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级联型低噪声放大器设计和优化的研究第8卷第4期2003年8月文章编号：1007-0249(2003)04-0058-05电路与系统学报JOURNALOFCIRCUITSANDSYSTEMSVol.8No.4August，2003级联型低噪声放大器设计和优化的研究*方磊，陈邦媛（浙江大学信息科学与电子工程系，浙江杭州310027）摘要：文章详细分析了共源共栅级联型低噪声放大器的优化设计方法。文章首先简要的介绍共源共栅MOSFET低噪声放大器优化设计步骤。在此基础上，通过分析整个级联型低噪声放大器的密勒效应对优化设计的影响，进一步提出了对共栅级MOSFET的沟道宽度优化的必要性。最后，文章以一个工作于2.4GHz，0.5m工艺的低噪声放大器设计为例，证实了前面理论分析的正确性，并根据低噪声放大器的主要设计指标给出了共源共栅结构下共栅级MOSFET的沟道宽度的优化方法。关键词：低噪声放大器；密勒效应；共源；共栅；共源共栅级联中图分类号：TN722文献标识码：A1前言随着当代通信设备向小型化、集成化和便携化的方向发展，围绕着低噪声放大器的设计和电路参数优化发表了大量文献。目前公认较好的电路结构形式是共源共栅组合，并在共源级采用源极电感负反馈实现与信号源阻抗匹配[1,2]（交流通路如图1所示）。本文主要围绕低噪声、低功耗和50Ω源阻抗匹配这三个设计指标对此结构的低噪声放大器的设计及优化思路做一概述，然后分析场效应管的极间电容Cgd引起的密勒效应对此电路结构的影响，提出电路参数的选取原则，特别对第二级共栅管的面积优化给出了计算机仿真结果。图1共源共栅LNA交流通路图2共源共栅、源极电感负反馈结构LNA的设计与优化在……