tag 标签: 的参

相关资源
  • 所需E币: 3
    时间: 2020-1-13 09:43
    大小: 28KB
    上传者: 2iot
    手机ESD外壳设计的参考意见手机ESD外壳设计的参考意见保护微电子电路组件的主要有效手段是在器件制造时建立保护回路。设计保护回路要在三个要素之间综合考虑─器件的主要功能、器件制造制约(例如屏蔽水平和材料特性)和器件的位置(ESD控制)。保护电路对于ESD瞬间的反应必须比被保护的器件迅速。虽然典型的器件保护可以通过设计回路获得,然而没有器件制造商能够完全消除ESD破坏问题,因此,还需要附加的保护措施。以下主要介绍手机外壳设计的一些参考意见。1.外壳设计:A.外壳的导电部分(金属部分,电镀或者是喷导电漆的部分)需要接机壳地,如果是翻盖机,上下板要有合理的通路。B.外壳至少需要与电子器件或电路走线距离2.2mm以上。C.外壳的金属部分如果无法接机壳地时须距离电路板(或者是通过孔洞到电路板)2cm以上D.所有设计须有另加隔离片的空间。E.要有足够空间,以避免阻碍PCB设计。F.所有相连接之金属材料其EMF差要小于0.75V。G.不可在接机壳地或静电敏感组件附近挖孔。H.尽量减少壳内外连通的孔洞,所有孔洞或缝隙不能大于2cm。I.使用多个小孔取代一个大孔。如果可能,这些孔之间的间距尽量大。J.使用金属带(foiltape)时,必须与机壳实现电接触。K.连接带需短而宽。L.天线盖如果电镀或者喷了导电漆最好不要和内部连通,如果天线可以放电的话,容易打死机。2.键盘之ESD防护对策:A.若机壳上的静电防护比较好,可于按键胶片的外部作导电涂装,当产品组合完成时,胶片外部的导电涂装将自动和导电外壳形成金属屏蔽,使静电打不进去。B.如果外壳的静电保护考虑得不够好,那么键盘可使用不导电的材料制成,要使键盘不放电。C.如果侧键……
  • 所需E币: 4
    时间: 2020-1-14 13:46
    大小: 1.59MB
    上传者: 2iot
    傻瓜东东学RF之15的参考文献,傻瓜东东学RF之15的参考文献……
  • 所需E币: 4
    时间: 2020-1-14 17:57
    大小: 781.67KB
    上传者: 238112554_qq
    soc验证的参考方法,soc验证的参考方法……
  • 所需E币: 5
    时间: 2020-1-15 10:08
    大小: 26KB
    上传者: 微风DS
    MOS的参数Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流上升率(外电路参数)dv/dt---电压上升率(外电路参数)ID---漏极电流(直流)IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流(射频功率管)IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时,漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)IG---栅极电流(直流)IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时,截止栅电流IGSO---漏极开路时,截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻(外电路参数)RL---负载电阻(外电路参数)R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功……
  • 所需E币: 4
    时间: 2020-1-13 19:56
    大小: 213.09KB
    上传者: quw431979_163.com
    射频和VF设计的参考因素BROADCASTINGDIVISIONApplicationNoteReferencefactorbetweenRF(referencedtosynctoplevel)andVFProducts:TVDemodulatorsandVideoAnalyzersUAF+EFA33VSA+B107BM10_0EReferencefactorbetweenRF(referencedtosynctoplevel)andVFLetusanalyzeamodulatedsignal:0%11%42%73%100%VF100%whitesideband50%grey0%black-43%synctopRF/IFLevelPercentagesforRF/IFSignalwithReferencetoVFSignalNowdothecalculation:ThesidebandamplitudereferencedtoUpp(USB,LSB)isapp(USB,LSB)=73%-11%=62%incaseofdoublesidebandmodulation,aswehaveinVSBfrequencyrange.73%VisionCarrierap(USB)=15.5%ap(LSB)=15.5%42%VisionCarrieratVF50%greyap(LSB)=15.5%11%ap(USB)=15.5%app(LSB,USB)=62%73%Vect……