级联型低噪声放大器设计和优化的研究第8卷 第4期 2003 年 8 月　　　　　　　　　　　　　 文章编号：1007-0249 (2003) 04-0058-05 电路与系统学报 JOURNAL OF CIRCUITS AND SYSTEMS 　　　　　　　 Vol.8 No.4 August， 2003 级联型低噪声放大器设计和优化的研究* 方磊， 陈邦媛 （浙江大学 信息科学与电子工程系，浙江 杭州 310027 ） 摘要：文章详细分析了共源共栅级联型低噪声放大器的优化设计方法。文章首先简要的介绍共源共栅 MOSFET 低 噪声放大器优化设计步骤。在此基础上，通过分析整个级联型低噪声放大器的密勒效应对优化设计的影响，进一步提 出了对共栅级 MOSFET 的沟道宽度优化的必要性。最后，文章以一个工作于 2.4GHz ， 0.5m 工艺的低噪声放大器设 计为例，证 实了前面理论分析的正确性，并根据低噪声放大器的主要设计指标给出了共源共栅结构下共栅级 MOSFET 的沟道宽度的优化方法。 关键词：低噪声放大器；密勒效应；共源；共栅；共源共栅级联 中图分类号：TN722 文献标识码：A 1 前言 随着当代通信设备向小型化、集成化和便携化的方向发展，围绕 着低噪声放大器的设计和电路参数优化发表了大量文献。目前公认较 好的电路结构形式是共源共栅组合，并在共源级采用源极电感负反馈 实现与信号源阻抗匹配 [1,2]（交流通路如图 1 所示） 。本文主要围绕低 噪声、 低功耗和 50 Ω源阻抗匹配这三个设计指标对此结构的低噪声放 大器的设计及优化思路做一概述，然后分析场效应管的极间电容 Cgd 引起的密勒效应对此电路结构的 影响，提出电路参数的选取原则，特别对第二级共栅管的面积优化给出了计算机仿真结果。 图1 共源共栅 LNA 交流通路图 2 共源共栅、源极电感负反馈结构 LNA 的设计与优化 在……