tag 标签: 芯片制造

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    英特尔周一正式发布Ivy Bridge处理器。Ivy Bridge是英特尔首款22纳米工艺处理器,并引入“Tri-gate”3D晶体管技术。虽然很多人见过处理器,但是对于芯片的制作过程可能并不了解。 简单地说,处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核 心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤,而且每一步里边又包含更多细致的过程。本段视频展示了从沙子到芯片的全过程。   编者按: 下面是视频。由于网络原因,如果无法显示,请到优酷 http://v.youku.com/v_show/id_XMjQyMDAyMTUy.html  观看。    
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    《芯片制造:半导体工艺制程实用教程(第六版)》,电子工业出版社出版,外文书名:MicrochipFabrication:aPracticalGuidetoSemiconductorProcessing,SixthEdition,作者:赞特(PeterVanZant)(作者),韩郑生(译者)。《芯片制造:半导体工艺制程实用教程(第六版)》本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍,在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围包括半导体工艺的每个阶段:从原材料的制备到封装、测试和成品运输,以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例,每章包含回顾总结和习题,并辅以丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展,讨论了用于图形化、掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术,使隐含在复杂的现代半导体制造材料与工艺中的物理、化学和电子的基础信息更易理解。本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容,并加入了半导体业界的新成果,可以使读者了解工艺技术发展的趋势。《芯片制造:半导体工艺制程实用教程(第六版)》图书目录第1章半导体产业1.1引言1.2一个产业的诞生1.3固态时代1.4集成电路1.5工艺和产品趋势1.6半导体产业的构成1.7生产阶段1.8微芯片制造过程发展的60年1.9纳米时代习题参考文献第2章半导体材料和化学品的特性2.1引言2.2原子结构2.3元素周期表2.4电传导2.5绝缘体和电容器2.6本征半导体2.7掺杂半导体2.8电子和空穴传导2.9半导体生产材料2.10半导体化合物2.11锗化硅2.12衬底工程2.13铁电材料2.14金刚石半导体2.15工艺化学品2.16物质的状态2.17物质的性质2.18压力和真空2.19酸、碱和溶剂2.20化学纯化和清洗习题参考文献第3章晶体生长与硅晶圆制备3.1引言3.2半导体硅制备3.3晶体材料3.4晶体定向3.5晶体生长3.6晶体和晶圆质量3.7晶圆准备3.8切片3.9晶圆刻号3.10磨片3.11化学机械抛光3.12背面处理3.13双面抛光3.14边缘倒角和抛光3.15晶圆评估3.16氧化3.17包装3.18工程化晶圆(衬底)习题参考文献第4章晶圆制造和封装概述4.1引言4.2晶圆生产的目标4.3晶圆术语4.4芯片术语4.5晶圆生产的基础工艺4.6薄膜工艺4.7晶圆制造实例4.8晶圆中测4.9集成电路的封装4.10小结习题参考文献第5章污染控制5.1引言5.2污染源5.3净化间的建设5.4净化间的物质与供给5.5净化间的维护5.6晶片表面清洗习题参考文献第6章生产能力和工艺良品率6.1引言6.2良品率测量点6.3累积晶圆生产良品率6.4晶圆生产良品率的制约因素6.5封装和最终测试良品率6.6整体工艺良品率习题参考文献第7章氧化7.1引言7.2二氧化硅层的用途7.3热氧化机制7.4氧化工艺7.5氧化后评估习题参考文献第8章十步图形化工艺流程——从表面制备到曝光8.1引言8.2光刻工艺概述8.3光刻十步法工艺过程8.4基本的光刻胶化学8.5光刻胶性能的要素8.6光刻胶的物理属性8.7光刻工艺:从表面准备到曝光8.8表面准备8.9涂光刻胶(旋转式)8.10软烘焙8.11对准和曝光8.12先进的光刻习题参考文献第9章十步图形化工艺流程——从显影到最终检验9.1引言9.2硬烘焙9.3刻蚀9.4湿法刻蚀9.5干法刻蚀9.6干法刻蚀中光刻胶的影响9.7光刻胶的去除9.8去胶的新挑战9.9最终目检9.10掩模版的制作9.11小结习题参考文献第10章下一代光刻技术10.1引言10.2下一代光刻工艺的挑战10.3其他曝光问题10.4其他解决方案及其挑战10.5晶圆表面问题10.6防反射涂层10.7高级光刻胶工艺10.8改进刻蚀工艺10.9自对准结构10.10刻蚀轮廓控制习题参考文献第11章掺杂11.1引言11.2扩散的概念11.3扩散形成的掺杂区和结11.4扩散工艺的步骤11.5淀积11.6推进氧化11.7离子注入简介11.8离子注入的概念11.9离子注入系统11.10离子注入区域的杂质浓度11.11离子注入层的评估11.12离子注入的应用11.13掺杂前景展望习题参考文献第12章薄膜淀积12.1引言12.2化学气相淀积基础12.3CVD的工艺步骤12.4CVD系统分类12.5常压CVD系统12.6低压化学气相淀积(LPCVD)12.7原子层淀积12.8气相外延12.9分子束外延12.10金属有机物CVD12.11淀积膜12.12淀积的半导体膜12.13外延硅12.14多晶硅和非晶硅淀积12.15SOS和SOI12.16在硅上生长砷化镓12.17绝缘体和绝缘介质12.18导体习题参考文献第13章金属化13.1引言13.2淀积方法13.3单层金属13.4多层金属设计13.5导体材料13.6金属塞13.7溅射淀积13.8电化学镀膜13.9化学机械工艺13.10CVD金属淀积13.11金属薄膜的用途13.12真空系统习题参考文献第14章工艺和器件的评估14.1引言14.2晶圆的电特性测量14.3工艺和器件评估14.4物理测试方法14.5层厚的测量14.6栅氧化层完整性电学测量14.7结深14.8污染物和缺陷检测14.9总体表面特征14.10污染认定14.11器件电学测量习题参考文献第15章晶圆制造中的商业因素15.1引言15.2晶圆制造的成本15.3自动化15.4工厂层次的自动化15.5设备标准15.6统计制程控制15.7库存控制15.8质量控制和ISO9000认证15.9生产线组织架构习题参考文献第16章形成器件和集成电路的介绍16.1引言16.2半导体器件的形成16.3可替换MOSFET按比例缩小的挑战16.4集成电路的形成16.5BiMOS16.6超导体习题参考文献第17章集成电路的介绍17.1引言17.2电路基础17.3集成电路的类型17.4下一代产品习题参考文献第18章封装18.1引言18.2芯片的特性18.3封装功能和设计18.4引线键合工艺18.5凸点或焊球工艺示例18.6封装设计18.7封装类型和技术小结
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    上传者: 汽电黄蜂
    该资料简洁明了,配图生动,非常适合普通工程师、入门级工程师或行业菜鸟,帮助你了解芯片制造的基本工艺流程。首先,在制造芯片之前,晶圆厂得先有硅晶圆材料。从硅晶棒上切割出超薄的硅晶圆,然后就可以进行芯片制造的流程了。1、湿洗(用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)2、光刻(用紫外线透过蒙版照射硅晶圆,被照到的地方就会容易被洗掉,没被照到的地方就保持原样.于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案.注意,此时还没有加入杂质,依然是一个硅晶圆.)3、离子注入(在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质,不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.)4.1、干蚀刻(之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的,而是为了离子注入而蚀刻的。现在就要用等离子体把他们洗掉,或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构,这一步进行蚀刻).4.2、湿蚀刻(进一步洗掉,但是用的是试剂,所以叫湿蚀刻)——以上步骤完成后,场效应管就已经被做出来啦,但是以上步骤一般都不止做一次,很可能需要反反复复的做,以达到要求。5、等离子冲洗(用较弱的等离子束轰击整个芯片)6、热处理,其中又分为:6.1快速热退火(就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上,然后慢慢地冷却下来,为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)6.2退火6.3热氧化(制造出二氧化硅,也即场效应管的栅极(gate))7、化学气相淀积(CVD),进一步精细处理表面的各种物质8、物理气相淀积(PVD),类似,而且可以给敏感部件加coating9、分子束外延(MBE)如果需要长单晶的话就需要。10、电镀处理11、化学/机械表面处理12、晶圆测试13、晶圆打磨就可以出厂封装了。
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    时间: 2019-5-25 23:25
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    芯片制造半导体工艺制程实用教程第5版404页44.5M高清版作为经典的芯片制造工艺类教材,属实为必看经典读物之一。
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