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【HM3400PR-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-21
大小:340.64KB
阅读数:58
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资料介绍
型号:HM3400PR
丝印:VBI1322
品牌:VBsemi
参数:N沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V);SOT89-3

该产品具有以下详细参数说明:
- 类型:N沟道功率场效应管
- 最大耐压:30V
- 最大漏极电流:6.8A
- 导通时的电阻(RDS(ON)):33mΩ@10V, 45mΩ@4.5V
- 栅极电压(Vgs)范围:±20V
- 阈值电压(Vth):0.9V
- 封装:SOT89-3


该产品适用于以下领域模块:
- 电池管理:HM3400PR可用于电池管理模块中,实现电池的充放电控制和保护功能。
- 电源开关:适用于电源开关模块中,用于电源的控制和转换。
- 电压稳定:可用于电压稳定模块,提供稳定的输出电压和电路保护。
- 电子设备接口:适用于各种电子设备接口模块中,如数据通信、控制和保护。

综上所述,HM3400PR适用于电池管理、电源开关、电压稳定和电子设备接口等领域模块。
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