电荷泵锁相环。 第16章《短沟效应和模型》介绍了比例缩小和零静态功耗驱动CMOS的发展。 第17章《CMOS工艺技术》介绍了CMOS 集成电路的制造。 第18章《版图和封装》介绍了集成电路设计相关的版图和封装问题。 除了最后的三章和第13章没有仔细学习之外,其他的基本上学习了一遍,跟着书上的例题进行推导,并且做1-2各练习题。收获颇大。   2、看专业的书籍需要一定的毅力与兴趣,还要有好的时机与时间。当这些具备了,就要大胆地去完成学习目标。书在学校的时候就是教材,但在校时,从来没有好好地看完过,做过一个集成运放的课题设计,几经折腾,勉强完成。工作后的第一份工作是互连业务,超忙,所以只是在家的空余时间学习完了前面三章和习题,看到后面的章节也是零星间断的,对MOS的独特特性理解有了很好的认识。现在专职于硬件设计,工作时间相对比较自由,虽然有因工作间断,但通过坚持,还是把整书学习完毕,前后也花了近两个月时间。   3、由于自己并不是专职做IC设计,只是用芯片来做板级电路设计。因此,学习此书是当作一种兴趣来学习。对芯片内部的工作原理有一个更好的认识与理解,目标是能够更好的在板级电路中应用芯片。板级中实用最大的应该与板级应用相关的。如第8/10/15章《反馈》、《稳定性与频率补偿》、《锁相环》等等。   4、硬件工程师工作中,看得最多的技术文档应该是器件手册“datasheet”。这些datasheet就是描述芯片(绝大多数是集成电路,当然还有一些杂的和其他的)的性能。性能与里面的构造及电路是相关的。因而两者很多时候,互为验证。所以从微电子专业出身的,做板级硬件设计的优势在于更清楚芯片的内部结构与原理,所谓底层透明;而不足是缺少《信号与系统论》、《控制理论》、《计算机架构》等顶层知识的学习与基础。   学习完此书后,终于可以对自己说一声“微电子专业,我终于算毕业了”。  
  • 2011-12-12 15:29
    842 次阅读|
    0 个评论
      4)OperatingTemperature 工作温度范围:C  -20-+70℃  D  -40-+85℃  E  -55-+105℃ 5)FrequencyStability 温度频率稳定度:F ±0.28ppm G  ±0.5ppm  H  ±1.0ppm                                     I  ±1.5ppm   J  ±2.0ppm   K ±2.5ppm 6)OutputWaveform 输出波形: 1Sine 正弦波 2Hcmos 方波3 ClippedSine削峰正弦波 7)SupplyVoltage 工作电压范围: L3.3V±10% M5.0V±10% 8)Ageing 频率老化率: ±1ppmmaximuminfirstyear,±3ppmmaximumfor10years   9)PhaseNoise 相位噪声:   Frequency 10Hz 100Hz 1kHz 10kHz 100kHz 13.0MHz –95 dBc/Hz –120dBc/Hz –135dBc/Hz –140dBc/Hz –145dBc/Hz 2.5MHz,3.2MHz,4.608MHz,4.096MHz,5MHz,5.12MHz,6.4MHz,6.5MHz,6.72996MHz,8.192MHz, 9.216MHz,10MHz,10.24MHz,12MHz,12.24MHz,12.288MHz,12.8MHz,13MHz,14.4MHz, 14.7456MHz,14.85MHz,16MHz,16.32MHz,16.368MHz,16.384MHz,16.8MHz,17MHz, 18.432MHz,19.2MHz,19.44MHz,19.68MHz,19.7985MHz,19.8MHz,20MHz,20.46MHz,20.48MHz, 20.82857MHz,24MHz,24.576MHz,25MHz,25.6MHz,26MHz,26.451788MHz,27MHz,29.952MHz, 32MHz,32.768MHz,33MHz,36.864MHz,38MHz,38.88MHz,40MHz,50MHz,61.44MHz,77.76MHz, 100MHz,120MHz,122.88MHz,140MHz,160MHz,180MHz,200MHz   温补晶振TCXO 10MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃,5.0V,sine输出,不带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 10MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 10MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃,3.3V,sine输出,带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 10MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO 10MHz ±1.0ppm, -20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 10MHz ±1.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO 10MHz ±2.0ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO 10MHz ±2.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO 10MHz ±1.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm 温补晶振TCXO 10MHz ±2.0ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm 温补晶振TCXO 10MHz ±2.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm 温补晶振TCXO 10MHz ±1.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm 温补晶振TCXO 10MHz ±2.0ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm 温补晶振TCXO 10MHz ±2.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm   温补晶振TCXO 20MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 20MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃,3.3V,sine输出,不带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 20MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃,3.3V,sine输出,带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 20MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO 20MHz ±1.0ppm, -20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 20MHz ±1.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO 20MHz ±2.0ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO 20MHz ±2.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO20MHz ±1.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm 温补晶振TCXO 20MHz ±2.0ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm 温补晶振TCXO 20MHz ±2.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm 温补晶振TCXO 20MHz ±1.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm 温补晶振TCXO 20MHz ±2.0ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm 温补晶振TCXO 20MHz ±2.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm   温补晶振TCXO 40MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 40MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃,3.3V,sine输出,不带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 40MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃,3.3V,sine输出,带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 40MHz ±0.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO 40MHz ±1.0ppm, -20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm 温补晶振TCXO 40MHz ±1.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO 40MHz ±2.0ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO 40MHz ±2.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm 温补晶振TCXO 40MHz ±1.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm 温补晶振TCXO 40MHz ±2.0ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm 温补晶振TCXO 40MHz ±2.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm 温补晶振TCXO 40MHz ±1.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm 温补晶振TCXO 40MHz ±2.0ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm 温补晶振TCXO 40MHz ±2.5ppm, -40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD 7×5mm     Ractron,Citizen,C-mac,NDK,Rakon,Raltron,TDK,Vectron   详细产品资料和技术规格可以来电来函咨询! 欢迎来电或传真、邮件提供邮递地址和邮编以便我们邮寄详细产品选型手册给您! 
  • 2011-8-2 23:21
    3098 次阅读|
    0 个评论
    BL9110 --- 1A CMOS LDO   【主要特点】 - 300mV@1A (VOUT=3.3V) - 65uA Operating Supply Current - High PSRR CMOS LDO - Thermal Shutdown Protection   【封装种类】 1、DFN-6 2、SOT89-3 3、SOT89-5 4、TO-252-3 5、TO-252-5 6、SOT223-3 (即CMOS的1117) 7、SOT223-5 8、TO-263-3 9、TO-220-3 【精度】 1% or 2%   【Vout】 1V~5V (50mV步进) ADJ(可调输出)     【应用】 *适用于要求超低待机功耗的家电产品,如LCD TV、STB等。 *用于电池供电的便携式设备。  
相关资源
  • 所需E币: 3
    时间: 3 天前
    大小: 897.76KB
    上传者: WFY
    半导体制造、封测知识。十大步骤详解芯片光刻的流程
  • 所需E币: 3
    时间: 3 天前
    大小: 730.56KB
    上传者: WFY
    半导体制造、封测知识。十大步骤详解芯片光刻的流程
  • 所需E币: 3
    时间: 3 天前
    大小: 605.64KB
    上传者: WFY
    半导体制造、封测知识。十大步骤详解芯片光刻的流程
  • 所需E币: 3
    时间: 3 天前
    大小: 1.48MB
    上传者: WFY
    半导体制造、封测知识。十大步骤详解芯片光刻的流程
  • 所需E币: 3
    时间: 3 天前
    大小: 811.61KB
    上传者: WFY
    半导体制造、封测知识。十大步骤详解芯片光刻的流程
  • 所需E币: 3
    时间: 3 天前
    大小: 743.08KB
    上传者: WFY
    半导体制造、封测知识。十大步骤详解芯片光刻的流程
  • 所需E币: 5
    时间: 4 天前
    大小: 102.71MB
    上传者: 打杂007
    原书名:CMOSCircuitDesign,Layout,andSimulation原出版社:JohnWiley&Sons作者:(美)R.JacobBaker,HarryW.Li,DavidE.Boyce  译者:陈中建丛书名:电子与电气工程丛书出版社:机械工业出版社本书全面阐述了CMOS集成电路设计的理论与相关技术,内容覆盖集成电路设计、仿真和物理实现的全过程。书中以现代观点对大量模拟和数字电路模块、BSIM模型、数据转换器的体系结构等内容进行了深入讨论。本书内容翔实,理论联系实际,包含大量习题,方便教学。本书可以作为集成电路设计师、版图设计师、集成电路项目管理人员以及相关专业的教授和科研工作者的高层次教科书或参考书。 
  • 所需E币: 0
    时间: 2020-6-23 09:26
    大小: 958.03KB
    上传者: zendy_731593397
    CMOSSUBCIRCUITS
  • 所需E币: 0
    时间: 2020-6-23 09:26
    大小: 881.16KB
    上传者: zendy_731593397
    CMOSAMPLIFIERS
  • 所需E币: 0
    时间: 2020-6-23 09:26
    大小: 1.07MB
    上传者: zendy_731593397
    CMOSOPERATIONALAMPLIFIERS
  • 所需E币: 0
    时间: 2020-6-23 09:26
    大小: 939.06KB
    上传者: zendy_731593397
    HIGH-PERFORMANCECMOSOPERATIONALAMPLIFIERS
  • 所需E币: 2
    时间: 2020-4-17 12:46
    大小: 2.95MB
    上传者: loromrj
    CMOS模拟集成电路设计习题答案,供参考
  • 所需E币: 5
    时间: 2019-12-26 09:53
    大小: 348.69KB
    上传者: 978461154_qq
    24LC04B24LC08B2.5伏串行eeprom(中文资料)……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-26 01:42
    大小: 829.14KB
    上传者: 238112554_qq
    thead7572aisanenhancedreplacementfortheindustrystandardAD7572.Improvementsincludefasterconversiontimesof3usfortheAD7572AXX03and10usfortheAD7572AXX10.Therequiredpowersuppliesare5Vand-12Vor-15V.AdditionalfeaturesarebetteroffsetandgainerrorspecificationsovertheoriginalAD7572.……
  • 所需E币: 5
    时间: 2019-12-26 00:21
    大小: 482.34KB
    上传者: 二不过三
    130万CMOS数码相机的设计……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-25 23:11
    大小: 394.54KB
    上传者: quw431979_163.com
    TheTMS320F206TexasInstruments(TIE)digitalsignalprocessor(DSP)isfabricatedwithstaticCMOSintegrated-circuittechnology,andthearchitecturaldesignisbaseduponthatoftheTMS320C20xseries,optimizedforlow-poweroperation.ThecombinationofadvancedHarvardarchitecture,on-chipperipherals,on-chipmemory,andahighlyspecializedinstructionsetisthebasisoftheoperationalflexibilityandspeedofthe’F206.……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-28 19:23
    大小: 124.08KB
    上传者: quw431979_163.com
    CMOSAnalogMultiplexersandSwitches;SpecificationsandApplicationsConsiderationsCMOSAnalogMultiplexersandSwitches;SpecificationsandApplicationConsiderationsApplicationNoteAugust2002AN520.1IntroductionC.RON,OnResistanceThisarticledescribesseveralimportantconsiderationsforTheeffectiveserieson-switchresistancemeasuredfromtheuseofCMOSanalogmultiplexersandswitches.Itinputtooutputunderspecifiedconditions.NotethatRONincludesselectioncriteria,p……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-28 19:35
    大小: 326.03KB
    上传者: 2iot
    【技术应用笔记】延长CMOS寿命的关键因素——本文介绍如何避免错误地使用CMOSAN-349OneTechnologyWaytP.O.Box9106tNorwood,MA02062-9106tTel:781/329-4700tFax:781/326-8703twww.analog.comCMOSCMOSǖJerryWhitmoreCMOS()1CMOS()(2)SD(V=q/C=1kV/nC/pF)()CMOS1.CMO……
  • 所需E币: 5
    时间: 2019-12-28 19:35
    大小: 294.07KB
    上传者: rdg1993
    简介所有的IC工艺都存在相关的本征击穿电压,由此导致的最大电压应力将会施加于采用该工艺制造的任何器件。因此,所有IC制造商都会提供其器件产品的绝对最大额定值技术规格,一般是提供施加于器件任何引脚的最大电压。器件过压指超过绝对最大额定值的应力或电压施加于该器件。本应用笔记重点讨论CMOS和线性兼容CMOS器件的电源输入过压问题。AN-311应用笔记如何切实有效地保护CMOS电路不受电源过压影响作者:MikeByrne简介生在电源开启和关闭期间。另外开关电源,或器件在拥有所有的IC工艺都存在相关的本征击穿电压,由此导致的最大型电机的高噪声环境下工作时也可能产生电压尖峰。在大电压应力将会施加于采用该工艺制造的任何器件。因此期间,根据电源的输出阻抗、电源的负载和电源的总体此,所有IC制造商都会提供其器件产品的绝对最大额定值设计情况,电源电压可能过冲明显超过其标称值,并且在技术规格,一般是提供施加于器件任何引脚的最大电压。这种情况下,超过器件的绝对最大额定值(参见图1)。器件过压指超过绝对最大额定值的应力或电压施加于该器件。本应用笔记重点讨论CMOS和线性兼容CMOS器件的电源输入过压问题。与IC工艺相关的本征击穿电压,就是指该工艺中的晶体管、嵌入式齐纳二极管或其他此类元件会有一个确定的击穿电压。显然,如果器件的正电源输入(VDD)和负电源输入(VSS)之间仅有一个……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-28 19:59
    大小: 998.83KB
    上传者: givh79_163.com
    BSIM3v3ManualBSIM3v3Manual(FinalVersion)YuhuaCheng,MansunChan,KelvinHui,Min-chieJeng,ZhihongLiu,JianhuiHuang,KaiChen,JamesChen,RobertTu,PingK.Ko,ChenmingHuDepartmentofElectricalEngineeringandComputerSciencesUniversityofCalifornia,Berkeley,CA94720Copyright1995,1996TheRegentsoftheUniversityofCaliforniaAllRightsReservedDevelopers:BSIM3v3isdevelopedbythefollowingresearchersoftheUniversityofCalifornia,Berkeley(listedinalphabeticalorder):Dr.MansunChan,UCBerkeleyMr.JamesC.Chen,UCBerkeleyMr.KaiChen,UCBerkeleyDr.YuhuaCheng,U……
广告