标签: SOT893

型号：2SJ179-VB丝印：VBI2338品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.8A-静态开启电阻（RDS(ON)）：50mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源极电压（Vgs）：20V（±V）-阈值电压（Vth）：-0.6V至-2V-封装类型：SOT89-3应用简介：2SJ179-VB是一款P沟道MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块：1.**电源开关模块**：该MOSFET可用于电源开关模块，以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备、电源管理系统和低电压电源应用。2.**电池保护模块**：在需要保护电池免受过放电和过充电的应用中，2SJ179-VB可用于电池保护电路，确保电池的安全运行。3.**低噪声放大器**：由于其低阈值电压和低开启电阻，2SJ179-VB可以用于低噪声放大器的输入级别，以帮助实现高性能的音频放大。4.**模拟开关模块**：在需要高性能模拟开关的模拟电路中，这款MOSFET可以用于模拟开关和信号调节。5.**传感器接口模块**：2SJ179-VB可以用于传感器接口模块，以实现对传感器信号的高效放大和处理。2SJ179-VB具有P沟道，适用于需要P沟道MOSFET的应用，特别是在需要低导通电阻的场合。在实际应用中，请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件，以确保最佳性能和可靠性。

型号：NCE0103M-VB丝印：VBI1101M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：3.1A-静态开启电阻（RDS(ON)）：126mΩ@10V,139mΩ@4.5V-门源极电压（Vgs）：20V（±V）-阈值电压（Vth）：1.7V-封装类型：SOT89-3应用简介：NCE0103M-VB是一款N沟道MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块：1.**电源开关模块**：该MOSFET可用于电源开关模块，以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备、电源管理系统和低电压电源应用。2.**电池保护模块**：在需要保护电池免受过放电和过充电的应用中，NCE0103M-VB可用于电池保护电路，确保电池的安全运行。3.**DC-DC变换器**：在需要高效的DC-DC变换器中，这款MOSFET可用于帮助实现电压升降和电能转换。它适用于便携式设备、通信设备和工业应用。4.**电机驱动模块**：NCE0103M-VB可用于电机驱动和控制模块，包括直流电机、步进电机和无刷直流电机驱动。5.**电流控制模块**：在需要高性能电流控制的应用中，这款MOSFET可以用于电流传感器和电流放大器模块。NCE0103M-VB具有N沟道，适用于需要N沟道MOSFET的应用，以实现高性能功率开关。在实际应用中，请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件，以确保最佳性能和可靠性。

型号：2SK3065-VB丝印：VBI1695品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：76mΩ@10V,88mΩ@4.5V-门源极电压（Vgs）：20V（±V）-阈值电压（Vth）：1~3V-封装类型：SOT89-3应用简介：2SK3065-VB是一款N沟道低电压低导通电阻MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块：1.**电源开关模块**：该MOSFET可用于低电压电源开关模块，以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备和低电压电源系统。2.**电池管理模块**：在便携式设备和电池供电系统中，此MOSFET可用于电池管理系统，包括电池保护和电池充放电控制。3.**低电压DC-DC变换器**：2SK3065-VB可用作低电压DC-DC变换器的开关器件，用于电压升降和电能转换。4.**低电压电源放大模块**：在音频放大器和低电压电源放大器等模块中，此MOSFET可用于提供信号放大和电力放大。5.**低电压电子模块**：在需要低电压电源管理和功率开关的应用中，如便携式医疗设备和低电压传感器节点，这款MOSFET可以用于功率管理和电源控制。这些是一些可能用到2SK3065-VBN沟道低电压低导通电阻MOSFET的应用领域模块的示例。该器件的参数使其适用于需要低电压和低导通电阻的低电压应用，特别是在需要高性能功率开关的场合。在实际应用中，请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件，以确保最佳性能和可靠性。

型号：2SJ518-VB丝印：VBI2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-5A-开态电阻(RDS(ON))：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压(Vth)：1~3V-封装：SOT89-3应用简介：2SJ518-VB是一款P沟道MOSFET，适用于负极性电压应用，具有低开态电阻和适中的电流电压特性。这款MOSFET适用于需要负电压开关和控制的应用。主要特点和应用领域：1.**电源逆变器**：2SJ518-VB可用于电源逆变器，将正电压转换为负电压，适用于一些特殊应用，如负电压电源系统。2.**电流控制**：这款MOSFET可用于负电流控制，例如电流源、电流控制器和电流放大器，用于实现精确的电流调控。3.**负极性电源管理**：在特殊应用中，需要负极性电源管理，2SJ518-VB可以用于实现电源开关和控制。4.**电池保护**：在移动设备和电池供电系统中，这款MOSFET可以用于电池保护电路，确保电池充电和放电过程中的安全性和稳定性。5.**负电压电源调节器**：2SJ518-VB可用于负电压电源调节器，用于调整负载的电流和电压。总之，2SJ518-VB适用于多个领域，包括电源逆变器、电流控制、负极性电源管理、电池保护和负电压电源调节器等模块。其P沟道特性和低开态电阻等特性使其成为处理负电压应用的理想选择。

型号:2SJ356-VB丝印:VBI2658品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-5A-静态导通电阻(RDS(ON)):58mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):70mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):1V至3V-封装:SOT89-3应用简介:2SJ356-VB是一种P沟道场效应晶体管(FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**低功耗开关：**2SJ356-VB适用于低功耗开关应用，例如电源管理模块中的低功耗开关和电源切换。2.**电源分配：**可以用于电源分配单元，帮助控制电路中的电流流动，以实现电源的有效管理。3.**电池保护：**在电池保护电路中，2SJ356-VB可用于电池充电和放电的控制，确保电池的安全运行。4.**信号开关：**可以用于信号开关应用，如模拟信号切换和信号放大器的输入开关。5.**低功耗电子设备：**由于其低静态导通电阻和低功耗，适用于需要节能的低功耗电子设备。2SJ356-VB的特点使其成为用于低功耗开关和电源管理的理想元件。它在低电流和低功耗应用中表现出色，可用于多种便携式和低功耗设备，如手机、平板电脑、传感器和便携式电子设备。

型号：2SJ355-VB丝印：VBI2338品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-5.8A-导通电阻（RDS(ON)）：50mΩ@10V-门源电压范围（Vgs）：20V（正负）-阈值电压范围（Vth）：-0.6~-2V-封装：SOT89-3应用简介：2SJ355-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于需要负向电压操作的电子应用。它在电流开关和电压逆变器等领域具有广泛的应用。详细参数说明：1.**类型**：这是一款P沟道MOSFET，意味着它在输入负向电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于需要负向电压操作的电路中。2.**额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为-30V。这表示它可以在负向电压条件下工作。3.**最大持续电流（Id）**：这款MOSFET的最大电流承受能力为-5.8A。负号表示电流流向是从源到漏极。4.**导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为50mΩ，表示在导通状态下的功耗相对较低。5.**门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。6.**阈值电压范围（Vth）**：这款MOSFET的阈值电压范围为-0.6~-2V。这是启动MOSFET导通的门源电压范围。7.**封装**：这款MOSFET采用SOT89-3封装，这是一种小型封装，适用于小型电路板和空间受限的应用。应用领域：2SJ355-VB这款P沟道MOSFET适用于多种需要负向电压操作的电子模块和设备，包括但不限于以下领域模块：1.**电源开关**：可用于负向电压电源开关，如电压转换和电源控制。2.**电压逆变器**：用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，如太阳能逆变器和电力逆变器。3.**电池保护**：可用于电池保护电路，以确保电池不过充电或过放电。4.**负载开关**：用于控制负载的通断，如LED照明系统、电动工具和电子设备。5.**电源管理**：在需要负向电压电源管理和电流控制的应用中使用，以确保高效的电源供应。总之，这款P沟道MOSFET适用于需要负向电压操作的电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能，特别是在需要负向电压操作的应用中。

型号：AP2310GG-HF-VB丝印：VBI1695品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：5A-开通电阻（RDS(ON)）：76mΩ@10Vgs、88mΩ@4.5Vgs-阈值电压（Vth）：1V到3V可调-封装类型：SOT89-3应用简介：AP2310GG-HF-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种低功率电子应用。以下是它的一些主要应用领域：1.电源管理模块：这款MOSFET适用于低功率电源管理模块。它可以用于开关稳压器、电源适配器和直流-直流变换器等应用中，有助于提供高效率和稳定的电源输出。2.电池保护模块：由于其低开通电阻和低阈值电压，它可以用于电池保护模块，确保电池在充电和放电时的安全性和性能。3.信号开关：AP2310GG-HF-VB也可用于信号开关和电路保护，用于控制和管理信号通路，例如在通信设备、音频放大器和控制电路中。4.低电压电路：由于其可调阈值电压，这款MOSFET特别适用于低电压电路中，例如移动设备、便携式电子设备和低功耗应用。总之，AP2310GG-HF-VB是一款适用于低功率电子应用的N沟道MOSFET，特别适用于电源管理、电池保护、信号开关和低电压电路等领域。它的低电流和低电压特性使其成为小型电子设备中的常见元件。

型号：2SK1485-VB丝印：VBI1101M品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：100V-最大电流：3.1A-静态开启电阻(RDS(ON))：126mΩ@10V,139mΩ@4.5V-门源极电压(Vgs)：20V(±V)-阈值电压(Vth)：1.7V-封装类型：SOT89-3应用简介：2SK1485-VB是一种N沟道MOSFET，具有适中的电压和电流承受能力。它适用于多种电子应用，以下是一些可能的应用领域：1.电源模块：这款MOSFET可用于小型电源模块中的功率开关，帮助提高电源效率，适用于各种便携设备和嵌入式系统。2.DC-DC转换器：2SK1485-VB可以用于DC-DC转换器中，将一个电压转换成另一个电压，适用于电池驱动的设备、电子终端和通信设备。3.电池管理：它还可以用于电池管理系统中，控制电池的充电和放电，确保电池的安全和性能。4.低功耗电子：由于其低静态阈值电压和适中的电流承受能力，适用于需要低功耗操作的电子设备，如便携式医疗设备和传感器节点。5.模拟电路：在一些模拟电路中，如信号放大器和滤波器，可以使用2SK1485-VB来实现精确的信号控制。这款MOSFET的特性使其适用于多种低至中等功率电子应用，但在选择和使用该器件时，仍然需要详细了解其数据手册和性能参数，以确保其满足特定应用的要求。

型号：CEA3252-VB  丝印：VBI1322  品牌：VBsemi  详细参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：6.8A-开通电阻：33mΩ@10V,45mΩ@4.5V-阈值电压：0.9V-封装类型：SOT89-3应用简介：CEA3252-VB是一款N沟道MOSFET，具有高功率和低开通电阻的特点。它适用于许多不同领域的电路模块，包括但不限于以下应用：1.电源模块：CEA3252-VB可以用于开关电源模块，提供稳定可靠的电能传输。其低开通电阻和高耐压特性使其成为一种理想的选择。2.电机驱动模块：CEA3252-VB的高额定电流和低开通电阻使其非常适合用于驱动大小电机的模块。它能够有效地控制电机的速度和转向。3.照明模块：CEA3252-VB可以用于LED照明模块，通过调节其阈值电压和开通电阻来控制LED的亮度和颜色。4.汽车电子模块：CEA3252-VB的高温度工作特性和稳定性使其非常适合用于汽车电子模块，如汽车灯光控制、电动车模块等。总结来说，CEA3252-VB适用于电源模块、电机驱动模块、照明模块、汽车电子模块等多种领域的电路模块。其高功率、低开通电阻和稳定性使其成为这些领域中的一种理想选择。

HM2305PR详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.8A-导通电阻：50mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2Vth(V)-封装类型：SOT89-3应用简介：HM2305PR是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有负的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。具有较低的导通电阻，可以降低功耗并提高系统的效率。HM2305PR采用SOT89-3封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其负的额定电压和额定电流特性，HM2305PR特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之，HM2305PR是一款P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中。特别适用于需要控制和开关负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等。

型号：2SK1273丝印：VBI1695品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：5A-RDS(ON)：76mΩ@10V，88mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源阈值电压范围：1V~3V-封装类型：SOT89-3应用简介：2SK1273（丝印：VBI1695）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：2SK1273是一款N沟道功率MOSFET，具有适中的电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为60V，额定电流为5A，RDS(ON)为76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压范围为1V~3V，封装类型为SOT89-3。应用领域：2SK1273（VBI1695）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：2SK1273可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.LED照明系统：它适用于LED照明系统中的电源管理和功率控制，提供可靠的电流控制和电能转换。3.工业控制系统：2SK1273可用于工业控制系统中的电源开关电路，提供可靠的电流控制与电能转换。综上所述，2SK1273（VBI1695）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、LED照明系统和工业控制系统等领域模块。它具有适中的电压和电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。

型号：HM3400PR丝印：VBI1322品牌：VBsemi参数：N沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.9Vth(V)；SOT89-3该产品具有以下详细参数说明：-类型：N沟道功率场效应管-最大耐压：30V-最大漏极电流：6.8A-导通时的电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V,45mΩ@4.5V-栅极电压（Vgs）范围：±20V-阈值电压（Vth）：0.9V-封装：SOT89-3该产品适用于以下领域模块：-电池管理：HM3400PR可用于电池管理模块中，实现电池的充放电控制和保护功能。-电源开关：适用于电源开关模块中，用于电源的控制和转换。-电压稳定：可用于电压稳定模块，提供稳定的输出电压和电路保护。-电子设备接口：适用于各种电子设备接口模块中，如数据通信、控制和保护。综上所述，HM3400PR适用于电池管理、电源开关、电压稳定和电子设备接口等领域模块。

型号：HM3401PR丝印：VBI2338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.8A-RDS(ON)：50mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源阈值电压范围：-0.6V~-2V-封装类型：SOT89-3应用简介：HM3401PR（丝印：VBI2338）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：HM3401PR是一款P沟道功率MOSFET，具有低电导压降和高电流承载能力。主要参数包括额定电压为-30V，额定电流为-5.8A，RDS(ON)为50mΩ@10V,56mΩ@4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压范围为-0.6V~-2V，封装类型为SOT89-3。应用领域：HM3401PR（VBI2338）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要P沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：HM3401PR可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.电动工具和家用电器：它可应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高效、可靠的电力输出。3.电池管理系统：HM3401PR可用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效能和可靠的电池管理。4.LED照明：在LED照明系统中，HM3401PR可用作驱动电路的开关元件，实现高效的电能转换和对LED灯的精确控制。综上所述，HM3401PR（VBI2338）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、家用电器、电池管理系统和LED照明等领域模块。它具有低电导压降和高电流承载能力，适用于需要高能效和可靠性的电路。

ZXMN6A07ZTA(VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介：ZXMN6A07ZTA适用于中功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、稳压和电机控制等领域模块。其中等功率承载能力适合中功率应用场景。优势与适用领域：适用于中功率应用，如电源开关、电机控制和稳压等模块。中等功率承载能力满足一般应用需求。

RJP020N06T100(VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介：RJP020N06T100适用于电源开关和电机控制等应用。其低导通电阻和高耐压特性使其在高功率场景中表现出色。适用领域与模块：适用于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块，特别适合高功率要求的场景。