场效应管基础知识线性电子电路教案 第三章 知识要点： 场效应管 场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数 场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流 的半导体器件。有 N 沟道器件和 P 沟道器件。有结型场效应三极管 JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管 IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET 也称金属-氧化物-半导体三极管 MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） 。 1.1 MOS 场效应管 MOS 场效应管有增强型（Enhancement MOS 或 EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS 或 DMOS）两大类，每一类有 N 沟道和 P 沟道两种导电类型。场效应管有三个电极： D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极； G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极； S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。 1.1.1 增强型 MOS(EMOS)场效应管 根据图 3-1，N 沟道增强型 MOSFET 基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在 P 型半导体上生成一层 SiO2 薄膜绝缘层， 然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的 N 型区， 从N 型区引出电极，一个是漏极 D，一个是源极 S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金 属铝作为栅极 G。P 型半导体称为衬底，用符号 B 表示。 图 3-1 N 沟道增强型 EMOS 管结构示意 一、工作原理 1．沟道形成原理 当 VGS=0 V 时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在 D、S 之间加上电压不会在 D、 S 间形成电流。 当栅极加有电压时，若 0＜VGS＜VGS(th)时，通……