丝印：VBFB1101M
品牌：VBsemi
参数：
- 频道类型：N沟道
- 额定电压：100V
- 额定电流：15A
- RDS(ON)：115mΩ @ 10V，120mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围：±20V
- 门源阈值电压：1.41V
- 封装类型：TO251
应用简介：
FQU13N10L（丝印：VBFB1101M）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：
详细参数说明：
FQU13N10L是一款N沟道功率MOSFET，具有高电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为100V，额定电流为15A，RDS(ON)为115mΩ @ 10V，120mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为1.41V，封装类型为TO251。
应用领域：
FQU13N10L（VBFB1101M）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要高电压和高电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域：
1. 电源管理模块：FQU13N10L可应用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，从而提高系统的功耗和效率。
2. 电动工具和家用电器：它可以应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高效、可靠的电力输出。
3. 电池管理系统：FQU13N10L适用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效、可靠的电池管理。
4. 汽车电子系统：FQU13N10L可应用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高压和高功率的要求。
综上所述，FQU13N10L（VBFB1101M）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、家用电器、电池管理系统和汽车电子系统等领域模块。它具有高电压和电流承载能力，适用于需要高效能和可靠性的电路。
