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用户1632772 2012-9-18 15:18: 库存比亚迪开关电源控制芯片 BF1502 低价处理; 库存低价处理，在网上不方便报价，有兴趣的电话咨询，绝对是前所未有的超低价格，赶紧行动了！！！！！！ ...; 1012 15 0 15

控制电源开关芯片开关电源

用户1632772 2012-8-27 17:09: LM7808 韩国进口稳压IC; 　　 LM7808 的最大允许电流不同厂家的产品是不一样的，CONTEX的是1A，NS和FS的是1.5A，超过此值就会自动进入限流保护状态，但是实际耗散功率并不单取决 ...; 1221 14 0 14

电压电路 ic 测试

用户1632772 2012-8-27 15:37: 贴片式保险丝如何实现过流保护设计?; 　　贴片式保险丝的设计原理　　标准的熔断保险丝是密封在陶瓷或玻璃管内的金属线，管内填充了空气或沙粒。而贴片式保险丝采用了完全不同的技术原 ...; 1493 18 0 18

用户1632772 2012-8-7 16:27: 自恢复保险丝PTC的结构; 原文地址： http://www.kte99.com/Article/zihuifubaoxiansiPTC_1.html 　　自恢复保险丝是一种用于电路保护的正温度系数热敏电阻 . ...; 1535 16 0 16

电路电池保险丝电阻

用户1632772 2012-8-7 16:22: 光端机方案建议如何防雷; 　　光端机好是好，但是容易招致雷击而损坏。要购买光端机就要注意给光端机防雷，比如安装的时候要不要关注一下防雷措施等等，如果本身购买的人不了解 ...; 1194 18 0 18

方案接口电阻功能

用户1632772 2012-8-6 16:42: 放电管与压敏电阻的组合使用方法; 压敏电阻在通过持续大电流后其自身的性能要退化，将压敏电阻与放电管并联起来(如图1所示)，可以克服这一缺点 ...; 1396 21 0 21

电阻电压电容电源应用

用户1632772 2012-8-6 16:18: 保险丝和PTC间的选择; 保险丝与PTC 本部分内容提供了关于如何针对具体应用选择最佳过流电路保护装置（ PTC 或保险丝）的指导。是选用保险丝还是选用 PTC ...; 932 11 0 11

保险丝电路电阻

用户1632772 2012-8-2 15:48: 自恢复保险丝在安防设备过流保护应用中的优势; 一、自恢复保险丝的应用有优势 1、安装简单：自恢复保险丝无极性，串联于需要保护的电路即可，安全可 ...; 1149 15 0 15

测试认证自恢复保险丝

用户1632772 2012-8-2 15:42: 如何选择自恢复保险丝的型号; 1、确定电路的一下参数： a 最大工作环境温度 b 标准工作电流 c 最大工作电压（Umax） d 最大故障电流（Imax） 2、选择 ...; 998 13 0 13

电路保险丝环境故障

用户1632772 2012-7-30 15:51: 沟槽栅低压功率MOSFET 的发展（4）; 　　在现在的功率 MOSFET 器件中，传统的表面栅结构已经不是很常用到了，这主要是由于它的通态电阻太大，功耗太高，以至于无法很好的满足功率器件的要求。 ...; 1366 22 0 22

开关电压电容电阻 eps

用户1632772 2012-7-30 15:50: 沟槽栅低压功率MOSFET 的发展（3）; 　　三、减小漂移区电阻R D 　　在满足耐压的条件下，可以采用减薄漂移区厚度和增加漂移区掺杂浓度的方法减小R D 。另一种减小漂 ...; 1415 11 0 11

电阻电压击穿电压电容设计

用户1632772 2012-7-27 17:05: 沟槽栅低压功率MOSFET 的发展（２）; 　　一、减小沟道电阻R CH 　　按照我们前面分析的，对于超低压 MOSFET ，由于漂移区电阻R D 相对所占比例较小，所以在漏源通态电 ...; 1603 14 0 14

电阻电压 pa mid

用户1632772 2012-7-27 17:04: 沟槽栅低压功率MOSFET 的发展（1）; 　　近些年国际上众多公司和学者都在针对进一步减小Q g 和R ds（on）进行研究，有大量相关的专利和论文。本篇主要针对用于低侧的超低压 MOSFET 对国际上 ...; 1077 12 0 12

击穿电压 ad 电阻电压

用户1632772 2012-7-26 11:56: 陶瓷气体放电管BA301M 信号放电管; 　　随着信息系统的广泛应用，由于网络线路多，电子设备的耐压水平低，雷击对信息系统的危害越来越大。雷电对信息系统的危害主要是雷击电磁脉冲造成的 ...; 832 11 0 11

电压应用脉冲击穿电压

用户1632772 2012-7-26 11:50: 功率MOSFET发展方向; 　　1）高压和超高压方向。希望器件能有较高的耐压，但仍有较低的通态电阻或通态压降。由于这种类型的器件通常有较厚的低掺杂外延层以承受高耐压，所以外 ...; 1075 12 0 12

mosfet 电阻开关电路电压功耗

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