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单结晶体管的使用问题赛宝元器件可靠性技术资料――单结晶体管的使用问题单结晶体管的使用问题1.1在第二基极B2上串联1个限流电阻R2，限制单结管的峰值功率1.2电路中的CT或VP（峰值电压）较大时，CT上应串联一个保护电阻，以保护发射极B1不受到电损伤。1.3在某些应用中，用一只二极管与单结管的基极B2或发射极E相串联，这样可改善温度稳定性及减小电源电压变化的影响。1.4单结管和硅可控整流器的抗辐照特性很差，不宜在辐照环境中使用。单结晶体管的使用问题单结晶体管具有大的脉冲电流能力而且电路简单，因此在各种开关应用中，在构成定时电路或触发SCR等方面获得了广泛应用。它的开关特性具有很高的温度稳定性，基本上不随温度而变化。单结管又名双基极二极管，它作为振荡器的基本电路如图2－5所示。图2-5单结管振荡器为了提高使用可靠性，在使用过程中应注意以下问题：1.1在第二基极B2上串联1个限流电阻R2，限制单结管的峰值功率因为电路工作时，在B2和E间常常表现出很大的峰值功率。0.4RBBR2应满足：R2＝ηV1RBB式中：V1－电源电压;RBB＝RB1＋RB2;η＝RB1＋RB2www.ceprei.netE-mail:market@ceprei.netTel:0755-82425288、82425988……

二极管，三极管经典应用,二极管，三极管和mos管的基础知识……

MOS的高频特性,MOS晶体管的瞬态特性……

采用BFG480W晶体管的2APPLICATIONINFORMATION2.45GHzpoweramplifierwiththeBFG480WPhilipsSemiconductorsApplicationinformation2.45GHzpoweramplierwiththeBFG480WABSTRACTDescriptionoftheproductTheBFG480W,oneofthePhilipsdoublepolysiliconwidebandtransistorsoftheBFG400series.Thesetransistorsarecharacterisedbyatransitionfrequencyhigherthan20GHzatlowsupplyvoltages.ApplicationareaLowvoltagehighfrequencywirelessapplications.PresentedapplicationApoweramplifierfora2.45GHzWLAN.MainresultsAtafrequencyof2.45GHz,asupplyvoltageof3.0V,andacontrolvoltageof3.0V,theamplifierdeliversanoutputpowerof19dBmataninputpowerof8dBm,withapoweraddedefficiencyof38%.PHILIPSELECTRONICSN.V.1999Allrightsarereserved.R……

采用BFG540WX晶体管的400MHz驱动放大器PhilipsSemiconductorsB.V.Gerstweg2,6534AENijmegen,TheNetherlandsReportnr.AuthorDateDepartment:RNR-T45-97-B-0920:T.F.Buss:20-11-97:P.G.Transistors&Diodes,Development400MHzLOWNOISEAMPLIFIERWITHTHEBFG540W/XAbstract:ThisapplicationnotecontainsanexampleofaLowNoiseAmplifierwiththeBFG540W/XRF-transistor.TheLNAisdesignedforafrequencyf=400MHz,VSUP=3.0V,ISUP~7.5mA.Measuredperformanceatf=400MHz:NoiseFigureNF~1.0dB,rf-GainS21~15.5dB,Input_IP3~2dBmApplications:LNAfora400MHzCDMAsystem(Chinesemarket).AppendixI:400MHzLNAcircuitAppendixII:Printlayoutandlistofusedcomponents&materialsAppendixIII:Resultsofsimulationsandmeasurements1PhilipsSemiconductorsB.V.Introduction:WithPhilipssiliconwide……

MOS管的高频特性（FREE）,MOS管的高频特性……

采用超低噪音晶体管的1575MHz+GPSLWR#SD00051LNAPSiliconDiscretes……

二极管的特性与应用二极管的特性与应用[pic] 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。二极管的工作原理   晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。   当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。二极管的导电特性二极管最重要的特……

二极管的动作特性与应用二极管的动作特性与应用宇量|内容标题导览：│二极管的动作原理│电阻与二极管构成的应用电路│电容与二极管构成的应用||电路│||||||||二极管属于半导体器件的一种，应用在一般电子电路的半导体，依照性质的不同可以分成P型||与N型两种，如果利用P型→N型性质改变所构成的PN接合，就可以制作二极管(Diode)器件，除||此之外使金属与半导体接触，利用Schottky接合的电气特性，同样可以制作二极管器件。二极||管具备两个端子，它的外形随着用途的不同有许多形状，不过基本上二极管的动作原理却完全||相同。本文要介绍二极管的基本功能，同时针对泛用二极管进行模拟分析，藉此探讨二极管动||作时的电流与电压决定方法。||……

功率二极管的设计原则及其串并联特性功率二极管的设计原则及其串并联特性1.1功率半导体二极管的设计准则功率半导体二极管的设计一般考虑以下几点：1)考虑二极管正向平均电流的转折温度，为确保器件工作的可靠性，对二极管的电流和电压进行降额设计。一般是先估算电路中二极管的通态电流和反向电压，选取时留有1.5～2倍的裕量。2)正向压降应小，以减小正向导通损耗，提高效率，尤其是在大电流，低频率的工作电路中。3)反向恢复电流峰值要小，与之相关的反向恢复时间要小。值得注意的是反向恢复时间的选择问题：不同厂家的测试条件不同，对应同一二极管的反向恢复时间trr也不相同。比较合理的选择方法是看平均正向电流IF和反向恢复电流的峰值IRM的比值，如图Fig1所示；[pic]Fig1trr、taandtbWaveformsandDefinitions[pic]，比值越大对应的trr也越大。4)正向恢复电压峰值要小，尤其是在使用超快恢复管的场合。5)反向漏电流小，尤其是在高压高结温的场合。6)对功率二极管进行设计时，如果有FUSE保护时，还要考虑diode的I2t与FUSE的I2t相配合。7)根据要求的电流工作范围确定二极管Tc温度范围及其封装形式和散热方式。8)对功率半导体二极管进行串并联设计时，应遵守的原则如下：二极管的串联：二极管的串联应用一般用在开关管的续流二极管的场合中。串联时，需要注意静态反向截止电压和动态反向截止电压的动态分布。[pic]图2二极管串联的电路在静态时，由于串……

整流管与稳压管的参数和选择原则整流管与稳压管的参数和选择原则(一)整流二极管的主要参数 1.IF— 最大平均整流电流。 指二极管[pic]期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。 2.VR— 最大反向工作电压。 指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV. 3.IR— 反向电流。 指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR的影响很大。例如1N4000系列二极管在100°C条件IR应小于500uA;在25°C时IR应小于5uA。 4.VR— 击穿电压。 指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。 5.tre— 反向恢复时间。 指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 6.fm— 最高工作频率。 主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。 7.CO— 零偏压电容。 指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。 (二)稳压二极管的主要参数 1.Vz— 稳定电压。 指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值……

三极管的开关特性及应用三极管的开关特性及应用◆三极管是最常用的电子元器件之一，除了放大作用外，还作为电子开关使用。一个理想开关应具备“双０”特点，即开关断开时，开关中流过的电流为０；开关闭合时，开关的端电压为０。三极管的开关特性是指三极管交替工作于截止区与饱和区，此时的三极管相当于电子开关。王晓静负载线的交点即为该电路的工作点，当ｊ≤０时，三极管工作于Ａ点，即截止区；增大ｉ时工作点将沿负载线从截止区经放大区向饱和区移动，如图１（ｂ）所示，只有在ｉＢ＞８￣０ｕＡ即越过Ｓ点时。三极管才能够进入饱和区。因此三极管要工作在开关状态。必须满足一定的条件。截止条件：ＵＢＥ≤０Ｖ饱和条件：ｉＢ＞ＩＢ［Ⅻ）图１（ａ）所示为常见的单管共射电路，其输入回路方程为ｕｌ＝＿日ＲＢ＋ｕ臣Ｉ输出回路方程为Ｖｃｃ＝ＵｃＥ＋ｉｃＲｃｏ饱和条件中两个基极电流是有区别的，其中Ｉ№。为图１（ｂ）中的Ｓ点对应的基极电流，Ｓ点为放大区当电路参数确定后。根据输出回路方程在三极管的输出特性曲线上作出负载线如图１（ｂ）所示，负载线的斜率为一Ｉ／Ｒｃｏ由ｉ确定的一条输出特性曲线与和饱和区的交界处，此处ＵｃＥ＝Ｕ臣，Ｕｃａ＝０，称为临界饱和状态。临界饱和状态的Ｉ。、Ｉ。、Ｕ饪分别称为临界饱和集电极……

ＴＶＳ管的特性及其应用11mA2VcbVR-IR,VRVRIR1VB-IT,VBBITIT-10%m=-5%SBVB=-10%VBVR=085*VB=-5%VBVR=085*VBVC-IPPVBIPPIPPIPPB7.1TVSTVS3TVS1VCTVSVCTVSTVSTVS1TVS3TVS3TVSTVS2VbVb2TVSTVSTVS50*101755uAVC/BV1.5115200Ua7-8TVSTVS1TVSTVS23TVSVR4TVSVCTVSVCIPP3TVSVC4……

各种二极管的用途各种二极管的用途１、检波二极管Ａ、用于检波电路Ｂ、用于鉴频电路Ｃ、用于鉴相电路Ｄ、用于混频电路Ｅ、用于限幅电路Ｆ、用于AGC电路Ｇ、用于测试电路Ｈ、用于指示器电路Ｉ、用于其它电路２、变容二极管Ａ、用于调谐电路Ｂ、用于倍频电路Ｃ、用于控制电路Ｄ、用于其它电路３、整流二极管Ａ、用于整流电路Ｂ、用于供电电路Ｃ、用于节电电路Ｄ、用于照明电路Ｅ、用于稳压电路Ｆ、用于测试电路Ｇ、用于控制电路Ｈ、用于保护电路Ｉ、用于指示器电路Ｊ、用于其它电路４、恒流二极管Ａ、用于稳流电路Ｂ、用于充电电路Ｃ、用于测试电路Ｄ、用于放大电路Ｅ、用于保护电路Ｆ、用于其它电路５、稳压二极管    Ａ、用于稳压电路Ｂ、用于延迟电路Ｃ、用于保护电路Ｄ、用于其它电路６、双向触发二极管Ａ、用于调压电路Ｂ、用于控制电路Ｃ、用于其它电路７、发光二极管Ａ、用作指示灯Ｂ、用作指示器Ｃ、用于显示器Ｄ、用于检测电路Ｅ、用于闪烁电路Ｆ、用于整流电路Ｇ、用于稳压电路Ｈ、用于其它电路８、负阻发光二极管Ａ、用于过压保护电路Ｂ、用于其它电路９、红外发光二极管Ａ、用于发射器Ｂ、用于接收器10、肖特基二极管Ａ、用作逆变器的保护Ｂ、用作开关电源续流Ｃ、用作升压二极管Ｄ、用作阻尼二极管11、隧道二极管Ａ、用于高频电路Ｂ、用于单、双稳态电路Ｃ、用于保护电路12、开关二极管Ａ、用于检波电路    Ｂ、用于钳位电路Ｃ、用于抗干扰电路Ｄ、用于自动控制电路……

如何计算N沟道增强型场效应管的驱动电流如何计算N沟道增强型场效应管的驱动电流   要求驱动电流，首先要查以下几个参数：   单位面积栅极电容Ciss   开启电压Ugs   导通时间以功率管STP75NF75为例C=3700uFUgs=10VT=10ns根据公式:C=Q/T   Q=I*T将数据代入得出: I=37A具体的导通时间可以根据具体要求变化……

FPGA初期实验之数码管动态计数~！,数码管的计数……

功率二极管的基本特性及选定,功率二极管的基本特性及选定……