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应晶体管烧毁机理的研究:Ⅱ第l3卷第4期1994年12月真空与低温Vacuum&Cryogenics187微波GaAs功率场效应晶体管烧毁7,l;f机理的研究:Ⅱ.射频烧毁_---__●●袁泽亮范垂祯_-__-__--一-,一f9,0(兰州物理研究所)GaAspowerFETs:PartⅡ.RFburnoutYuanZeliangFanChuizhen(LanzhonInstituteofPhysics)7/-/Abstract,MicrowaveGaAspowerFETchipsfabricatedbyUSwhichappearburnoutduringtheRFtestlagareinvestigatedbymeansOfscanningelectronmicroscopy(SEM)andAugermicroprobe(SAM).Thephysicsprocedureandmechanism……