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该文档介绍了在开关电源制作过程中关于MOS管的选取方法，快速辨别好坏MOS 的方法

场效应晶體管,场效应晶體管……

BJT和MOSFET的比较,场效应和双极型晶体管物理……

场效应管工作原理简介场效应管工作原理（2）1.什么叫场效应管？FffectTransistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。2.场效应管的特征：(a)JFET的概念图(b)JFET的符号图1JFET的概念图、符号图1(b)门极的箭头指向为p指向n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。图1（a）表示n沟道JFET的特性例。以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS=0）。在此状态下漏极-源极间电压VDS从0V增加，漏电流ID几乎与VDS成比例增加，将此区域称为非饱和区。VDS达到某值以上漏电流ID的变化变小，几乎达到一定值。此时的ID称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS表示。与此IDSS对应的VDS称为夹断电压VP，此区域称为饱和区。其次在漏极-源极间加一定的电压VDS(例如0.8V)，VGS值从0开始向负方向增加，ID的值从IDSS开始慢慢地减少，对某VGS值ID=0。将此时的VGS称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS(off)示。n沟道JFET的情况则VGS(off)值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID=0的VGS因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID=0.1-10μA的VGS定义为VGS(off)的情况……

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N沟道结型场效应管的工作原理,N沟道结型场效应管的工作原理……

场效应管基础知识-工作原理转帖]场效应管基础知识-工作原理|||||一、场效应管的分类||按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若||按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为||耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。||场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应||晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。||[pic]||||二、场效应三极管的型号命名方法||第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号||，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。||三、场效应管的参数||1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅……

场效应管基础知识线性电子电路教案第三章知识要点：场效应管场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET(InsulatedGateFieldEffectTransister)之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET（MetalOxideSemiconductorFET）。1.1MOS场效应管MOS场效应管有增强型（EnhancementMOS或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate)称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source)称为源极，相当于双极型三极管的发射极。1.1.1增强型MOS(EMOS)场效应管根据图3-1，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。图3-1N沟道增强型EMOS管结构示意一、工作原理1．沟道形成原理当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通……

场效应晶体管及其放大电路,场效应晶体管及其放大电路[1]……