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  • 所需E币: 5
    时间: 2020-1-9 14:25
    大小: 126.09KB
    上传者: rdg1993
    手机主板LAYOUT內容核查作业内容核查单1.CLK(包括DDR-CLK)基本走线要求:1.clk部分不可过其它线,Via不超过两个.2.不可跨切割,零件两Pad间不能穿线.3.Crystal正面不可过线,反面尽量不过线..4.DifferentialPair用最小间距平行走线.且同层5clk与高速信号线(1394,usb等)间距要大于50mil.2.VGA:基本走线要求:1.RED、GREEN、BLUE必须绕在一起,视情况包GND.R.G.B不要跨切割。2HSYNC、VSYNC必须绕在一起,视情况包GND.3.LAN:基本走线要求1.同一组线,必须绕在一起。2Net:RX,TX:必须differentialpair绕线4.1394:基本走线要求:1.Differentialpair绕线,同层,平行,不要跨切割.2.同一组线,必须绕在一起。3与高速信号线间距不小于50mil5.USB:基本走线要求:1Differentialpair绕线,同层,平行,不要跨切割.2同一组线,必须绕在一起6.CPU-NB(AGTL):基本走线要求:1.同组同层或同组不同层走线,绕线须同组绕在一起2.绕线时,同一NET间距不小于四倍线……
  • 所需E币: 5
    时间: 2020-1-9 16:25
    大小: 17.49KB
    上传者: 978461154_qq
    內容_CDMA_EVDO_TrainingContentsSurveyofWirelessDataTechnologiesand1xEV-DOPurposeof1xEV-DOandDifferencesfrom1xRTTITUrequirementsanduserapplicationcapabilitiesExploitingrapidly-changingchannelconditionsChannelStructure,PowerControl,UniqueFeatures1xEV-DOtransmissiondetailsCodes,Channels,MACIndicesHybridARQprocess1xEV-DOAccessTerminalArchitectureRouteUpdateOperation1xEV-DONetworkElementsandArchitectureLucent,Motorola,Nortel1xEV-DOLayer-3Messaging1xEV-DO/1xRTTInteroperabilitySummaryReviewof1xEV-DOProtocols1-2005CourseSeries340v3.2(c)2005ScottBaxter340-2……
  • 所需E币: 3
    时间: 2020-1-9 16:55
    大小: 42.5KB
    上传者: givh79_163.com
    上海FANUC公司在富士康昆山公司授課內容上海FANUC公司在富士康昆山公司授课内容(重点整理)授课内容:本次授课共分两部分进行,上午就FOXCONN产品的翘曲变形进行分析及讨论、并由FANUC提出建议。下午由佐藤经理授课,分四个部分讲述。1.不良品的处理、讨论部分1.1       产品:MEMORYCARD外壳,属薄壁成形产品材质:低翘曲LCP,含矿纤为30%(SiO2含量,其含量越大,防翘曲性越好,但是脆性越差),玻纤为5%(其含量的多少对材质性能的影响与矿纤刚好相反)。模温:80℃~90℃射出时间:0.15~0.20Sec保压时间:0.2~0.5SecFOXCONN:产品刚出来时其翘曲度J,但是在经过235℃烘烤后,其翘曲度增加,一般为0.60~0.80之间FANUC:模温调整到130℃后再试FOXCONN:厂商介绍材料时的模温建议为70~90℃FANUC:延长冷却时间到8秒,12秒,15秒后再试FOXCONN:效果不明显FANUC:改变启动特性为A后再试FANUC:对于该产品建议如下将射出时间分别设定为0.3秒、0.2秒、0.1秒,然后烘烤再比较其结果调整模具温度后尝试在哪种温度下,其变形量为最小从模具方面考虑,改变其溢料井的位置后再试      1.2产品:MEMORYCARD外壳,材质:PPS,3点进浇部分成型条件:保压时间15秒CYCLETIME28秒COOLINGTIME8秒变形特征:两边翘起FANUC:将公母模的模温调整为有一定的温差,其差值为10~20℃,模温设定为150~140℃FOXCONN:模温调整成一定的差值后,公母模之间的配合不好FANUC:加长冷却时间,低压长时间保压后再比较产品的翘曲……