原创 有没能够跟进口CoolMOS相提并论的国产CoolMOS

　　说道 CoolMOS大家想到进口的，总认为国产的技术跟不上，难道我们国产的就真的比不是进口的吗？下面我们来看下 国产CoolMOS和进口品牌CoolMOS测试对比。

　　因为设备有限仅，仅做了2项内容的测试，一项是RDS，和规格书上相差无几都为150mΩ上下（25°C，ID=1A,Ugs=12V。规格书标190mΩ）；一项是栅极输入特性直接上机看他的G极波形（250W半桥式镇流器;1uS 5v/格)

NCE20N50规格书下载

这个是我们的型号：NCE20N50的测试图

其他品牌差不多容量的测试图

NCE20N50规格书下载

　　比较上面的波形，在相同的驱动源下，C3比NCE那个上升时间差不多多了一半...关断时的“弥勒平台”也比较明显
　　Q-fet的优点就在于结电容小，但在相同的功率容量，coolMOS的导通电阻要小一半，c3手册上结电容和Qg都不大，但实际应用你会发觉它很难驱动

Super Junction MOSFET的产品优势：

1、采用超结结构的MOSFET能提供比常规MOSFET更低的导通电阻，其导通损耗低、发热量小，效率提高显著。

2、在相同电压与电流的情况下，超结结构的Qg更小，因此开关速度更快，开关损耗也更小。

3、超结产品芯片面积小、导通电阻小，相同电流电压级别下，超结产品可以使用更小的封装形式。

4、由于芯片工艺流程良率和封装体积的限制，常规MOSFET很难实现高压大电流，解决方法就是器件工艺及设计采用超结结构。

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