丝印：VBI1101M
品牌：VBsemi
参数：
- 类型：N沟道
- 最大耐压：100V
- 最大电流：3.1A
- 静态开启电阻 (RDS(ON))：126mΩ @ 10V, 139mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 (Vgs)：20V (±V)
- 阈值电压 (Vth)：1.7V
- 封装类型：SOT89-3
应用简介：
2SK1485-VB是一种N沟道MOSFET，具有适中的电压和电流承受能力。它适用于多种电子应用，以下是一些可能的应用领域：
1. 电源模块：这款MOSFET可用于小型电源模块中的功率开关，帮助提高电源效率，适用于各种便携设备和嵌入式系统。
2. DC-DC转换器：2SK1485-VB可以用于DC-DC转换器中，将一个电压转换成另一个电压，适用于电池驱动的设备、电子终端和通信设备。
3. 电池管理：它还可以用于电池管理系统中，控制电池的充电和放电，确保电池的安全和性能。
4. 低功耗电子：由于其低静态阈值电压和适中的电流承受能力，适用于需要低功耗操作的电子设备，如便携式医疗设备和传感器节点。
5. 模拟电路：在一些模拟电路中，如信号放大器和滤波器，可以使用2SK1485-VB来实现精确的信号控制。
这款MOSFET的特性使其适用于多种低至中等功率电子应用，但在选择和使用该器件时，仍然需要详细了解其数据手册和性能参数，以确保其满足特定应用的要求。
