tag 标签: VBsemi

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  • 2024-5-18 17:57
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    NTGD3148NT1G-VB一种2个N沟道SOT23-6封装MOS管
    NTGD3148NT1GVBsemi MOSFET Datasheet VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管,其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管,具备出色的性能参数。最大工作电压为20V,最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻(RDS(ON))分别为22mΩ @ 4.5V和28mΩ @ 2.5V。此外,该产品支持12Vgs(±V)的驱动电压范围,其阈值电压范围为1.2~2.2V。 NTGD3148NT1G MOS管采用紧凑的SOT23-6封装,为各种电路设计提供了高度的灵活性和集成性。在多个领域都具有广泛的应用。在电源管理、开关电源和功率放大等领域,NTGD3148NT1G MOS管可以发挥其优越的电性能,实现高效能源转换。在电池管理系统中,该产品可用于电池充放电管理、保护及控制。此外,在电子设备中,它还可以用于信号放大和开关控制等功能,提供可靠的性能和稳定性。 总之,NTGD3148NT1G MOS管是VBsemi为满足不同领域需求而推出的高品质产品。其在电源管理、电池管理、信号放大和开关控制等领域的应用,为各种模块的设计提供了高效可靠的解决方案。
  • 2024-5-18 17:54
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    NDT2955-VB一种P沟道SOT223封装MOS管
    NDT2955VBsemi MOSFET Datasheet VBsemi推出了NDT2955 MOSFET,其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管,具有出色的规格,包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通状态下的电阻(RDS(ON))性能令人印象深刻,仅为58mΩ @ 10V和70mΩ @ 4.5V。具有20Vgs(±V)的栅源电压范围和-1~-3V的阈值电压范围,该元件提供了多样化的控制可能性。 NDT2955 MOSFET采用紧凑的SOT223封装,具有适应性和集成性,非常适用于各种电路设计。其广泛应用涵盖了电源管理、电机控制和开关模式电源。在工业自动化中,NDT2955可用于驱动电机、管理逆变器,并在各种机械中实现高效的电能转换。此外,它在LED照明应用中发挥着关键作用,可以高效地驱动LED并帮助实现所需的照明效果。在各种电子设备中,NDT2955在优化电路性能和整体系统效率方面发挥着重要作用。 总之,来自VBsemi的NDT2955 MOSFET是针对多样化应用需求量身定制的高质量解决方案。其在电源管理、电机控制和LED照明领域的集成为各种模块设计提供了高效可靠的解决方案。
  • 2024-5-18 17:45
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    IRLR2705TRPBF-VB一种N沟道TO252封装MOS管
    IRLR2705TRPBFVBsemi MOSFET Datasheet VBsemi推出了其最新的N沟道MOS管型号,产品编号为IRLR2705TRPBF。该产品具有优异的性能参数,适用于多种应用场景。丝印型号为VBE1638,其特点包括工作电压高达60V,最大承载电流可达45A,以及低导通电阻,在10V电压下为24mΩ,在4.5V电压下为28mΩ。此外,该MOS管的阈值电压仅为1.8V,使其能够在低压驱动条件下工作。 应用领域: IRLR2705TRPBF MOS管适用于多个应用领域,其中一些主要领域如下: 电源管理:在电源管理领域,IRLR2705TRPBF可用于开关电源、稳压器和DC-DC转换器等电路中,通过高效的导通特性和低导通电阻提供更好的能量转换效率。 电机驱动:这款MOS管在电机驱动电路中表现出色,可以应用于无刷直流电机控制、步进电机驱动以及工业自动化领域,提供可靠的电机控制和高效能量转换。 车载电子:在汽车电子领域,IRLR2705TRPBF可用于电动汽车的电池管理系统、动力逆变器以及充电桩等设备中,满足高电压和高电流要求。 LED照明:对于LED照明应用,该MOS管可用于LED驱动电路,帮助实现更高效的能量转换和光控制。 工业控制:在工业控制领域,IRLR2705TRPBF可应用于PLC(可编程逻辑控制器)、变频器和电机控制器等设备,实现精准的电气信号处理和能量管理。 需要使用该产品的模块: 在上述各个应用领域中,IRLR2705TRPBF主要用于功率放大模块和开关控制模块。在功率放大模块中,它可以放大输入信号,驱动更大负载,同时保持高效能量转换。在开关控制模块中,它可以作为开关元件,控制电路的通断状态,实现高效的电能开关和控制。 总之,IRLR2705TRPBF是一款性能出色的N沟道MOS管,适用于多个领域的电路设计,特别是在需要高电压、高电流和低导通电阻的场景中,为电路设计师提供了一种可靠的解决方案。
  • 2024-5-18 17:43
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    IRLML6402TRPBF-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
    IRLML6402TRPBFVBsemi MOSFET Datasheet IRLML6402TRPBF是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为57mΩ(在4.5V下)和83mΩ(在2.5V下),以及12Vgs(±V)的较高电压限制和-0.81Vth的阈值电压。 IRLML6402TRPBF适用于多个应用领域。在电子领域,它可用于电源管理、功率转换、电机控制和电源开关等应用中。在工业领域,它可以用于自动化设备、控制系统和驱动器。在汽车领域,它可用于电动车辆、照明和电动窗控制等应用中。 对于需要使用IRLML6402TRPBF的模块,可以根据其性能特点选择适当的模块。其中,电源管理模块、功率转换模块和电源开关模块是常见的使用IRLML6402TRPBF的模块。此外,电机控制模块和驱动器模块也可能需要使用该产品。根据具体应用需求,选择适当的模块是使用IRLML6402TRPBF的关键。
  • 2024-5-18 17:38
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    IRLML5203TRPBF-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
    IRLML5203TRPBFVBsemi MOSFET Datasheet VBsemi推出了型号为IRLML5203TRPBF的MOS管,丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品,适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V,可承受-5.6A的电流,具有低导通电阻,在10V下为47mΩ,4.5V下为56mΩ,且阈值电压为-1V。采用SOT23封装,便于安装与布局。 该款IRLML5203TRPBF MOS管在电子领域具有广泛的应用,特别适用于以下领域: 电源管理模块:在电源管理电路中,IRLML5203TRPBF可用于电压调节、电流限制等功能,有效提高系统的稳定性与效率。 驱动器模块:在各种驱动器电路中,如马达驱动、LED驱动等,MOS管可以用作电流开关,控制设备的启停与电流流动。 电池管理:在电池充放电管理中,MOS管可以用来控制充电与放电过程,保护电池免受过充或过放的风险。 DC-DC变换器:在DC-DC变换器中,MOS管常用于开关电路,实现高效能的电压变换。 LED照明:在LED照明系统中,MOS管可以用于LED的亮度控制与电流调节,提供更精准的照明效果。 综上所述,IRLML5203TRPBF是一款功能丰富的P沟道MOS管,适用于电源管理、驱动器、电池管理、DC-DC变换器和LED照明等多个应用领域。在各个领域中,需要用到这款产品的模块通常是控制与调节电流、电压的模块,以实现稳定性、效率与精准控制。
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    时间: 2024-1-2 16:22
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    上传者: VBsemi
    型号:FQU13N10L丝印:VBFB1101M品牌:VBsemi参数:-频道类型:N沟道 -额定电压:100V -额定电流:15A -RDS(ON):115mΩ@10V,120mΩ@4.5V -门源电压范围:±20V -门源阈值电压:1.41V -封装类型:TO251应用简介:FQU13N10L(丝印:VBFB1101M)是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:详细参数说明:FQU13N10L是一款N沟道功率MOSFET,具有高电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为100V,额定电流为15A,RDS(ON)为115mΩ@10V,120mΩ@4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为1.41V,封装类型为TO251。应用领域:FQU13N10L(VBFB1101M)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要高电压和高电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域:1.电源管理模块:FQU13N10L可应用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,从而提高系统的功耗和效率。2.电动工具和家用电器:它可以应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路,提供高效、可靠的电力输出。3.电池管理系统:FQU13N10L适用于电池管理系统中的充放电控制电路,提供高效、可靠的电池管理。4.汽车电子系统:FQU13N10L可应用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足汽车电子系统对高压和高功率的要求。综上所述,FQU13N10L(VBFB1101M)是一款N沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电动工具、家用电器、电池管理系统和汽车电子系统等领域模块。它具有高电压和电流承载能力,适用于需要高效能和可靠性的电路。
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    时间: 2024-1-2 16:23
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    上传者: VBsemi
    型号:DMG6968U-7丝印:VB1330品牌:VBsemi参数:N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V);SOT23该产品具有以下详细参数说明:-类型:N沟道功率场效应管-最大耐压:30V-最大漏极电流:6.5A-导通时的电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-栅极电压(Vgs)范围:±20V-阈值电压(Vth)范围:1.2V至2.2V-封装:SOT23该产品适用于以下领域模块:-电源开关:DMG6968U-7可用于电源开关模块中,用于电源的控制和转换。-电机控制:适用于各种电机控制模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。-LED照明:可以应用于LED照明控制模块中,实现对LED灯的驱动和亮度控制。-消费电子:适用于消费电子产品中的电路控制和驱动模块。综上所述,DMG6968U-7适用于电源开关、电机控制、LED照明和消费电子等领域模块。
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    时间: 2024-1-2 17:52
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    上传者: VBsemi
    型号:FDC3512丝印:VB7101M品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:100V-最大电流:3.2A-导通电阻:100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-门阈电压:2~4Vth-封装:SOT23-6应用简介:FDC3512是一款N沟道MOSFET,适用于低压和中等电流的应用。其最大耐压为100V,最大电流为3.2A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1.电源管理模块:适用于低压电源管理和负载开关控制。2.电流控制模块:可用于电流调节和负载开关控制。3.消费电子产品:适用于电池供电设备和便携式电子产品等。总之,FDC3512适用于低压和中等电流应用领域的模块设计,包括电源管理、电流控制和消费电子产品等。
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    时间: 2024-1-2 16:25
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    上传者: VBsemi
    型号:NTGS3455T1G丝印:VB8338品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-最大耐压:-30V-最大电流:-4.8A-导通电阻:49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-门阈电压:-1~-3Vth-封装:SOT23-6应用简介:NTGS3455T1G是一款P沟道MOSFET,适用于负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V,最大电流为-4.8A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1.电源管理模块:适用于负极电源控制和负载开关控制的应用。2.转换器模块:可用于负极电源控制的DC-DC转换器和逆变器。3.汽车电子模块:适用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。总之,NTGS3455T1G适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计,主要用于电源管理、转换器模块和汽车电子模块等。
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    时间: 2024-1-2 16:27
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    上传者: VBsemi
    AO4407详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-导通电阻:23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.37Vth(V)-封装类型:SOP8应用简介:AO4407是一款P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。AO4407采用SOP8封装,适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。具有负的额定电压和额定电流,AO4407特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中,它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之,AO4407是一款P沟道MOSFET,适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中,特别适用于需要控制和开关负电压的领域,如电源开关、电机驱动器等。
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    时间: 2024-1-2 16:28
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    上传者: VBsemi
    型号:AP2301GN丝印:VB2290品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-4A-RDS(ON):57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压范围:±12V-门源阈值电压:-0.81V-封装类型:SOT23应用简介:AP2301GN(丝印:VB2290)是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:详细参数说明:AP2301GN是一款P沟道功率MOSFET,具有低电导压降和高电流承载能力。主要参数包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)为57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,门源电压范围为±12V,门源阈值电压为-0.81V,封装类型为SOT23。应用领域:AP2301GN(VB2290)适用于多种领域和应用场景,特别适用于需要P沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域:1.电源管理模块:AP2301GN可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。2.电动工具和家用电器:它可应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路,提供高效、可靠的电力输出。3.电池管理系统:AP2301GN可用于电池管理系统中的充放电控制电路,提供高效能和可靠的电池管理。4.LED照明:在LED照明系统中,AP2301GN可用作驱动电路的开关元件,实现高效的电能转换和对LED灯的精确控制。综上所述,AP2301GN(VB2290)是一款P沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电动工具、家用电器、电池管理系统和LED照明等领域模块。它具有低电导压降和高电流承载能力,适用于需要高效能和可靠性的电路。
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    时间: 2024-1-2 16:33
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    上传者: VBsemi
    型号:2SK4033丝印:VBE1695品牌:VBsemi参数:N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO252该产品具有以下详细参数说明:-类型:N沟道功率场效应管-最大耐压:60V-最大漏极电流:18A-导通时的电阻(RDS(ON)):73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-栅极电压(Vgs)范围:±20V-阈值电压(Vth):2V-封装:TO252该产品适用于以下领域模块:-电源开关:2SK4033可用于电源开关模块中,用于电源的控制和转换。-电机控制:适用于各种电机控制模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。-电源管理:可以应用于电源管理模块中,实现电源开关、电路控制和电源保护等功能。综上所述,2SK4033适用于电源开关、电机控制和电源管理等领域模块。
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    时间: 2024-1-2 16:34
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    上传者: VBsemi
    型号:2SJ668丝印:VBE2610N品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-最大耐压:-60V-最大电流:-38A-导通电阻:61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-门阈电压:-1.3Vth-封装:TO252应用简介:2SJ668是一款P沟道MOSFET,适用于负极电压控制或负载开关的高功率应用。其最大耐压为-60V,最大电流为-38A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1.电源管理模块:适用于需要负极电压控制的高功率DC-DC转换器、逆变器等。2.高功率负载开关:可用于高功率负载开关和电源控制器。3.汽车电子模块:适用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。总之,2SJ668适用于负极电压控制和高功率负载开关等应用领域的模块设计,包括电源管理、高功率负载开关和汽车电子模块等。
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    时间: 2024-1-2 16:36
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    上传者: VBsemi
    型号:CEM4435丝印:VBA2317品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-RDS(ON):23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V-门源电压范围:±20V-门源阈值电压:-1.37V-封装类型:SOP8应用简介:CEM4435(丝印:VBA2317)是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:详细参数说明:CEM4435是一款具有低电导阻和高电流承载能力的P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-30V,额定电流为-7A,RDS(ON)为23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为-1.37V,封装类型为SOP8。应用领域:CEM4435(VBA2317)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要P沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域:1.电源管理模块:CEM4435可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。2.电动工具和家用电器:它可用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路,提供高功率和高效能的电力输出。3.电池充放电控制:CEM4435适用于电池充放电控制电路,提供高效能和可靠的充放电控制。4.汽车电子系统:CEM4435可应用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足汽车电子系统对高功率和高效能的要求。综上所述,CEM4435(VBA2317)是一款P沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电动工具、电池充放电控制和汽车电子系统等领域模块。它具有低电导阻和高电流承载能力,适用于需要高功率和高效能的电路。
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    时间: 2024-1-2 16:37
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    上传者: VBsemi
    型号:IRF7240TRPBF丝印:VBA2412品牌:VBsemi参数:P沟道,-40V,-11A,RDS(ON),13mΩ@10V,17mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V);SOP8该产品具有以下详细参数说明:-类型:P沟道功率场效应管-最大耐压:-40V-最大漏极电流:-11A-导通时的电阻(RDS(ON)):13mΩ@10V,17mΩ@4.5V-栅极电压(Vgs)范围:±20V-阈值电压(Vth):-1.7V-封装:SOP8该产品适用于以下领域模块:-电源开关:IRF7240TRPBF可用于电源开关模块中,用于电源的控制和转换。-电机控制:适用于各种电机控制模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。-电源管理:可以应用于电源管理模块中,实现电源开关、电路控制和电源保护等功能。综上所述,IRF7240TRPBF适用于电源开关、电机控制和电源管理等领域模块。
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    时间: 2024-1-2 17:43
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    上传者: VBsemi
    型号:AO4407A丝印:VBA2317品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-最大耐压:-30V-最大电流:-7A-导通电阻:23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V-门源电压:20Vgs(±V)-门阈电压:-1.37Vth-封装:SOP8应用简介:AO4407A是一款P沟道MOSFET,适用于负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V,最大电流为-7A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1.电源管理模块:适用于负责电流控制和功率开关的电源管理模块。2.电动工具:可用于电动工具中的电源控制和负载开关。3.转换器模块:适用于直流-直流转换器和逆变器等高功率转换器。总之,AO4407A适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计,主要应用于电源管理、电动工具和转换器模块等。
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    时间: 2024-1-2 17:44
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    上传者: VBsemi
    CED12N10详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:100V-额定电流:15A-导通电阻:115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:1.41Vth(V)-封装类型:TO251应用简介:CED12N10是一款N沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有较高的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。CED12N10采用TO251封装,适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。具有较高的额定电压和额定电流,CED12N10特别适用于需要高功率和高电流传输的领域,如电源开关和功率放大器。总之,CED12N10是一款N沟道MOSFET,适用于电源管理和功率放大器等应用模块中,特别适用于需要高功率和高电流传输的领域,如电源开关和功率放大器。
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    时间: 2024-1-2 17:50
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    上传者: VBsemi
    型号:BSS84-7-F丝印:VB264K品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-60V-额定电流:-0.5A-RDS(ON):3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V-门源电压范围:±20V-门源阈值电压:-1.87V-封装类型:SOT23应用简介:BSS84-7-F(丝印:VB264K)是VBsemi公司生产的一款P沟道MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:详细参数说明:BSS84-7-F是一款P沟道MOSFET,主要参数包括额定电压-60V,额定电流-0.5A,RDS(ON)为3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为-1.87V,封装类型为SOT23。应用领域:BSS84-7-F(VB264K)适用于多种应用领域,特别适用于需要P沟道MOSFET的电路中。以下是一些常见的应用领域:1.电源管理模块:BSS84-7-F可用于电源管理模块中,提供高效能的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。2.低功耗电子设备:它适用于低功耗电子设备中的电源开关和信号传输开关。3.模拟开关应用:BSS84-7-F可用作模拟开关,用于控制信号的通断。4.消费电子产品:它可应用于消费电子产品中的电源管理、功率控制等方面。综上所述,BSS84-7-F(VB264K)是一款P沟道MOSFET,适用于电源管理模块、低功耗电子设备、模拟开关应用和消费电子产品等领域。它具有低电导压降和宽工作电压范围,适用于需要高效能和可靠性的电路。
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    时间: 2024-1-2 17:51
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    上传者: VBsemi
    型号:IRF540NSTRPBF丝印:VBL1104N品牌:VBsemi参数:N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO263该产品具有以下详细参数说明:-类型:N沟道功率场效应管-最大耐压:100V-最大漏极电流:45A-导通时的电阻(RDS(ON)):32mΩ@10V,34mΩ@4.5V-栅极电压(Vgs)范围:±20V-阈值电压(Vth):2V-封装:TO263该产品适用于以下领域模块:-电源开关:IRF540NSTRPBF可用于电源开关模块中,用于实现电源的控制和转换。-电机驱动:适用于各种电机驱动模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。-汽车电子:可以应用于汽车电子模块中,实现电路的控制和驱动。-工业控制:适用于工业控制系统中的电路控制和功率放大模块。综上所述,IRF540NSTRPBF适用于电源开关、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域模块。
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    时间: 2024-1-2 16:35
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    上传者: VBsemi
    NTS2101PT1G详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-门源电压:12Vgs(±V)-阈值电压:-0.6~-2Vth(V)-封装类型:SC70-3应用简介:NTS2101PT1G是一款P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制12Vgs(±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。NTS2101PT1G采用SC70-3封装,适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其负的额定电压和额定电流特性,NTS2101PT1G特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中,它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之,NTS2101PT1G是一款P沟道MOSFET,适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中,特别适用于需要控制和开关负电压的领域,如电源开关、电机驱动器等。
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    时间: 2023-12-28 15:52
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    IRFR4620TRPBF详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:200V-额定电流:25A-导通电阻:54mΩ@10V,112mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:3.2Vth(V)-封装类型:TO252应用简介:IRFR4620TRPBF是一款N沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有较高的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。IRFR4620TRPBF采用TO252封装,适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其较高的额定电压和额定电流,IRFR4620TRPBF特别适用于高压和高功率应用,如高压电源开关和功率放大器。总之,IRFR4620TRPBF是一款N沟道MOSFET,适用于电源管理和功率放大器等应用模块中,特别适用于高压和高功率领域的应用,如高压电源开关和功率放大器。
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    时间: 2023-12-28 15:48
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    型号:50N04丝印:VBE1405品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:40V-最大电流:85A-导通电阻:4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-门阈电压:1.85Vth-封装:TO252应用简介:50N04是一款N沟道MOSFET,适用于高电压和大电流的应用。其最大耐压为40V,最大电流为85A,具有低导通电阻和优异的性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1.电源管理模块:适用于开关电源、电池管理和电动汽车充电器等。2.转换器模块:适用于DC-DC转换器和高频电源转换。3.电动工具:可用于驱动电动工具中的负载开关和电源控制。总之,50N04适用于需要高电压和大电流的应用领域的模块设计,包括电源管理、转换器模块和电动工具等。
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    时间: 2023-12-28 15:46
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    上传者: VBsemi
    AO4828详细参数说明:-极性:2个N沟道-额定电压:60V-额定电流:6A-导通电阻:27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:1.5Vth(V)-封装类型:SOP8应用简介:AO4828是一款双N沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有较高的额定电压和额定电流能力,能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压,可以实现开关码的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。AO4828采用SOP8封装,适合在各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其双N沟道的特点,AO4828可用于控制和开关正电压的电路,特别适用于需要在正电压下进行功率开关和控制的应用场景。总之,AO4828是一款双N沟道MOSFET,适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中,特别适合在正电压的应用场景中,如电源开关、电机驱动器等领域。
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    时间: 2023-12-28 15:45
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    上传者: VBsemi
    型号:XP152A12C0MR丝印:VB2290品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-4A-RDS(ON):57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压范围:±12V-门源阈值电压:-0.81V-封装类型:SOT23应用简介:XP152A12C0MR(丝印:VB2290)是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:详细参数说明:XP152A12C0MR是一款低压降、高电流承载能力的P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)为57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,门源电压范围为±12V,门源阈值电压为-0.81V,封装类型为SOT23。应用领域:XP152A12C0MR适用于多种领域和应用场景,特别适用于需要P沟道功率MOSFET的低压降、高电流电路。以下是一些典型的应用领域:1.电源管理模块:XP152A12C0MR可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。2.电动工具和家用电器:它适用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路,提供高效、可靠的电力输出。3.电池管理系统:XP152A12C0MR可用于电池管理系统中的充放电控制电路,提供高效能和可靠的电池管理。4.LED照明:在LED照明系统中,XP152A12C0MR可用作驱动电路的开关元件,实现高效的电能转换和对LED灯的精确控制。综上所述,XP152A12C0MR(VB2290)是一款P沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电动工具、家用电器、电池管理系统和LED照明等领域模块。它具有低压降、高电流承载能力,适用于需要高效能和可靠性的电路。
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    时间: 2023-12-28 15:40
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    上传者: VBsemi
    型号:AP4563GH丝印:VBE5415品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N+P沟道MOSFET-最大耐压:±40V-最大电流:50A/-50A-导通电阻:15mΩ@10V,18.75mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-门阈电压:±1Vth-封装:TO252-5应用简介:AP4563GH是一款N+P沟道MOSFET,适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±40V,最大电流为50A/-50A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1.电源管理模块:适用于负责电流控制和功率开关的电源管理模块。2.电机驱动模块:可用于驱动大功率电机,如电动汽车和工业机械中的驱动电路。3.逆变器模块:适用于太阳能逆变器和UPS系统等高功率逆变器。总之,AP4563GH适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计,包括电源管理、电机驱动和逆变器模块等。