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应晶体管烧毁机理的研究:Ⅱ.射频烧毁
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类别: 消费电子
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资料介绍
应晶体管烧毁机理的研究:Ⅱ第l 3 卷 第 4期  1 9 9 4 年1 2 月  真 空与低 温  Va cu um & C r yog e n i c s   1 87   微 波G a A s 功率场效 应晶体 管 烧毁  7  , l ; f   机理 的研 究 : Ⅱ . 射 频烧毁  _ - - - _   _ ● ● 袁 泽 亮  范垂 祯  _ - _ _ - _ _ - - 一   -  , 一 f   9 ,     0   (兰州物理研 究所 )   Ga A s   p o w e r   FE T s : P a r t Ⅱ.R F   b u r n o u t   Yu a n   Z el   i a n g   Fa n   Ch u i z h e n   ( L a n z h o n   I n s t i t u t e   o f   P h y s i c s ) 7  / - /   Ab s t r a c t , Mi c r o wa v e   Ga As   p o we r   FET   c h i p s   f a b r i c a t e d   b y   U S   wh i c h   a p pe a r   bu   r n out  d ur i ng  t he  RF  t e s t l ag  a r e  i nv e s t i ga t e d  b y  m e a ns   Of  s ca n ni ng  e l e c t r on   mi c r os c opy (SEM )a nd  A ug e r   mi c r opr ob e(SA M ). T h e  phys i c s   pr oc e dur e  a nd   me c ha ni s m ……
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