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    Ka频段宽带落入式微带结型隔离器第26卷第3期电子科技大学学报Vol.26No.31997年6月JournalofUESTofChinaJun.19973Ka频段宽带落入式微带结型隔离器曾升权33冯双久陈骏莲(电子科技大学磁性工程系成都610054)【摘要】从理论上指出原型落入式微带结型环行器(或隔离器)性能不佳的原因在于第二环行条件不满足,提出通过调整中心结的高度和匹配段长度可以改善阻抗匹配状况,提高器件的性能。据此制作了一个Ka频段落入式微带隔离器,在2.0GHz绝对带宽内(30.5GHz~32.5GHz)器件的插损小于1.0dB,隔离大于20dB。关键词微带隔离器;落入式;毫米波器件;Ka频段;阻抗;匹配中图分类号TN62;TN455微波毫米波集成电路的发展要求铁氧体器件易于与混合集成电路相连接。目前,能满足集成化要求的铁氧体环行器或隔离器主要有以下几种结构形式:镶嵌式、全磁式、重叠式和落入式(Drop2in)。前三种结构形式的器件,因其中心结由很薄的铁氧体样品组成,所以在高度方向上的退磁因子很大,对外加恒偏磁场的要求也就比较高。而随着器件工作频率的升高,所需的外磁场也随之增大,在Ka频段,所需的外磁场达360kAm以上,这就给外磁路的设计带来了很大的困难。而落入式的结构形式正好可以解决这个困难,它通过增加中心结的高度,使得所需的外加恒偏磁场大为减小,因此这种结构形式特别适用于研制毫米波集成化铁氧体环行器或隔离器。但最早报道的落入式环行器的……
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