Ka频段宽带落入式微带结型隔离器　　第 26 卷　第 3 期 　　　电 子 科 技 大 学 学 报 　V o l . 26　N o. 3 　　　　 　　　　　　 　　1997 年 6 月 　　　　　Jou rna l　of 　U EST 　of 　Ch ina 　　 　J un. 1997 3 Ka 频段宽带落入式微带结型隔离器 曾升权3 3 　　冯双久　　陈骏莲 ( 电子科技大学磁性工程系　成都　610054) 【摘要】 　从理论上指出原型落入式微带结型环行器 ( 或隔离器) 性能不佳的原因在于第二环行条件 不满足, 提出通过调整中心结的高度和匹配段长度可以改善阻抗匹配状况, 提高器件的性能。 据此制作 了一个 Ka 频段落入式微带隔离器, 在 2. 0 GH z 绝对带宽内 ( 30. 5 GH z ～ 32. 5 GH z) 器件的插损小于 1. 0 dB , 隔离大于 20 dB。 关　键　词　微带隔离器; 　落入式; 　毫米波器件; 　Ka 频段; 　阻抗; 　匹配 中图分类号　TN 62; 　TN 455 　　微波毫米波集成电路的发展要求铁氧体器件易于与混合集成电路相连接。 目前, 能满足集成化 要求的铁氧体环行器或隔离器主要有以下几种结构形式: 镶嵌式、 全磁式、 重叠式和落入式 (D rop 2 in ) 。前三种结构形式的器件, 因其中心结由很薄的铁氧体样品组成, 所以在高度方向上的退磁因子 很大, 对外加恒偏磁场的要求也就比较高。 而随着器件工作频率的升高, 所需的外磁场也随之增大, 在 Ka 频段, 所需的外磁场达 360 kA m 以上, 这就给外磁路的设计带来了很大的困难。 而落入式的 结构形式正好可以解决这个困难, 它通过增加中心结的高度, 使得所需的外加恒偏磁场大为减小, 因此这种结构形式特别适用于研制毫米波集成化铁氧体环行器或隔离器。 但最早报道的落入式环 行器的……