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　　说道 CoolMOS大家想到进口的，总认为国产的技术跟不上，难道我们国产的就真的比不是进口的吗？下面我们来看下 国产CoolMOS和进口品牌CoolMOS测试对比。   　　因为设备有限仅，仅做了2项内容的测试，一项是RDS，和规格书上相差无几都为150mΩ上下（25°C，ID=1A,Ugs=12V。规格书标190mΩ）；一项是栅极输入特性直接上机看他的G极波形（250W半桥式镇流器;1uS 5v/格)   NCE20N50规格书下载 这个是我们的型号：NCE20N50的测试图   其他品牌差不多容量的测试图   NCE20N50规格书下载   　　比较上面的波形，在相同的驱动源下，C3比NCE那个上升时间差不多多了一半...关断时的“弥勒平台”也比较明显 　　Q-fet的优点就在于结电容小，但在相同的功率容量，coolMOS的导通电阻要小一半，c3手册上结电容和Qg都不大，但实际应用你会发觉它很难驱动 Super Junction MOSFET的产品优势： 1、采用超结结构的 MOSFET 能提供比常规 MOSFET 更低的导通电阻，其导通损耗低、发热量小，效率提高显著。 2、在相同电压与电流的情况下，超结结构的Qg更小，因此开关速度更快，开关损耗也更小。 3、超结产品芯片面积小、导通电阻小，相同电流电压级别下，超结产品可以使用更小的封装形式。 4、由于芯片工艺流程良率和封装体积的限制，常规 MOSFET 很难实现高压大电流，解决方法就是器件工艺及设计采用超结结构。   文章来源：http://kte99.com/Article/guochanCOOLMOSceshid_1.html